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    초소수성 표면 형성 방법
    1.
    发明申请
    초소수성 표면 형성 방법 审中-公开
    形成超级疏水表面的方法

    公开(公告)号：WO2016200119A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/KR2016/006004

    申请日：2016-06-07

    Applicant: 아주대학교산학협력단

    Inventor： 김창구 ,  조성운 ,  김준현 ,  박정근

    IPC: H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/033

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  B32B33/00 ,  B32B2307/73 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0334

    Abstract: 본 발명은 초소수성 표면 제조방법 및 초소수성 표면체에 관한 것으로서, 플라즈마 식각과 증착만으로 초소수성 표면을 구현할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 초소수성 표면은 부착일(work of adhesion)이 3 mJ/m 2 이하로 매우 작아 자가세정(self-cleaning) 표면, 흐림방지(anti-fogging) 표면, 자동차 유리 표면, 약물전달 소자 등 다양한 분야에 응용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及超疏水性表面的制造方法和超疏水性表面结构。 该方法仅通过等离子体蚀刻和沉积来实现超疏水表面。 本发明的疏水性表面粘合力低，为3mJ / m 2以下，疏水性表面可以应用于各种领域，例如自清洁表面，防雾表面，车辆玻璃表面， 药物传播装置等

    플라즈마 가스를 사용한 실리콘 기판 식각방법
    2.
    发明申请
    플라즈마 가스를 사용한 실리콘 기판 식각방법 审中-公开
    使用等离子体气体的硅衬底蚀刻方法

    公开(公告)号：WO2016085155A1

    公开(公告)日：2016-06-02

    申请号：PCT/KR2015/012037

    申请日：2015-11-10

    Applicant: 아주대학교산학협력단

    Inventor： 김창구 ,  조성운 ,  김준현

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/3081

    Abstract: 실리콘 기판의 원하는 부분을 식각하는 실리콘 기판 식각방법에 있어서, 본 발명의 실리콘 기판 식각방법은 실리콘 기판 상에 식각 마스크를 형성하는 단계; 할로겐 기초가스, 불화탄소 가스 및 산소를 포함하는 제1 가스를 준비하는 단계; 및 상기 제1 가스를 상기 기판 상에 플라즈마 처리하여 상기 기판을 식각하는 단계;를 포함할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明的硅衬底蚀刻方法可以使硅衬底的所需部分被蚀刻，包括以下步骤：在硅衬底上形成蚀刻掩模; 制备包含卤素基础气体，氟化碳气体和氧气的第一气体; 以及通过对所述衬底上的所述第一气体进行等离子体处理来蚀刻所述衬底。

    경사 형태의 구리 나노 로드 제작방법
    3.
    发明申请
    경사 형태의 구리 나노 로드 제작방법 审中-公开
    制造铜箔纳米线的方法

    公开(公告)号：WO2014112694A1

    公开(公告)日：2014-07-24

    申请号：PCT/KR2013/003326

    申请日：2013-04-19

    Applicant: 아주대학교산학협력단

    Inventor： 조성운 ,  김창구

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2203/0361 ,  G02B1/005 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32137

    Abstract: 본 발명은 경사 형태의 구리 나노 로드 제작방법에 관한 것으로, 본 발명은, 웨이퍼에 식각 중지층(etch stop layer)을 포함하는 구조로 시편을 제작하는 단계; 상기 시편을 경사형태로 위치시켜 식각하는 단계; 상기 경사형태의 시편에 구리(Cu)막을 도금하여 형성하는 단계; 상기 구리막에서 과도금된 부분을 제거하는 단계; 및 상기 시편 표면에서 구리를 제외한 폴리 실리콘(Poly Si)을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 기존의 방식에 비해 대면적 제조가 가능하여 공정 수율이 우수하고, 균일한 배열(array)을 갖는 나노구조물을 형성할 수 있고, 구리 나노 로드의 각도와 직경을 임의로 조절할 수 있어 그 응용가능성이 매우 큰 효과가 있으며, 반도체, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 광소자, 가스탐지장치, 디스플레이(Display) 소자 등 다양한 소자 제조공정에 응용될 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造倾斜铜纳米棒的方法，包括以下步骤：在晶片包括蚀刻停止层的结构中制造样品; 通过将样品定位成倾斜的形状来蚀刻样品; 在倾斜样品上电镀和形成铜（Cu）膜; 从Cu膜除去过度镀覆的部分; 以及从样品表面去除除了Cu之外的多晶硅（poly-Si）。 根据本发明，与现有的方法相比，可以进行大面积的制造，因此能够形成具有优异的工艺生产率和均匀阵列的纳米结构，并且铜纳米棒的角度和直径可以任意调整，因此， 其适用性非常高，此外，铜纳米棒可用于制造各种元件如半导体，微机电系统（MEMS），光学元件，气体检测装置，显示元件等的方法。

    초소수성 표면 형성 방법
    4.
    发明授权
    초소수성 표면 형성 방법 有权
    超级疏水表面制造方法

    公开(公告)号：KR101620786B1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：KR1020150080868

    申请日：2015-06-08

    Applicant: 아주대학교산학협력단

    Inventor： 조성운 ,  김준현 ,  박정근 ,  김창구

    IPC: H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/033

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  B32B33/00 ,  B32B2307/73 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0334

