公开(公告)号：KR101372734B1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：KR1020120015171

申请日：2012-02-15

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김득종 ,  김철호

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 액상공정을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 채널층과, 상기 채널층의 양단에 각각 접촉되는 소오스 및 드레인과, 상기 채널층에 대응하는 게이트와, 상기 채널층과 상기 게이트 사이에 구비된 게이트 절연층을 포함하되, 상기 채널층은 상기 게이트 측으로부터 순차 배열되고, 액상공정으로 제조된 적어도 2개의 산화물 반도체층을 구비하며, 상기 게이트 측으로부터 먼 쪽에 구비된 산화물 반도체층 중 적어도 어느 하나의 산화물 반도체층은 상기 게이트 층에 인접한 산화물 반도체층보다 산소공공(oxygen vacancy) 억제물질의 함량이 높게 형성됨으로써, 기존의 단일 채널보다 박막의 밀도를 높여 소자 특성 및 신뢰성 향상을 도모할 수 있으며, 채널 상부 노출에 의한 외부 환경에 민감한 소자특성(누설 전류의 증가)을 효 과적으로 개선시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130127150A

公开(公告)日：2013-11-22

申请号：KR1020120050864

申请日：2012-05-14

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김철호 ,  김득종 ,  정웅희 ,  김동림 ,  임유승

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: A transistor having a multi-active layer is provided. The multi-active layer works as the channel of the transistor. The transistor comprises a first channel layer and a second channel layer. The first channel layer works as a main channel. The second channel layer protects the first channel layer and forms source/drain electrodes and resistance contact.

Abstract translation: 提供具有多有源层的晶体管。 多功能层作为晶体管的通道。 晶体管包括第一沟道层和第二沟道层。 第一个通道层作为主通道。 第二沟道层保护第一沟道层并形成源极/漏极和电阻接触。

公开(公告)号：KR101406838B1

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：KR1020120050864

申请日：2012-05-14

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김철호 ,  김득종 ,  정웅희 ,  김동림 ,  임유승

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 멀티-액티브층을 갖는 트랜지스터가 제공된다. 멀티-액티브층은 트랜지스터의 채널로 작용하며, 제1 채널층과 제2 채널층을 포함한다. 제1 채널층이 주로 채널로 작용을 하고, 제2 채널층은 제1 채널층을 보호하고, 소스/드레인 전극과 저항접촉을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020130093922A

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：KR1020120015171

申请日：2012-02-15

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김득종 ,  김철호

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02623 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor using a liquid phase process and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristics and reliability of a device by increasing the density of a thin film through a multilayer channel structure in comparison to a single channel structure. CONSTITUTION: A source (500) and a drain (600) are in contact with both ends of a channel layer (400). A gate (200) corresponds to the channel layer. A gate insulating layer (300) is formed between the channel layer and the gate. The channel layer includes a plurality of oxide semiconductor layers (400a,400b,400c) manufactured by a liquid phase process. At least one oxide semiconductor layer included in the channel layer includes a ZnO-based oxide semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供一种使用液相工艺的薄膜晶体管及其制造方法，以通过与单通道结构相比通过多层通道结构增加薄膜的密度来提高器件的特性和可靠性。 构成：源（500）和漏极（600）与沟​​道层（400）的两端接触。 门（200）对应于沟道层。 在沟道层和栅极之间形成栅极绝缘层（300）。 沟道层包括通过液相法制造的多个氧化物半导体层（400a，400b，400c）。 包括在沟道层中的至少一个氧化物半导体层包括ZnO基氧化物半导体。