환기 장치, 회로 어셈블리 및 그 제어방법

    公开(公告)号:WO2022045563A1

    公开(公告)日:2022-03-03

    申请号:PCT/KR2021/008449

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 본 발명은 판넬 및 모터가 마련된 장치에 있어서, 특정 구동 조건과 독립적으로 판넬 개방 시 모터의 동작을 중단 시키고 판넬 개방 상황을 사용자에게 알릴 수 있는 환기 장치, 회로 어셈블리 및 그 제어방법을 제공한다. 일 실시예에 따른 회로 어셈블리는 판넬이 본체에 결합되면 닫히고 상기 판넬의 적어도 일부분이 상기 본체와 분리되면 개방되는 스위치; 및 상기 스위치가 개방되면 동작이 중단되는 모터; 상기 스위치와 연결되고 상기 스위치의 개방에 대응하여 알림 신호를 출력하는 마이컴;을 포함한다.

    조리 기기
    12.
    发明申请
    조리 기기 审中-公开

    公开(公告)号:WO2021241930A1

    公开(公告)日:2021-12-02

    申请号:PCT/KR2021/006178

    申请日:2021-05-18

    Abstract: 본 발명의 사상에 따른 조리기기는 조리실, 조리실에 인출 가능하게 마련되고 제1방향을 따라 구획된 복수의 조리영역을 갖는 선반, 제1방향을 따라 이격 배치되는 복수의 히터 및 복수의 히터 상부에서 상기 복수의 히터를 개별적으로 수용하도록 일 측이 개방된 곡면을 포함하는 복수의 반사부를 갖는 열반사판을 포함하고 복수의 히터는 독립적으로 제어되어 복수의 반사부로부터 반사된 열이 상기 복수의 조리영역에 서로 다르게 공급된다.

    조리기기
    13.
    发明申请
    조리기기 审中-公开
    烹饪器具

    公开(公告)号:WO2016190589A1

    公开(公告)日:2016-12-01

    申请号:PCT/KR2016/005226

    申请日:2016-05-18

    CPC classification number: H05B6/766 F24C15/04 H05B6/6414 H05B6/6417 H05B6/763

    Abstract: 조리실 내부에서 발생되는 전자파가 외부로 누출되지 않도록 차단하면서 조리 중에 조리실 내부를 잘 볼 수 있도록 가시성을 향상시킬 수 있는 개선된 구조를 가지는 조리기기로서, 조리기기는, 조리실을 가지는 본체 및 상기 조리실을 개폐하도록 상기 본체의 전면에 배치되는 도어를 포함하고, 상기 도어는, 상기 조리실 내부를 볼 수 있도록 마련된 개구를 가지는 도어프레임, 상기 개구를 커버하도록 배치되고, 전자파를 차단하도록 구성되는 차폐부재, 및 상기 도어프레임과의 사이에 상기 차폐부재를 두고 상기 도어프레임과 결합하도록 배치되는 고정부재를 포함한다.

    Abstract translation: 烹饪装置具有改进的结构,能够防止在烹饪室内产生的电磁波泄漏到其外部,并且提高可见度,使得在烹饪期间可以很好地看到烹饪室的内部,并且烹饪装置包括:主体, 烹饪室和设置在主体的前表面以便打开/关闭烹饪室的门,其中门包括:门框,其具有设置成可以看到烹饪室的内部的开口; 屏蔽构件,其设置成覆盖所述开口,并且被构造成阻挡电磁波; 以及固定构件,其设置成联接到所述门框,所述屏蔽构件位于所述固定构件和所述门框之间。

    전자 장치 및 그 제어 방법
    14.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2023058835A1

    公开(公告)日:2023-04-13

    申请号:PCT/KR2022/007406

    申请日:2022-05-25

    Abstract: 본 전자 장치는 적어도 하나의 명령을 저장하는 메모리 및 메모리와 연결되어 전자 장치를 제어하는 프로세서를 포함하며, 프로세서는 적어도 하나의 명령어를 실행함으로써, 복수의 사용자 별 컨텐츠 시청 이력 정보에 기초하여 시청 컨텐츠가 시간 순으로 배열되는 복수의 사용자 별 그래프 정보를 획득하고, 복수의 사용자 별 그래프 정보를 그래프 신경망(Graph Neural Network, GNN) 모델에 입력하여 컨텐츠 별 속성 정보를 획득하고, 복수의 사용자 별 그래프 정보 및 컨텐츠 별 속성 정보에 기초하여 복수의 사용자를 복수의 시청 그룹으로 그룹핑하고, 복수의 시청 그룹에 대응되는 컨텐츠 정보에 기초하여 추천 컨텐츠를 제공한다.

