산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자
    4.
    发明公开
    산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자 有权
    氧化物薄膜的组合物,组合物的制备方法,使用该组合物形成氧化物薄膜的方法和使用组合物的电子装置

    公开(公告)号:KR1020130075463A

    公开(公告)日:2013-07-05

    申请号:KR1020110143833

    申请日:2011-12-27

    Abstract: PURPOSE: A composition for an oxide thin film, a manufacturing method thereof, the oxide thin film using the same, and an electronic device are provided to reduce manufacturing costs through simplified manufacturing processes by forming an oxide semiconductor in a solution treatment process. CONSTITUTION: A composition for an oxide thin film includes a metal precursor and a nitrate stabilizer. The metal precursor is selected from a group of metal nitrate, metal nitride, and hydrate thereof. The concentration of the metal precursor is 0.1 to 10 M. The nitrate stabilizer is selected from a group of nitric acid and ammonium nitrate. A molar ratio of the metal precursor to the nitrate stabilizer is 1:1 to 10:1.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于氧化物薄膜的组合物,其制造方法,使用其的氧化物薄膜和电子器件,以通过在固溶处理工艺中形成氧化物半导体的简化制造工艺来降低制造成本。 构成:用于氧化物薄膜的组合物包括金属前体和硝酸盐稳定剂。 金属前体选自金属硝酸盐,金属氮化物及其水合物。 金属前体的浓度为0.1-10M。硝酸盐稳定剂选自一组硝酸和硝酸铵。 金属前体与硝酸盐稳定剂的摩尔比为1:1〜10:1。

    산화물 반도체 장치 및 그 형성 방법
    6.
    发明公开
    산화물 반도체 장치 및 그 형성 방법 有权
    氧化物半导体及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020130127150A

    公开(公告)日:2013-11-22

    申请号:KR1020120050864

    申请日:2012-05-14

    CPC classification number: H01L29/7869 G02F1/1368 H01L27/1225 H01L27/3262

    Abstract: A transistor having a multi-active layer is provided. The multi-active layer works as the channel of the transistor. The transistor comprises a first channel layer and a second channel layer. The first channel layer works as a main channel. The second channel layer protects the first channel layer and forms source/drain electrodes and resistance contact.

    Abstract translation: 提供具有多有源层的晶体管。 多功能层作为晶体管的通道。 晶体管包括第一沟道层和第二沟道层。 第一个通道层作为主通道。 第二沟道层保护第一沟道层并形成源极/漏极和电阻接触。

    산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터
    7.
    发明公开
    산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터 有权
    用于氧化物薄膜的组合物,形成氧化物薄膜的方法,使用低温压力退火的电气设备和薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1020130106181A

    公开(公告)日:2013-09-27

    申请号:KR1020120027875

    申请日:2012-03-19

    Abstract: PURPOSE: A composition for a crystalline oxide thin film, a method for manufacturing the crystalline oxide thin film using the same, an electronic device using the same, and a thin film transistor are provided to improve current characteristics by performing a low temperature process. CONSTITUTION: Oxide precursor solutions are coated on a substrate (P2). A low temperature process below 350 degrees Centigrade is performed under a pressure atmosphere (P5). One or more gases are used under the pressure atmosphere. A crystalline oxide thin film is formed by the low temperature process between 100 and 350 degrees Centigrade. [Reference numerals] (P1) Producing precursor solution; (P2) Coating precursor solution and forming a thin film; (P3) Thermally pre-treating; (P4) Removing residual organic matter; (P5) Pressurizing and thermally treating at low temperatures

    Abstract translation: 目的:提供一种用于结晶氧化物薄膜的组合物,使用该组合物的结晶氧化物薄膜的制造方法,使用其的电子器件和薄膜晶体管,以通过进行低温处理来改善电流特性。 构成:将氧化物前体溶液涂覆在基材(P2)上。 低于350摄氏度的低温工艺在压力气氛(P5)下进行。 在压力气氛下使用一种或多种气体。 晶体氧化物薄膜通过低温工艺在100和350摄氏度之间形成。 (附图标记)(P1)制造前体溶液; (P2)涂料前体溶液并形成薄膜; (P3)热预处理; (P4)去除残留有机物; (P5)低温加压和热处理

    주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
    10.
    发明公开
    주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법 审中-实审
    形成氧化锡半导体薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020150102761A

    公开(公告)日:2015-09-08

    申请号:KR1020130103425

    申请日:2013-08-29

    Abstract: 일 측면에 따라 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다. 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법은 주석 산화물 반도체의 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함한다. 이때 형성하고자 하는 상기 주석 산화물 반도체의 반도체 유형(semiconductor type)에 따라 상기 전구체 용액에 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물을 사용할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是通过能够控制半导体类型的溶液法提供氧化锡半导体薄膜的形成方法。 提供根据一个方面的氧化锡半导体薄膜的形成方法。 氧化锡半导体薄膜的形成方法包括:制造氧化锡半导体的前体溶液的步骤; 将前体溶液铺展在基材上的步骤; 以及对前体溶液扩散的基板进行热处理的步骤。 此时,根据目的是形成的氧化锡半导体的半导体型,可以在前体溶液中使用具有不同锡价的锡化合物。

Patent Agency Ranking