公开(公告)号：KR1020130025703A

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020110089180

申请日：2011-09-02

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동림 ,  정주혜 ,  임유승

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/08 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/288

Abstract: PURPOSE: A composition for forming an oxide thin film, a method for manufacturing the oxide thin film, and a method for manufacturing a thin film transistor are provided to control an electric property of the oxide thin film by controlling the amount of light energy and/or the density of oxygenated water in precursor solutions. CONSTITUTION: Precursor solutions are made by mixing precursor materials with oxygenated materials(S110). The precursor solutions are coated on a substrate(S120). The substrate is thermally pre-processed to evaporate the solvents of the precursor solutions(S130). The substrate is thermally post-processed to form an oxide thin film(S140). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Forming precursor solution by mixing precursor materials with oxygenated materials; (S120) Coating the precursor solution on a substrate; (S130) Pre-process; (S140) Post-process; (S150) Supplying light energy

Abstract translation: 目的：提供用于形成氧化物薄膜的组合物，氧化物薄膜的制造方法和薄膜晶体管的制造方法，以通过控制氧化物薄膜的光量和/ 或氧化水在前体溶液中的密度。 构成：前体溶液通过将前体材料与氧化材料混合制成（S110）。 将前体溶液涂布在基材上（S120）。 将基底热预处理以蒸发前体溶液的溶剂（S130）。 将衬底热后处理以形成氧化物薄膜（S140）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）通过将前体材料与含氧材料混合而形成前体溶液; （S120）将前体溶液涂布在基材上; （S130）预处理; （S140）后期处理; （S150）供应光能

公开(公告)号：KR1020120019740A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：KR1020100083136

申请日：2010-08-26

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  임유승 ,  김동림

IPC: H01L21/368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/66969

Abstract: PURPOSE: A composite material for an oxide thin film, a manufacturing method thereof, an electronic device, and the oxide thin film using the same are provided to arrange an oxide semiconductor using a liquid phase, thereby reducing manufacturing costs by simplifying manufacturing processes. CONSTITUTION: A first compound includes tin. A second compound includes zinc. A third compound includes metal which has electro-negativity lower than the zinc. A mole ratio between the first compound and the second compound is 0.1 to 1 from 1 to 0.1. A mole number of the third compound is in a range of a half of the total mole number of the first compound and the second compound.

Abstract translation: 目的：提供一种用于氧化物薄膜的复合材料，其制造方法，电子器件和使用其的氧化物薄膜，以使用液相布置氧化物半导体，从而通过简化制造工艺来降低制造成本。 构成：第一种化合物包括锡。 第二种化合物包括锌。 第三种化合物包括电负性低于锌的金属。 第一化合物和第二化合物之间的摩尔比为1至0.1，为0.1至1。 第三化合物的摩尔数在第一化合物和第二化合物的总摩尔数的一半的范围内。

公开(公告)号：KR1020100090554A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：KR1020090009901

申请日：2009-02-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동림 ,  김시준 ,  김두나

IPC: C01B33/021 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/023 ,  B01J23/04 ,  C01P2004/64

Abstract: PURPOSE: A synthetic method of silicon nanostructure is provided to disperse a catalyst during Wurtz-type coupling reaction, and to perform the synthesis process at the low temperature and the low pressure. CONSTITUTION: A synthetic method of silicon nanostructure using organomonosilane and silicon tetrachloride comprises the following steps: inserting a constant amount of catalyst inside a reactor including a dispersing agent(S100); heating the catalyst to promote the dispersion of the catalyst(S200); inserting the organomonosilane to the reactor to react with the catalyst(S300); and cooling the mixture before adding the silicon tetrachloride to react with the mixture(S400).