    전자 장치 및 전자 장치의 프로소디 제어를 위한 TTS 모델 생성 방법

    公开(公告)号:WO2022231126A1

    公开(公告)日:2022-11-03

    申请号:PCT/KR2022/003710

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 다양한 실시예에 따른 전자 장치는 인스터럭션들을 포함하는 메모리; 및 상기 메모리와 전기적으로 연결되고, 상기 인스트럭션들을 실행하기 위한 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서에 의해 상기 인스트럭션들이 실행될 때, 상기 프로세서는, 복수의 음소를 포함하는 학습 데이터를 수신하고, 상기 학습 데이터의 상기 복수의 음소 각각에 대한 프로소디의 값을 결정하고, 상기 복수의 음소에 대한 프로소디의 값들에 기초하여 상기 복수의 음소에 대한 군집화를 수행하여 복수의 프로소디 군집들을 결정하고, 상기 학습 데이터에 포함된 텍스트에 대응하는 음소열을 추출하고, 상기 텍스트의 발화에 대한 프로소디의 값들에 기초하여 상기 복수의 프로소디 군집들 중 하나를 선택하여 상기 발화에 대응하는 프로소디 군집 인덱스열을 추출하고, 상기 음소열 및 상기 프로소디 군집 인덱스열에 기초하여 TTS(text-to-speech) 모델을 생성할 수 있다. 그 외에도 다양한 실시예들이 가능할 수 있다.

    조리 기기
    16.
    发明申请
    조리 기기 审中-公开
    烹饪器具

    公开(公告)号:WO2016035971A1

    公开(公告)日:2016-03-10

    申请号:PCT/KR2015/004609

    申请日:2015-05-08

    CPC classification number: F24C15/325 H05B6/6473

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 조리 기기는, 케이싱, 케이싱 내부에 마련되고, 복수개의 토출홀이 형성된 토출 플레이트를 포함하는 조리실, 조리실 바닥면에서 음식물을 지지하도록 마련되는 트레이 및 토출홀을 통해 조리실 내부로 고온의 공기를 토출시키도록 구성되는 열풍 토출 유닛을 포함하고, 복수개의 토출홀은 트레이와 마주하는 제1 영역에 형성된다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的烹饪装置包括:壳体; 设置在所述壳体内的烹饪室,具有在其上形成有多个排出孔的排出板; 设置在烹饪室的底表面上以支撑食物的托盘; 以及热空气排出单元,其经由所述排出孔将高温空气排出到所述烹饪室的内部,其中,所述多个排出孔形成在面向所述托盘的第一区域中。

    전자 장치 및 그 제어 방법
    17.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021125557A1

    公开(公告)日:2021-06-24

    申请号:PCT/KR2020/015671

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 전자 장치의 제어 방법이 개시된다. 본 개시에 따른 제어 방법은 분류값 예측 모듈을 포함하는 제1 신경망 모델을 획득하여 메모리에 저장하는 단계, 전이 학습(transfer learning)을 분류값 예측 모듈을 포함하는 제2 신경망 모델을 획득하는 단계, 제2 신경망 모델을 이용하여 제1 데이터 및 제2 데이터 간의 전이 가능성(transferability)을 획득하는 단계, 및 획득된 전이 가능성을 바탕으로 제2 신경망 모델을 재학습시키는 단계를 포함한다.

