Abstract:
An electrostatically actuated nano tweezer is provided to actuate the nano tweezer at a relatively lower drive voltage and fabricate the nano tweezer in a variety of shapes through a simplified fabrication process. A nano tweezer fabrication method includes the steps of: forming a first electrode(122) and a second electrode(124), which are electrically insulated and arranged on a substrate at a preset distance apart from other; forming a first and a second arm extended in parallel on the first and second electrodes by FIB-Vapor deposition; and wire-bonding the first and second electrodes, respectively. A beam of the nano tweezer including a filler portion(132) and an arm portion is formed on each of the electrodes. A space between beams of the nano tweezers varies depending on length and angle of the filler portion.
Abstract:
본 발명은 미세구조물의 집속이온빔(Focused Ion Beam:이하 FIB라 한다) 가공시의 가공오차 보정데이터의 산출방법, 가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB 가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, FIB를 이용하여 미세구조물을 가공하고, 재부착에 의해 발생하는 가공오차에 대한 보정데이터를 생성하며, 그 가공오차 보정데이터를 이후의 가공에 적용하여 한번에 효과적으로 목표한 형상을 가공하게 할 수 있는, 미세구조물의 FIB 가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법, 가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB 가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, FIB 가공 후, 화상처리기법을 이용하여 재부착된 재료형태를 정확히 측정하고, 이에 따른 FIB 수정가공을 행하는 제어 알고리즘을 통하여, 재부착에 의한 가공오차 보정데이터를 산출하고, 이에 따라 향후 대량생산 시에는 상기 보정데이터를 이용한 FIB 가공으로써, 고가의 가스(gas)를 이용할 필요없이, 의도했던 정확한 형상으로 다양한 재료의 미세구조물에 대하여 효율적인 가공을 할 수 있다. 집속이온빔, 미세구조물 가공, 가공오차 보정
Abstract:
A method for producing error correction data in the FIB fabrication of a micro structure, a method for the FIB fabrication of the micro structure using the error correction data, and an apparatus for the FIB fabrication of the micro structure applying the error correction data are provided to measure accurately a shape of re-deposited material by using image processing technique after the FIB fabrication and produce the error correction data by re-deposition through a control algorithm, and perform the FIB fabrication by using the error correction data in next mass production, thereby enabling the efficient processing of the micro structure of various materials with an intended shape without using expensive gas. A method for producing error correction data in the FIB fabrication of a micro structure comprises the following steps of: initializing an error cumulative value(302); irradiating FIB(Focused Ion Beam) which can be processed as much as an intended pocket depth for the micro structure(308,309); measuring depth from the surface of material before processing to the surface of material re-deposited within the pocket and a value that is a deduction from the pocket depth to the processing depth(311); progressing a next process when the re-deposition error is within a set permitted limit and repeating processes from the second process after adding the re-deposition error to the error cumulative value when the re-deposition error is not within the set permitted limit(315); and storing a value, which is a sum of the error cumulative value for the micro structure and the pocket depth, as the error correction data(316).
Abstract:
본 발명은 측정 대상물의 3차원 이미지를 고해상도로 실시간 관찰이 가능하고, 저렴한 비용을 들여 간단하고 콤팩트한 구조로 제작할 수 있는 휴대용 홀로그래픽 현미경에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 광을 발생하는 광원; 상기 광원의 후방측 광경로상에 구비되며 상기 광원에서 발생된 광을 필터링하는 핀홀; 상기 핀홀을 통과한 평행광을 2개의 광경로로 분리하는 광분리기; 상기 광분리기를 통해 반사된 광을 반사시켜 주는 반사판; 상기 반사판을 거쳐 반사된 광의 위상을 조절하는 위상변조기; 상기 반사판을 통해 반사된 광과 측정 대상체의 정보를 내재한 광을 검출하여 영상신호로 변환하는 이미지 센서; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
고분자 확산 반사판 및 이 반사판 제조를 위한 고분자 수지 조성물을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 고분자 확산 반사판은, 결정성 수지로 이루어진 고분자 수지를 기반으로 하며, 블로우 성형법을 이용해 상기 고분자 수지를 2차원 평면 또는 3차원 입체형상으로 가공 형성됨을 요지로 하며, 이를 제조하기 위한 고분자 수지 조성물은, 결정성 수지 86 ~ 99.9 중량%; 티타늄 디옥사이드(TiO2) 0.1 ~ 14 중량%;로 이루어지는 것을 요지로 한다.
Abstract:
능동 근접장 간극제어가 가능한 플라즈모닉 고체침지렌즈를 이용한 고속 마스크리스 나노리소그래피 방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 능동 근접장 간극제어가 가능한 고속 마스크리스 나노리소그래피 방법은, 나노 사이즈의 개구(aperture)를 가지는 나노 금속필름이 내부에 형성된 광학렌즈로 빔을 조사하면서, 개구를 투과한 빔에 의해 노광을 수행함과 동시에, 나노 금속필름 둘레를 투과한 빔에 의해 광학렌즈 바닥면에 형성된 소멸파(evanescent wave)의 반사광량을 측정하여 간극제어를 수행한다.
Abstract:
PURPOSE: A high speed maskless nano lithography method controlling an active near field air gap, a nano aperture based optical lens and an optical head are provided to stably perform a maskless nano lithography on a wafer. CONSTITUTION: A nano metal film(422) is combined with a bottom of a lens body(421). The nano metal film includes a nano aperture(422a). The aperture is formed with a ridge, circular, or square shape. An exposure beam(21) passes through the nano metal film and is exposed to a wafer(50). An air control beam(11) passes through the circumference of the nano metal film and forms an evanescent wave to control an air gap.
Abstract:
본 발명은 나노 금속 구조물의 도트(dot) 크기 조절 방법을 이용한 나노 금속 구조물의 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 본 발명은 i) 이온의 조사 간격 및 조사량에 따른 기판상에 형성되는 금속 구조물의 나노 도트 크기 수치 데이터들의 선형 함수를 통하여 해당 금속의 문턱 이온 조사량을 결정하는 제1단계, 및 ii) 상기 문턱 이온 조사량을 초과하는 이온 주입량을 가지는 조사 범위가 기판상에 형성하고자 하는 금속 구조물의 나노 도트 크기와 일치하도록, 금속 층에 조사되는 이온 조사량을 조절하는 제2단계를 포함하는 나노 금속 구조물의 도트 크기 조절 방법을 이용한 나노 금속 구조물의 제조 방법에 대한 것이다. 나노, 금속, 이온 빔, 문턱 이온 조사량, 도트
Abstract:
PURPOSE: A polymeric diffuse reflective plate and a polymer resin composition for manufacturing the same are provided to enable a wide effective roughness range to be ensured at high diffuse reflectance of light since TiO2(Titanium Dioxide) is mixed with crystalline resin at an appropriate ratio. CONSTITUTION: A polymeric diffuse reflective plate contains polymeric resin formed from crystalline resin. The polymeric resin is processed as a 2D plane or a 3D shape using a blow molding technique.