    Abstract: 본발명은초소수성표면제조방법및 초소수성표면체에관한것으로서, 플라즈마식각과증착만으로초소수성표면을구현할수 있는방법에관한것이다. 본발명의초소수성표면은부착일(work of adhesion)이 3 mJ/m이하로매우작아자가세정(self-cleaning) 표면, 흐림방지(anti-fogging) 표면, 자동차유리표면, 약물전달소자등 다양한분야에응용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及超疏水表面和超疏水表面结构的制造方法。 该方法只能通过等离子体蚀刻和沉积实现超疏水表面。 疏水表面具有低于或等于3mJ / m ^ 2的非常低的附着力，因此疏水性表面可以应用于各种领域，例如自清洁表面，防雾表面，车辆玻璃 表面，药物传递装置等。该方法包括以下步骤：a）在上部制备具有二维图案化掩模的衬底; b）通过用包含氟碳的气体的等离子体处理衬底，在掩模的孔的内表面和掩模的表面上形成碳氟化合物层; c）在基板上形成对应于掩模的杆; d）通过重复形成碳氟化合物层的步骤b）和形成棒的步骤c）来增加杆的高度; e）去除在其上形成多个棒层的基底上的掩模; 以及f）通过用形成在其上的多个杆层的等离子体处理含有碳氟化合物的气体的等离子体，在棒表面上形成碳氟化合物层。

    플라즈마 식각을 이용한 경사형태의 나노기둥 제작방법
    5.
    发明授权
    플라즈마 식각을 이용한 경사형태의 나노기둥 제작방법 有权
    使用等离子体蚀刻法制备兰花的方法

    公开(公告)号：KR101533526B1

    公开(公告)日：2015-07-02

    申请号：KR1020140030872

    申请日：2014-03-17

    Applicant: 아주대학교산학협력단

    Inventor： 김창구 ,  조성운

    IPC: B82B3/00

    CPC classification number: B82B3/0095 ,  B01J19/088 ,  B82Y40/00

    Abstract: 본발명은, 실리콘산화막이형성된피식각물을준비하는단계; 상기실리콘산화막상에불화탄소군을형성하는단계; 불소화합물가스에의한플라즈마로, 상기실리콘산화막및 상기불화탄소군을처리하는단계; 및상기피식각물을플라즈마처리하여식각하는단계를포함하는, 플라즈마식각을이용한경사진나노기둥을제작하는방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种通过使用等离子体蚀刻工艺制造倾斜纳米柱的方法，包括以下步骤：制备用氧化硅膜形成的待蚀刻材料; 在氧化硅膜上形成氟化碳基团; 用氟化合物气体等离子体处理氧化硅膜和氟化碳基团; 并等离子体蚀刻该材料。

    서지흡수기 제조방법
    6.
    发明公开
    서지흡수기 제조방법 有权
    冲击吸收器的制造方法

    公开(公告)号：KR1020140099964A

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：KR1020130012174

    申请日：2013-02-04

    Applicant: 스마트전자 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

    Inventor： 정종일 ,  강두원 ,  안규진 ,  진상준 ,  김현창 ,  이경미 ,  백창용 ,  우창수 ,  강태헌 ,  김창구 ,  조성운 ,  김준현

    IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44

    Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a surge absorber. In particular, according to the manufacturing method of a surge absorber, a thin film with high purity can be formed as a conductive thin film is formed by a low pressure chemical vapor deposition. Numerical ranges, in which critical threshold of pressure, the deposition temperature, a flow volume ratio, and deposition time in a reactor are recognized, are suggested by the present invention. Therefore, a response speed of the surge absorber can be maximized, and an efficiency of a process can be increased.

    Abstract translation: 本发明涉及浪涌吸收器的制造方法。 特别地，根据浪涌吸收体的制造方法，可以通过低压化学气相沉积形成导电薄膜，形成高纯度的薄膜。 本发明提出了数值范围，其中压力的临界阈值，沉积温度，流动体积比和反应器中的沉积时间被识别。 因此，浪涌吸收器的响应速度可以最大化，并且可以提高处理的效率。

    플라즈마 식각을 이용한 원뿔형 나노 구조물 형성 방법 및 원뿔형 나노 구조물
    8.
    发明授权
    플라즈마 식각을 이용한 원뿔형 나노 구조물 형성 방법 및 원뿔형 나노 구조물 有权
    使用等离子体蚀刻和锥形纳米结构制造锥形纳米结构的方法

    公开(公告)号：KR101539172B1

    公开(公告)日：2015-07-24

    申请号：KR1020140006517

    申请日：2014-01-20

    Applicant: 아주대학교산학협력단

    Inventor： 김창구 ,  조성운

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/31116

    Abstract: 본발명은, 피식각층상에홀 패턴을가지는마스크층을형성하는단계; 상기마스크층의상부면및 상기홀의벽면에제공층을형성하는단계; 및플라즈마식각을통해상기피식각층을식각하는단계를포함하고, 상기제공층은상기플라즈마식각에의해스퍼터되는물질로이뤄지는, 피식각층을식각하는방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用等离子体蚀刻和锥形纳米结构制造锥形纳米结构的方法。 使用等离子体蚀刻制造锥形纳米结构的方法包括以下步骤：在蚀刻层上形成具有孔图案的掩模层; 在所述孔的壁面和所述掩模层的上表面上形成氟碳膜的供给层; 以及通过等离子体蚀刻工艺对蚀刻层进行蚀刻处理。 提供层由等离子体蚀刻工艺溅射的物质组成。

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