    낸드형 플래시 메모리 어레이 및 그 동작 방법
    18.
    发明公开
    낸드형 플래시 메모리 어레이 및 그 동작 방법 有权
    NAND型闪存阵列及其工作方法

    公开(公告)号:KR1020060128567A

    公开(公告)日:2006-12-14

    申请号:KR1020050050108

    申请日:2005-06-11

    CPC classification number: G11C16/0483 H01L27/115 G11C16/0408

    Abstract: A NAND-type flash memory array and an operating method thereof are provided to reduce program disturbance by using a body biasing contact region connected to an active region on a lower portion of a side of a second select gate line. At least one bit line(B/L0,B/L1) is formed on an SOI substrate. A first select transistor, plural memory cells, and a second select transistor are serially connected to each bit line by their geared sources and drains. The source of the second select transistor is electrically connected to a common source line(CSL) vertically arranged to the bit line. A gate of the first select transistor and a gate of the second select transistor are respectively connected to a first select gate line(SSL) and a second select gate line(GSL) arranged to be crossed with the bit line. Gates of the memory cells are respectively connected to plural word lines(W/L0,W/L1) arranged to be crossed with the bit line. A body biasing contact region(BBC) is connected to an active region on a lower portion of a side of the second select gate line.

    Abstract translation: 提供NAND型闪速存储器阵列及其操作方法以通过使用与第二选择栅极线的一侧的下部的有源区连接的主体偏置接触区域来减少编程干扰。 在SOI衬底上形成至少一个位线(B / L0,B / L1)。 第一选择晶体管,多个存储单元和第二选择晶体管通过其齿轮源和排水管串联连接到每个位线。 第二选择晶体管的源极电连接到垂直地布置到位线的公共源极线(CSL)。 第一选择晶体管的栅极和第二选择晶体管的栅极分别连接到布置成与位线交叉的第一选择栅极线(SSL)和第二选择栅极线(GSL)。 存储单元的门分别连接到布置成与位线交叉的多个字线(W / L0,W / L1)。 主体偏置接触区域(BBC)连接到第二选择栅线的一侧的下部的有源区域。

    에스오아이의 바디 바이어싱 구조
    19.
    发明授权
    에스오아이의 바디 바이어싱 구조 有权
    身体偏置结构

    公开(公告)号:KR100603721B1

    公开(公告)日:2006-07-24

    申请号:KR1020050050107

    申请日:2005-06-11

    Abstract: 본 발명은 SOI 기판 상에 직렬 연결된 소자의 바디 바이어싱 구조에 관한 것으로, 공통 소스/드레인 영역의 정션 깊이를 얕게 만듦으로써, 통상적인 벌크 MOSFET처럼 하나의 바디 바이어싱 콘택만으로도 여러 개의 소자에 대해 바디 바이어싱을 가능하게 하여 SOI 기판의 플로팅 바디 효과(floating body effect)를 제거하는 효과가 있다.
    SOI, 바디, 바이어스, 플로팅

    Abstract translation: 本发明涉及在SOI衬底上串联连接的元件的体偏置结构,并且通过使公共源极/漏极区域的结深度浅,可以提供一种体 从而实现偏置并消除SOI衬底的浮体效应。

    낸드형 플래시 메모리 어레이 및 그 동작 방법
    20.
    发明授权
    낸드형 플래시 메모리 어레이 및 그 동작 방법 有权
    NAND型闪存存储器阵列及其操作方法

    公开(公告)号:KR100735929B1

    公开(公告)日:2007-07-06

    申请号:KR1020050050108

    申请日:2005-06-11

    CPC classification number: G11C16/0483 H01L27/115

    Abstract: 본 발명은 SOI 기판에서 얕은 정션 깊이를 갖는 NAND형 플래시 메모리 어레이 및 그 동작 방법에 관한 것으로, 메모리 셀의 채널이 켜질 때 바디 영역이 완전히 공핍되도록 얇게 제작된 SOI 기판 위에 얕은 정션을 갖는 메모리 셀로 NAND형 플래시 메모리 어레이를 구성함으로써, 리드 동작 시의 성능 향상은 물론, SOI구조에서 이레이즈 동작이 가능하도록 하며, 프로그램 동작 시에 종래의 NAND형 플래시 메모리 어레이에서 사용되던 높은 V
    PASS 전압 대신 낮은 V
    PASS 전압 사용을 가능하게 하여 종래 보다 프로그램 간섭(disturbance)을 효과적으로 줄이는 방법을 제공한다.
    SOI, NAND, 플래시, 메모리, 어레이, 동작

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