Abstract translation: 目的：提供硅纳米结构的合成方法以在Wurtz型偶联反应期间分散催化剂，并在低温和低压下进行合成过程。 构成：使用有机基硅烷和四氯化硅的硅纳米结构的合成方法包括以下步骤：在包含分散剂的反应器内插入恒定量的催化剂（S100）; 加热催化剂以促进催化剂的分散（S200）; 将有机基硅烷插入反应器与催化剂反应（S300）; 并在加入四氯化硅与混合物反应之前冷却混合物（S400）。

公开(公告)号：KR101801845B1

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：KR1020100116897

申请日：2010-11-23

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 정연택 ,  김보성 ,  김영민 ,  김현재 ,  이두형 ,  최태영 ,  이기범 ,  장선필 ,  임유승 ,  조강문 ,  김동림 ,  김시준 ,  김두나

IPC: H01L29/786

Abstract: 본발명의일 실시예에따른산화물반도체의제조방법은주석원소를포함하는제1 화합물을제1 열처리하는단계, 아연, 인듐, 갈륨, 탈륨, 지르코늄으로이루어진군에서적어도하나이상의금속원소를포함하는제2 화합물을제2 열처리하는단계, 무수화처리된제1 화합물및 제2 화합물을혼합한후 유기용매를혼합하여전구체용액을제조하는단계, 전구체용액을기판에도포하여전구체층을형성하는단계, 전구체층을제3 열처리하여산화물반도체를형성하는단계를포함하고, 제1 열처리는 100℃이상제1 화합물의용융점이하의온도에서진행하고, 제2 열처리는 100℃이상제2 화합물의용융점이하의온도에서진행한다.

公开(公告)号：KR101495921B1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：KR1020090009902

申请日：2009-02-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김시준 ,  김동림 ,  김두나

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 액상제조 공정을 이용한 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 및 전극 형성방법에 관한 것으로, 기판 상에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소오스 및 드레인 전극을 포함한 기판 상에 활성층을 형성한 후, 상기 활성층 상에 액상제조 공정을 이용하여 폴리실란 박막을 형성하는 단계와, 상기 폴리실란 박막 상에 게이트 금속층을 형성하는 단계와, 상기 기판의 하측에서 자외선을 조사하여 상기 소오스 및 드레인 전극 사이 영역에 형성된 폴리실란 박막을 게이트 절연막으로 변환시키는 단계와, 열처리 공정을 통해 상기 변환된 게이트 절연막을 제외한 폴리실란 박막을 제거함과 동시에 상기 소오스 및 드레인 전극에 의한 자기 정렬(self-align) 효과에 의해 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 별도의 마스크가 필요 없이 게이트 전극을 형성할 수 있으며, 단순한 제작 공정과 저비용으로 반도체 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.
박막 트랜지스터, 액상제조 공정, 폴리실란 박막, 자외선, 게이트 절연막, 게이트 전극

公开(公告)号：KR101406838B1

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：KR1020120050864

申请日：2012-05-14

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김철호 ,  김득종 ,  정웅희 ,  김동림 ,  임유승

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 멀티-액티브층을 갖는 트랜지스터가 제공된다. 멀티-액티브층은 트랜지스터의 채널로 작용하며, 제1 채널층과 제2 채널층을 포함한다. 제1 채널층이 주로 채널로 작용을 하고, 제2 채널층은 제1 채널층을 보호하고, 소스/드레인 전극과 저항접촉을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020130077116A

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020110145657

申请日：2011-12-29

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 정연택 ,  김보성 ,  이두형 ,  김두나 ,  박은혜 ,  김동림 ,  김현재 ,  임유승 ,  임현수

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C09D5/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/62222 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/449 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  C01G1/02 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L2021/775

Abstract: PURPOSE: A composition for an oxide semiconductor and a method for manufacturing a thin film transistor substrate using the same are provided to prevent environmental contamination by performing an annealing process at a low temperature. CONSTITUTION: A pixel part is formed in a displaying area (DA). The pixel includes a pixel electrode (PE). A gate driving part (GD) is formed in the peripheral area (PA) of the displaying area. The gate driving part sends a gate driving signal to the pixel part. A data driving part (DD) sends a data driving signal to the pixel part.

