公开(公告)号：KR1020150047661A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：KR1020130126536

申请日：2013-10-23

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  김민성

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0326 ,  H01L21/02258 ,  H01L31/0352

Abstract: 양극산화플레이트를이용하여제조되는 3차원구조의광흡수층을포함하는태양전지제조방법이개시된다. 하부구조의후면전극층상에알루미늄을적층한후 양극산화를통해다수개의나노홀또는다수개의나노기둥을가지는템플릿을형성한다. 템플릿의다수개의나노홀또는다수개의나노기둥에 CZTS 전구체물질을충전시킨후 템플릿을제거하여전구체박막을형성한다. 전구체박막을황화또는셀렌화분위기에서열처리하여 3차원구조의광흡수층을형성한다. 나아가, 열처리를수행하기전에양극산화중에후면전극층상에형성된산화물을제거한후 상술한열처리를수행할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造具有由阳极氧化模板制造的3D结构的光吸收层的太阳能电池的方法。 在铝层叠在底部结构的后电极层上之后，通过阳极氧化形成具有多个纳米孔或纳米柱的模板。 在CZTS前体材料填充在模板的纳米孔或纳米柱中后，通过去除模板形成前体薄膜。 3D结构的光吸收层是通过在硫化或硒化物气氛下热处理前体薄膜而形成的。 此外，在热处理之前，在阳极氧化工艺中除去在后电极层上形成的氧化物之后进行热处理。

公开(公告)号：KR101515301B1

公开(公告)日：2015-04-27

申请号：KR1020130112099

申请日：2013-09-17

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  이정용 ,  문종하 ,  신승욱 ,  김선훈 ,  김태언

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种使用激光光刻制造具有三维结构光吸收层的太阳能电池的方法。 这是一种形成用于部分或步骤的暴露表面的柱状前体层中的所有的光吸收层的步骤和所述下部结构，以形成具有多个暴露的部分为下部结构的表面暴露于下部结构的光致抗蚀剂掩模 并且光刻胶掩模的形成使用激光光刻。 这种激光光刻可以以经济的制造成本精确地形成三维结构的各种光吸收层。

公开(公告)号：KR1020150032439A

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：KR1020130112099

申请日：2013-09-17

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  이정용 ,  문종하 ,  신승욱 ,  김선훈 ,  김태언

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

Abstract: 레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种使用激光光刻制造具有3D结构的光吸收层的太阳能电池的方法。 根据本发明的具有3D结构的光吸收层的太阳能电池的制造方法包括以下步骤：用多个曝光部分形成光致抗蚀剂掩模以暴露底部结构上的底部结构的表面; 并且在底部结构的暴露表面上形成用于部分或全部光吸收层的柱型前体层。 激光光刻用于形成光致抗蚀剂掩模，并且这种激光光刻可以精确地形成具有经济制造成本的3D结构的各种光吸收层。

公开(公告)号：KR101404243B1

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020120118079

申请日：2012-10-23

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  임원빈 ,  신승욱 ,  이정용

IPC: H01L31/042 ,  C09K11/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 형광체를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다. 태양전지는 후면 전극, 광흡수층, 버퍼층, 투명전극층 및 전면 전극이 순차 적층된 구조를 가지며, 상기 버퍼층 및 투명전극층 중 적어도 어느 하나는 형광체를 포함하고, 태양전지의 제조방법은 기판 상에 후면 전극, 광흡수층, 버퍼층, 투명전극층 및 전면 전극을 순차로 형성하되, 상기 버퍼층 및 상기 투명전극층 중 적어도 어느 하나에 형광체가 포함되도록 형성하여 투명전극층 및/또는 버퍼층에서 손실되는 파장 대역의 광을 흡수한 후 방출하여 광흡수층에 공급함으로써 약 500nm ∼ 800nm의 가시광선 파장 대역의 광흡수량을 증가시켜, 태양전지의 광전류 밀도를 향상시키고, 이는 태양전지의 광전변환 효율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140056408A

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120118079

申请日：2012-10-23

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  임원빈 ,  신승욱 ,  이정용

IPC: H01L31/042 ,  C09K11/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  C09K11/08 ,  H01L31/18

Abstract: A solar cell including a phosphor and a method for manufacturing the same are provided. The solar cell has a structure of a rear electrode, a light absorption layer, a buffer layer, a transparent electrode layer, and a front electrode sequentially stacked, wherein at least one of the buffer layer and the transparent electrode layer includes a phosphor. The method for manufacturing the solar cell: sequentially forms the rear electrode, the absorption layer, the buffer layer, the transparent electrode layer, and the front layer on a substrate, forms at least one of the buffer layer and the transparent electrode layer to include the phosphor; and increases photocurrent density of the solar cell by increasing an amount of light absorption in a visible wavelength band of approximately 500-800 nanometers by supplying the light with a wavelength band lost in the transparent electrode layer and/or the buffer layer to the light absorption layer by absorbing and emitting the light, thereby can improve photoelectric conversion efficiency of the solar cell.

