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公开(公告)号：WO2022154368A1
公开(公告)日：2022-07-21
申请号：PCT/KR2022/000195
申请日：2022-01-06
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 스트레처블 디스플레이 구동 장치는 스트레처블 디스플레이에 디스플레이 하고자 하는 데이터를 포함하는 제1 픽셀 구동 신호를 생성하도록 구성되는 제1 픽셀 구동 신호 생성 모듈; 상기 제1 픽셀 구동 신호를 수신하여 상기 제1 픽셀을 구동하도록 구성되는 제1 픽셀 구동 회로; 상기 스트레처블 디스플레이의 인장 여부에 따라 구동 여부가 결정될 수 있는 제2 픽셀을 구동하도록 구성되는 제2 픽셀 구동 회로; 및 상기 제1 픽셀 구동 신호 및 전원 신호를 수신하고, 상기 스트레처블 디스플레이의 인장 여부에 따라 생성된 인장 여부 신호를 기반으로 상기 제1 픽셀 구동 신호 및 상기 전원 신호 중 어느 하나를 이용하여 상기 제2 픽셀 구동 회로에 인가할 제2 픽셀 구동 신호를 생성하도록 구성되는 제2 픽셀 구동 신호 생성 모듈을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020116702A1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：PCT/KR2018/015659
申请日：2018-12-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 쌍극자층을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연층, 산화물 채널층, 쌍극자(Dipole) 층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 쌍극자(Dipole) 층은 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine, PEI) 용액이 상기 산화물 채널층과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 중 적어도 하나의 사이에 증착되어 형성되고, 상기 사이에서 전기쌍극자를 형성하는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2021091020A1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：PCT/KR2020/001066
申请日：2020-01-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L27/11568 , H01L29/78 , H01L29/66
Abstract: 본 실시예들은 점성을 갖는 유기물 잔여물을 통해 채널과 게이트 절연체 사이에 인터페이스 트랩을 형성하고, 빛의 파장을 변화시킴으로써, 하나의 게이트를 이용하여 메모리를 멀티 레벨로 동작시킬 수 있는 비휘발성 멀티레벨 광 메모리 및 그 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2022154357A1
公开(公告)日：2022-07-21
申请号：PCT/KR2022/000118
申请日：2022-01-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 인장 정도에 따라 해상도 보정이 가능한 신축성 디스플레이 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 신축성 디스플레이 장치는: 신축성 기판; 상기 신축성 기판 상에 이격되어 배치되는 제1 발광 소자들을 포함하는 제1 발광 화소들; 상기 신축성 기판 상에 상기 제1 발광 화소들의 사이에 배치되고, 상기 신축성 기판의 인장에 따라 인장되어 변형되는 변형 스위치부들; 및 상기 신축성 기판 상에 상기 제1 발광 화소들의 사이에 배치되는 제2 발광 소자들을 포함하는 제2 발광 화소들;을 포함한다. 상기 제2 발광 화소들은 상기 변형 스위치부들의 물리적 변형에 따라 발광 제어된다.
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公开(公告)号：KR102217043B1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：KR1020180131335
申请日：2018-10-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
Abstract: 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판, 상기기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 상기게이트절연층상에형성된 p형산화물반도체박막, 상기 p형산화물반도체박막의상부에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극및 상기소스전극및 상기드레인전극이형성된상기 p형산화물반도체박막상에형성된패시베이션(passivation)층을포함하고, 상기 p형산화물반도체박막은제1 열처리를통하여활성화되며, 상기 p형산화물반도체박막은상기패시베이션층이형성된후 제2 열처리를통하여상기 p형산화물반도체박막의백 채널(back channel)이선택적으로산화됨으로써상변화되는것을특징으로한다.
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