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公开(公告)号：KR1020150006284A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130079897
申请日：2013-07-08
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/02554 , H01L21/02623 , H01L21/324 , H01L29/26
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물 및 용매를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물을 용매에 녹인 조성물을 제조하는 단계; 상기 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다.Abstract translation: 根据本发明的一个方面，用于氧化锡半导体的组合物包括锡前体化合物，锑前体化合物和溶剂。 根据本发明的一个方面，一种形成氧化锡半导体薄膜的方法包括以下步骤：制备其中锡前体化合物和锑前体化合物溶于溶剂中的组合物; 将组合物施用在基材上; 并在施加组合物的基底上进行热处理。
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公开(公告)号：KR20210024987A
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR20200115688
申请日：2020-09-09
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L27/11551 , H01L21/324 , H01L27/11521 , H01L29/786
Abstract: 반도체장치는교대로적층된도전막들및 절연막들을포함하는적층물; 상기적층물을관통하는채널막; 상기채널막과상기적층물의사이에개재되고, 서로다른자성을갖는제1 금속과제2 금속을포함한금속산화물을포함하는터널절연막; 및상기터널절연막과상기적층물의사이에개재된데이터저장막을포함하고, 상기터널절연막은상기채널막과인접한내측부및 상기데이터저장막과인접한외측부를포함하는단일막이고, 상기외측부는상기제1 금속이풍부하고(M1-rich) 상기내측부는상기제2 금속이풍부(M2-rich)할수 있다.
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公开(公告)号：KR102245781B1
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：KR1020200115688
申请日：2020-09-09
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L29/786 , H01L21/324
Abstract: 반도체장치는교대로적층된도전막들및 절연막들을포함하는적층물; 상기적층물을관통하는채널막; 상기채널막과상기적층물의사이에개재되고, 서로다른자성을갖는제1 금속과제2 금속을포함한금속산화물을포함하는터널절연막; 및상기터널절연막과상기적층물의사이에개재된데이터저장막을포함하고, 상기터널절연막은상기채널막과인접한내측부및 상기데이터저장막과인접한외측부를포함하는단일막이고, 상기외측부는상기제1 금속이풍부하고(M1-rich) 상기내측부는상기제2 금속이풍부(M2-rich)할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102235595B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020130079897
申请日：2013-07-08
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L29/786
Abstract: 본발명의일 측면에따라주석전구체화합물, 안티몬전구체화합물및 용매를포함하는주석산화물반도체형성용조성물을제공한다. 본발명의다른일 측면에따라주석전구체화합물, 안티몬전구체화합물을용매에녹인조성물을제조하는단계; 상기조성물을기판에도포하는단계; 및상기조성물이도포된기판을열처리하는단계를포함하는주석산화물반도체박막의형성방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR102217043B1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：KR1020180131335
申请日：2018-10-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
Abstract: 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판, 상기기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 상기게이트절연층상에형성된 p형산화물반도체박막, 상기 p형산화물반도체박막의상부에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극및 상기소스전극및 상기드레인전극이형성된상기 p형산화물반도체박막상에형성된패시베이션(passivation)층을포함하고, 상기 p형산화물반도체박막은제1 열처리를통하여활성화되며, 상기 p형산화물반도체박막은상기패시베이션층이형성된후 제2 열처리를통하여상기 p형산화물반도체박막의백 채널(back channel)이선택적으로산화됨으로써상변화되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020160108630A
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020150030151
申请日：2015-03-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/326 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/477 , H01L21/479 , H01L29/42356 , H01L29/7869 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은박막활성화방법, 박막트랜지스터제조방법및 기판처리장치에관한것으로, 보다구체적으로전기에너지를이용하여박막을활성화하는방법, 박막트랜지스터를제조하는방법그리고기판을처리하는장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른박막활성화방법은박막에전기에너지를공급하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法和基板处理装置，其可以应用于具有低热阻的基板上。 更具体地说，本发明涉及一种薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及使用电能处理衬底的装置。 根据本发明的实施例，薄膜激活方法包括向薄膜提供电能的步骤。
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公开(公告)号：KR1020150102761A
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：KR1020130103425
申请日：2013-08-29
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/208
CPC classification number: H01L29/24 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 일 측면에 따라 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다. 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법은 주석 산화물 반도체의 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함한다. 이때 형성하고자 하는 상기 주석 산화물 반도체의 반도체 유형(semiconductor type)에 따라 상기 전구체 용액에 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물을 사용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明的目的是通过能够控制半导体类型的溶液法提供氧化锡半导体薄膜的形成方法。 提供根据一个方面的氧化锡半导体薄膜的形成方法。 氧化锡半导体薄膜的形成方法包括：制造氧化锡半导体的前体溶液的步骤; 将前体溶液铺展在基材上的步骤; 以及对前体溶液扩散的基板进行热处理的步骤。 此时，根据目的是形成的氧化锡半导体的半导体型，可以在前体溶液中使用具有不同锡价的锡化合物。
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公开(公告)号：KR101446290B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020140036874
申请日：2014-03-28
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a flexible biosensor using a solution process. The method for manufacturing a biosensor according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a gate and an insulation layer on a substrate; coating a metal compound solution on an insulation layer; forming a metal oxide thin film from the metal compound solution by thermally treating the substrate at 280-300°C; and forming a source and a drain on the metal oxide thin film, wherein the metal compound oxide solution includes 0.3-0.6 g of an acid material for 10 ml of the solution.
Abstract translation: 本发明涉及使用溶液法制造柔性生物传感器的方法。 根据本发明实施例的生物传感器的制造方法包括在基板上形成栅极和绝缘层的步骤; 在绝缘层上涂覆金属化合物溶液; 通过在280-300℃下热处理基板从金属化合物溶液形成金属氧化物薄膜; 以及在所述金属氧化物薄膜上形成源极和漏极，其中所述金属复合氧化物溶液包含0.3-0.6g用于10ml所述溶液的酸性材料。
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