-
1.发明专利
公开(公告)号：KR20210024987A
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020200115688A
申请日：2020-09-09
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L27/11551 , H01L21/324 , H01L27/11521 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/11551 , H01L21/324 , H01L27/11521 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 반도체 장치는 교대로 적층된 도전막들 및 절연막들을 포함하는 적층물; 상기 적층물을 관통하는 채널막; 상기 채널막과 상기 적층물의 사이에 개재되고, 서로 다른 자성을 갖는 제1 금속과 제2 금속을 포함한 금속 산화물을 포함하는 터널절연막; 및 상기 터널절연막과 상기 적층물의 사이에 개재된 데이터 저장막을 포함하고, 상기 터널 절연막은 상기 채널막과 인접한 내측부 및 상기 데이터 저장막과 인접한 외측부를 포함하는 단일막이고, 상기 외측부는 상기 제1 금속이 풍부하고(M1-rich) 상기 내측부는 상기 제2 금속이 풍부(M2-rich)할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR102235595B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020130079897A
申请日：2013-07-08
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L29/786
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물 및 용매를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물을 용매에 녹인 조성물을 제조하는 단계; 상기 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다.-
公开(公告)号：WO2020116702A1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：PCT/KR2018/015659
申请日：2018-12-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 쌍극자층을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연층, 산화물 채널층, 쌍극자(Dipole) 층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 쌍극자(Dipole) 층은 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine, PEI) 용액이 상기 산화물 채널층과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 중 적어도 하나의 사이에 증착되어 형성되고, 상기 사이에서 전기쌍극자를 형성하는 기술에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR101715250B1
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150030152
申请日：2015-03-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/449 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: 본발명은박막활성화방법, 박막트랜지스터제조방법및 기판처리장치에관한것으로, 보다구체적으로진동에너지를이용하여박막을활성화하는방법, 박막트랜지스터를제조하는방법그리고기판을처리하는장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른박막활성화방법은박막에진동에너지를공급하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及能够应用于耐热性低的基板的基板处理装置。 更具体地，本发明涉及一种薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及使用振动能量处理衬底的装置。 根据本发明的实施例，薄膜激活方法包括向薄膜提供振动能量的步骤。
-
公开(公告)号：KR102216132B1
公开(公告)日：2021-02-16
申请号：KR1020190104670
申请日：2019-08-26
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L29/786 , H01L21/324
Abstract: 반도체장치는교대로적층된도전막들및 절연막들을포함하는적층물; 상기적층물을관통하고, 금속산화물계반도체를포함하는제1 채널막; 및상기제1 채널막내에형성되고, 상기금속산화물계반도체를포함하는제2 채널막을포함하고, 상기제1 채널막은상기제2 채널막에비해산소함량이높고상기제2 채널막에비해두께가얇을수 있다.
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR102035392B1
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：KR1020170149555
申请日：2017-11-10
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/324
-
公开(公告)号：KR101829970B1
公开(公告)日：2018-02-19
申请号：KR1020160012152
申请日：2016-02-01
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 산화물박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 반도체활성층으로서산화물반도체층, 및상기산화물반도체층상에형성된소스및 드레인전극을포함하고, 상기산화물반도체층은 300℃미만의열 및인가되는자기장의자기선속의변화로부터활성화되고, 상기활성화는상기자기선속의변화로부터상기산화물반도체층내에발생한맴돌이전류로부터생성되는줄열과, 상기 300℃미만의열로부터활성화에너지를공급받아수행된다.
-
公开(公告)号：KR1020170091309A
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020160012152
申请日：2016-02-01
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 산화물박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 반도체활성층으로서산화물반도체층, 및상기산화물반도체층상에형성된소스및 드레인전극을포함하고, 상기산화물반도체층은 300℃미만의열 및인가되는자기장의자기선속의변화로부터활성화되고, 상기활성화는상기자기선속의변화로부터상기산화물반도체층내에발생한맴돌이전류로부터생성되는줄열과, 상기 300℃미만의열로부터활성화에너지를공급받아수행된다.
Abstract translation: 公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的栅极绝缘层，作为半导体活性层的氧化物半导体层以及形成在氧化物半导体层上的源电极和漏电极， 其中氧化物半导体层由于小于300的热量变化和施加于其上的磁基线而被激活，并且由于磁线的变化而由氧化物半导体层中产生的涡流产生的涡电流产生激活， Lt能量“。
-
公开(公告)号：KR1020160108631A
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020150030152
申请日：2015-03-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/449 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/449 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은박막활성화방법, 박막트랜지스터제조방법및 기판처리장치에관한것으로, 보다구체적으로진동에너지를이용하여박막을활성화하는방법, 박막트랜지스터를제조하는방법그리고기판을처리하는장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른박막활성화방법은박막에진동에너지를공급하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及能够应用于耐热性低的基板的基板处理装置。 更具体地，本发明涉及一种薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及使用振动能量处理衬底的装置。 根据本发明的实施例，薄膜激活方法包括向薄膜提供振动能量的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.024 seconds)
