Abstract:
본 발명의 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물 및 용매를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물을 제공한다. 본 발명의 다른 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물을 용매에 녹인 조성물을 제조하는 단계; 상기 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A composition for an oxide thin film, a manufacturing method thereof, the oxide thin film using the same, and an electronic device are provided to reduce manufacturing costs through simplified manufacturing processes by forming an oxide semiconductor in a solution treatment process. CONSTITUTION: A composition for an oxide thin film includes a metal precursor and a nitrate stabilizer. The metal precursor is selected from a group of metal nitrate, metal nitride, and hydrate thereof. The concentration of the metal precursor is 0.1 to 10 M. The nitrate stabilizer is selected from a group of nitric acid and ammonium nitrate. A molar ratio of the metal precursor to the nitrate stabilizer is 1:1 to 10:1.
Abstract:
본 발명은 액상기반의 산화물 반도체 박막 제작 시에 요구되는 500℃ 이상의 고온 열처리 과정을 거치지 않고 350℃ 이하의 저온에서 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법 및 형성된 산화물 박막을 포함하여 우수한 전기적 특성을 나타내는 전자 소자, 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 350℃ 이하의 저온에서 용기 내에 가스를 이용한 가압 열처리를 통해 저온에서도 액상기반의 산화물 박막의 특성을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
A transistor having a multi-active layer is provided. The multi-active layer works as the channel of the transistor. The transistor comprises a first channel layer and a second channel layer. The first channel layer works as a main channel. The second channel layer protects the first channel layer and forms source/drain electrodes and resistance contact.
Abstract:
PURPOSE: A composition for a crystalline oxide thin film, a method for manufacturing the crystalline oxide thin film using the same, an electronic device using the same, and a thin film transistor are provided to improve current characteristics by performing a low temperature process. CONSTITUTION: Oxide precursor solutions are coated on a substrate (P2). A low temperature process below 350 degrees Centigrade is performed under a pressure atmosphere (P5). One or more gases are used under the pressure atmosphere. A crystalline oxide thin film is formed by the low temperature process between 100 and 350 degrees Centigrade. [Reference numerals] (P1) Producing precursor solution; (P2) Coating precursor solution and forming a thin film; (P3) Thermally pre-treating; (P4) Removing residual organic matter; (P5) Pressurizing and thermally treating at low temperatures
Abstract:
일 측면에 따라 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다. 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법은 주석 산화물 반도체의 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함한다. 이때 형성하고자 하는 상기 주석 산화물 반도체의 반도체 유형(semiconductor type)에 따라 상기 전구체 용액에 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물을 사용할 수 있다.