Abstract translation: 目的：提供一种用于氧化物半导体的组合物和使用其的薄膜晶体管基板的制造方法，以通过在低温下进行退火处理来防止环境污染。 构成：在显示区域（DA）中形成像素部分。 像素包括像素电极（PE）。 在显示区域的周边区域（PA）中形成栅极驱动部（GD）。 栅极驱动部将栅极驱动信号发送到像素部。 数据驱动部（DD）将数据驱动信号发送到像素部。

公开(公告)号：KR1020120055262A

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：KR1020100116897

申请日：2010-11-23

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 정연택 ,  김보성 ,  김영민 ,  김현재 ,  이두형 ,  최태영 ,  이기범 ,  장선필 ,  임유승 ,  조강문 ,  김동림 ,  김시준 ,  김두나

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/324 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor manufacturing method is provided to control an amount of hydrates among a powdered compound, thereby stably securing electrical properties. CONSTITUTION: A first compound which includes tin is first heat-treated(S102). A second compound which includes one or more metal elements among zinc, indium, gallium, thallium, and zirconium is second heat-treated. A precursor solution is manufactured by mixing an organic solvent after mixing the heat-treated first and second compounds(S108). A precursor layer is formed by spraying the precursor solution on a substrate(S110). An oxide semiconductor is formed by third heat-treating the precursor layer(S112).

Abstract translation: 目的：提供一种氧化物半导体制造方法，用于控制粉末化合物中的水合物的量，从而稳定地确保电气性能。 构成：首先对包含锡的第一化合物进行热处理（S102）。 将包含锌，铟，镓，铊和锆中的一种或多种金属元素的第二化合物进行第二热处理。 通过在混合热处理的第一和第二化合物之后混合有机溶剂来制造前体溶液（S108）。 通过将前体溶液喷涂在基材上形成前体层（S110）。 通过对前体层进行第三次热处理形成氧化物半导体（S112）。

公开(公告)号：KR101040449B1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：KR1020090009901

申请日：2009-02-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동림 ,  김시준 ,  김두나

IPC: C01B33/021 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 유기 모노실란과 사염화규소를 이용한 규소 나노 구조체의 합성방법에 관한 것으로, 일정량의 분산매를 포함한 반응용기 내에 일정량의 촉매제를 혼합하는 단계와, 상기 촉매제의 분산을 촉진하기 위해 제1 특정 온도로 가열하는 단계와, 상기 반응용기 내에 유기 모노실란을 혼합하여 부르츠형(Wurtz-type) 커플링 반응에 의해 상기 분산된 촉매제와 반응시키는 단계와, 최종 혼합물을 제2 특정 온도로 하강시킨 후, 상기 반응용기 내에 사염화규소를 혼합하여 상기 분산된 촉매와 반응시켜 규소 나노 구조체를 합성하는 단계를 포함함으로써, 낮은 온도, 낮은 압력에서 규소 나노 구조체의 합성 공정을 수행할 수 있으며, 별도의 표면처리 공정을 수행하지 않고도 규소 나노 구조체의 표면처리를 수행할 수 있는 효과가 있다.
규소, 나노 구조체, 유기 모노실란, 사염화규소, 부르츠형 커플링 반응

公开(公告)号：KR1020100090555A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：KR1020090009902

申请日：2009-02-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김시준 ,  김동림 ,  김두나

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02225 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4232

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing the gate insulating film and the gate electrode of a thin film transistor is provided to cost effectively perform manufacturing processes using a self-aligning effect. CONSTITUTION: An active layer(130) is formed on a substrate including a source electrode and a drain electrode. A polysilane thin film is formed on the active layer using a liquid manufacturing process. A gate metal layer is formed on the polysilane thin film. The polysilane thin film is converted into a gate insulating film(140') by radiating ultraviolet ray toward the lower side of the substrate. The polysilane thin film is eliminated excluding the converted gate insulating film through a thermal treatment process. The gate metal layer is patterned to form a gate electrode(150').

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜晶体管的栅极绝缘膜和栅电极的方法，以便使用自对准效应来成本有效地执行制造工艺。 构成：在包括源电极和漏电极的基板上形成有源层（130）。 使用液体制造工艺在活性层上形成聚硅烷薄膜。 在聚硅烷薄膜上形成栅极金属层。 通过向衬底的下侧辐射紫外线，将聚硅烷薄膜转变成栅极绝缘膜（140'）。 通过热处理工艺除去转化的栅极绝缘膜之外，除去聚硅烷薄膜。 图案化栅极金属层以形成栅电极（150'）。