정전기력을 이용하여 구동되는 나노 트위저 및 그 제조방법
    11.
    发明公开
    정전기력을 이용하여 구동되는 나노 트위저 및 그 제조방법 失效
    静电致动纳米二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080007756A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:KR1020060066790

    申请日:2006-07-18

    CPC classification number: B82B3/0004 B81B7/00

    Abstract: An electrostatically actuated nano tweezer is provided to actuate the nano tweezer at a relatively lower drive voltage and fabricate the nano tweezer in a variety of shapes through a simplified fabrication process. A nano tweezer fabrication method includes the steps of: forming a first electrode(122) and a second electrode(124), which are electrically insulated and arranged on a substrate at a preset distance apart from other; forming a first and a second arm extended in parallel on the first and second electrodes by FIB-Vapor deposition; and wire-bonding the first and second electrodes, respectively. A beam of the nano tweezer including a filler portion(132) and an arm portion is formed on each of the electrodes. A space between beams of the nano tweezers varies depending on length and angle of the filler portion.

    Abstract translation: 提供一种静电致动纳米镊子,以相对较低的驱动电压致动纳米镊子,并通过简化的制造工艺制造各种形状的纳米镊子。 纳米镊子制造方法包括以下步骤:形成第一电极(122)和第二电极(124),所述第一电极(122)和第二电极(124)以预定距离与其他电极绝缘并布置在基底上; 通过FIB蒸气沉积形成在所述第一和第二电极上平行延伸的第一和第二臂; 并分别对第一和第二电极进行引线接合。 在每个电极上形成包括填充部分(132)和臂部分的纳米镊子的束。 纳米镊子的梁之间的间隔根据填料部分的长度和角度而变化。

    미세구조물의 FIB(Focused IonBeam)가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법,가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치
    12.
    发明授权
    미세구조물의 FIB(Focused IonBeam)가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법,가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치 失效
    用于制造微结构的薄膜离子束制造误差数据的方法,使用错误减少数据的微结构的FIB制造方法和用于微结构的FIB制造的系统的方法

    公开(公告)号:KR100787536B1

    公开(公告)日:2007-12-21

    申请号:KR1020060046074

    申请日:2006-05-23

    Abstract: 본 발명은 미세구조물의 집속이온빔(Focused Ion Beam:이하 FIB라 한다) 가공시의 가공오차 보정데이터의 산출방법, 가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB 가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, FIB를 이용하여 미세구조물을 가공하고, 재부착에 의해 발생하는 가공오차에 대한 보정데이터를 생성하며, 그 가공오차 보정데이터를 이후의 가공에 적용하여 한번에 효과적으로 목표한 형상을 가공하게 할 수 있는, 미세구조물의 FIB 가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법, 가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB 가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, FIB 가공 후, 화상처리기법을 이용하여 재부착된 재료형태를 정확히 측정하고, 이에 따른 FIB 수정가공을 행하는 제어 알고리즘을 통하여, 재부착에 의한 가공오차 보정데이터를 산출하고, 이에 따라 향후 대량생산 시에는 상기 보정데이터를 이용한 FIB 가공으로써, 고가의 가스(gas)를 이용할 필요없이, 의도했던 정확한 형상으로 다양한 재료의 미세구조물에 대하여 효율적인 가공을 할 수 있다.
    집속이온빔, 미세구조물 가공, 가공오차 보정

    미세구조물의 FIB(Focused IonBeam)가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법,가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치
    13.
    发明公开
    미세구조물의 FIB(Focused IonBeam)가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법,가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치 失效
    用于在FIB(聚焦离子束)中制造误差数据的方法微结构的制造,使用错误减少数据的微结构的FIB制造方法和用于FIB制造微结构的系统的方法

    公开(公告)号:KR1020070113352A

    公开(公告)日:2007-11-29

    申请号:KR1020060046074

    申请日:2006-05-23

    CPC classification number: G06F19/00 G06Q50/04 H01J37/3056

    Abstract: A method for producing error correction data in the FIB fabrication of a micro structure, a method for the FIB fabrication of the micro structure using the error correction data, and an apparatus for the FIB fabrication of the micro structure applying the error correction data are provided to measure accurately a shape of re-deposited material by using image processing technique after the FIB fabrication and produce the error correction data by re-deposition through a control algorithm, and perform the FIB fabrication by using the error correction data in next mass production, thereby enabling the efficient processing of the micro structure of various materials with an intended shape without using expensive gas. A method for producing error correction data in the FIB fabrication of a micro structure comprises the following steps of: initializing an error cumulative value(302); irradiating FIB(Focused Ion Beam) which can be processed as much as an intended pocket depth for the micro structure(308,309); measuring depth from the surface of material before processing to the surface of material re-deposited within the pocket and a value that is a deduction from the pocket depth to the processing depth(311); progressing a next process when the re-deposition error is within a set permitted limit and repeating processes from the second process after adding the re-deposition error to the error cumulative value when the re-deposition error is not within the set permitted limit(315); and storing a value, which is a sum of the error cumulative value for the micro structure and the pocket depth, as the error correction data(316).

    Abstract translation: 提供了微结构的FIB制造中的纠错数据的制造方法,使用误差校正数据的微结构的FIB制造方法以及应用误差校正数据的微结构的FIB制造装置 通过FIB制作后的图像处理技术精确测量再沉积材料的形状,并通过控制算法进行再沉积生成误差校正数据,并通过使用后续批量生产中的纠错数据进行FIB制作, 从而能够在不使用昂贵的气体的情况下以期望的形状有效地处理各种材料的微结构。 在微结构的FIB制造中产生纠错数据的方法包括以下步骤:初始化误差累积值(302); 照射可以处理微结构(308,309)的预期袋深度的FIB(聚焦离子束); 测量从处理前的材料表面到再次沉积在口袋内的材料的表面的深度以及从凹穴深度到加工深度(311)的扣除值; 当重新沉积误差在设定的允许极限内时,当重新沉积误差在设定的允许极限内时进行下一个处理,并且当重新沉积误差不在设定的允许极限内时,将重新沉积误差加到重新沉积误差之后重复来自第二过程的处理(315 ); 并将作为微结构的误差累积值和凹坑深度的和的值存储为纠错数据(316)。

    다양한 필기감을 가지는 햅틱 스타일러스 펜
    14.
    发明公开
    다양한 필기감을 가지는 햅틱 스타일러스 펜 有权
    触觉式笔具有各种手写感

    公开(公告)号:KR1020170018658A

    公开(公告)日:2017-02-20

    申请号:KR1020150112566

    申请日:2015-08-10

    Abstract: 본발명의일 측면은다양한필기감을가지는햅틱스타일러스펜에관한것으로, 더욱상세하게는테블릿컴퓨터또는스마트폰 등에적용되고, 다양한필기감구현이가능한햅틱스타일러스펜에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 사용자가원하는데로볼펜, 연필등 필기구를종이, 천등의필기면에사용할때 느낄수 있는다양한종류의필기감을전달할수 있는스타일러스펜을제공한다.

    위상변조기를 이용한 휴대용 홀로그래픽 현미경 및 이를 구비한 모바일 기기
    15.
    发明授权
    위상변조기를 이용한 휴대용 홀로그래픽 현미경 및 이를 구비한 모바일 기기 有权
    便携式数字全息显微镜使用移相器和具有相同功能的移动设备

    公开(公告)号:KR101428741B1

    公开(公告)日:2014-08-11

    申请号:KR1020120122448

    申请日:2012-10-31

    Abstract: 본 발명은 측정 대상물의 3차원 이미지를 고해상도로 실시간 관찰이 가능하고, 저렴한 비용을 들여 간단하고 콤팩트한 구조로 제작할 수 있는 휴대용 홀로그래픽 현미경에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 광을 발생하는 광원; 상기 광원의 후방측 광경로상에 구비되며 상기 광원에서 발생된 광을 필터링하는 핀홀; 상기 핀홀을 통과한 평행광을 2개의 광경로로 분리하는 광분리기; 상기 광분리기를 통해 반사된 광을 반사시켜 주는 반사판; 상기 반사판을 거쳐 반사된 광의 위상을 조절하는 위상변조기; 상기 반사판을 통해 반사된 광과 측정 대상체의 정보를 내재한 광을 검출하여 영상신호로 변환하는 이미지 센서; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    능동 근접장 간극제어가 가능한 고속 마스크리스 나노리소그래피 방법, 이에 사용되는 나노 개구 기반 광학렌즈 및 광학헤드
    18.
    发明公开
    능동 근접장 간극제어가 가능한 고속 마스크리스 나노리소그래피 방법, 이에 사용되는 나노 개구 기반 광학렌즈 및 광학헤드 有权
    基于近场,基于纳米孔径的基于光学眼镜的光学透镜和光学头的主动空气隙控制的高速MASKLESS NANOLITHOGRAPHY方法

    公开(公告)号:KR1020120092223A

    公开(公告)日:2012-08-21

    申请号:KR1020110012121

    申请日:2011-02-11

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F7/70275

    Abstract: PURPOSE: A high speed maskless nano lithography method controlling an active near field air gap, a nano aperture based optical lens and an optical head are provided to stably perform a maskless nano lithography on a wafer. CONSTITUTION: A nano metal film(422) is combined with a bottom of a lens body(421). The nano metal film includes a nano aperture(422a). The aperture is formed with a ridge, circular, or square shape. An exposure beam(21) passes through the nano metal film and is exposed to a wafer(50). An air control beam(11) passes through the circumference of the nano metal film and forms an evanescent wave to control an air gap.

    Abstract translation: 目的:提供一种控制有源近场气隙的高速无掩模纳米光刻方法,纳米孔径光学透镜和光学头,以在晶片上稳定地进行无掩模纳米光刻。 构成:将纳米金属膜(422)与透镜体(421)的底部结合。 纳米金属膜包括纳米孔(422a)。 孔形成有脊,圆形或正方形。 曝光光束(21)通过纳米金属膜并暴露于晶片(50)。 空气控制光束(11)穿过纳米金属膜的圆周并形成消逝波以控制气隙。

    나노 금속 구조물의 도트 크기 조절 방법을 이용한 나노 금속 구조물의 제조 방법
    19.
    发明授权
    나노 금속 구조물의 도트 크기 조절 방법을 이용한 나노 금속 구조물의 제조 방법 有权
    使用纳米金属结构的尺寸控制方法制造纳米金属结构的手段

    公开(公告)号:KR101163638B1

    公开(公告)日:2012-07-06

    申请号:KR1020090085307

    申请日:2009-09-10

    Abstract: 본 발명은 나노 금속 구조물의 도트(dot) 크기 조절 방법을 이용한 나노 금속 구조물의 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 본 발명은 i) 이온의 조사 간격 및 조사량에 따른 기판상에 형성되는 금속 구조물의 나노 도트 크기 수치 데이터들의 선형 함수를 통하여 해당 금속의 문턱 이온 조사량을 결정하는 제1단계, 및 ii) 상기 문턱 이온 조사량을 초과하는 이온 주입량을 가지는 조사 범위가 기판상에 형성하고자 하는 금속 구조물의 나노 도트 크기와 일치하도록, 금속 층에 조사되는 이온 조사량을 조절하는 제2단계를 포함하는 나노 금속 구조물의 도트 크기 조절 방법을 이용한 나노 금속 구조물의 제조 방법에 대한 것이다.
    나노, 금속, 이온 빔, 문턱 이온 조사량, 도트

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