Abstract translation: 提供了包括磷光体的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池具有依次堆叠的后电极，光吸收层，缓冲层，透明电极层和前电极的结构，其中缓冲层和透明电极层中的至少一个包括磷光体。 太阳能电池的制造方法：在基板上依次形成后电极，吸收层，缓冲层，透明电极层和前层，形成缓冲层和透明电极层中的至少一个，包括 磷光体 并且通过将在透明电极层和/或缓冲层中丢失的波长带的光提供到光吸收，通过增加约500-800纳米的可见波长带中的光吸收量来增加太阳能电池的光电流密度 通过吸收和发射光，从而可以提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：KR101384415B1

公开(公告)日：2014-04-14

申请号：KR1020120050293

申请日：2012-05-11

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  케이브이구라브 ,  문종하 ,  신승욱 ,  씨디록한드

IPC: G01N27/12 ,  G08B21/16

Abstract: 가스센서 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의한 가스센서는 p형 박막형 화합물 반도체층을 채용하여 화학적으로 안정하고, 신속하게 검출 대상 가스를 검지할 수 있으며, p형 박막형 화합물 반도체층의 치밀한 특성과 n형 다공성 화합물 반도체층의 다공질 특성으로 pn 접합 계면에서 가스 분자의 화학 반응이 용이하게 일어날 수 있고, 반응 시간 및 회복 시간이 감소될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 가스센서의 제조방법은 기판 상에 p형 화합물 반도체용 전구체 박막을 스퍼터링하여 증착하고, 전구체 박막을 열처리하는 단계를 통해 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하며, CBD(chemical bath deposition)법을 이용하여 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 n형 금속 산화물 나노로드를 성장시키는 단계를 통해 n형 다공성 화합물 반도체층을 형성하여 간단하고 용이하게 우수한 특성을 갖는 가스센서를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR101307994B1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：KR1020100086651

申请日：2010-09-03

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 신승욱 ,  김진혁 ,  문종하 ,  한준희 ,  최두선 ,  이정용

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 본 발명은 광흡수 나노입자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 독성물질을 사용하지 않아 친환경적이면서도 보다 저가의 공정을 통해 태양전지 박막에 사용될 수 있는 광흡수 나노입자 전구체 및 그 제조방법과 그 전구체를 이용한 고품질 광흡수 나노입자 및 그 나노입자 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020120105682A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020110023272

申请日：2011-03-16

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  신승욱 ,  이정용 ,  문종하 ,  이경훈

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: PURPOSE: A quaternary zinc oxide thin film, a method for manufacturing the same, and an electronic device comprising the same are provided to obtain a quaternary zinc oxide thin film with bandgap energy of 3.7eV or greater and a low specific resistance of 10^-3Ωcm through co-doping of magnesium and group III elements. CONSTITUTION: A quaternary zinc oxide thin film comprises magnesium and one or more of group III elements consisting of indium, gallium, and aluminum. In order to implement co-doping, the doping concentration of magnesium is fixed while the doping concentration of the group III element is controlled. The resistance value of the group III element ranges from 10×10^-3Ωcm to 7×10^-4Ωcm. [Reference numerals] (AA) Generally used TCO material ·Low specific resistance ·Wide band-gap energy ·In is rare metal and too expensive ·Low chemical thermal stability; (BB) ZnO is an inexpensive material ·ZnO has low specific resistance ·Using ZnO doped with group III element primarily·Expressing superior optical, electric characteristics(3.5-3.6eV, 10^-4Ωcm); (CC) Mg is a generally used band-gap engineering element ·Band-gap energy(3.3eV-5.0eV) of an MZO thin film ·High specific resistance(10^5Ωcm); (DD) Band-gap arrangement problem of a TCO (3.5eV)/ZnS(3.65eV)/CIGS(1.5eV)/Mo structure ·Embodiment of UV-LED( 10^-4Ωcm) is necessary

Abstract translation: 目的：提供四次氧化锌薄膜，其制造方法及其制造方法，以获得具有3.7eV以上的带隙能量和10 ^以下的电阻率的四次氧化锌薄膜， 通过镁和III族元素的共掺杂，3Ωcm。 构成：四氧化锌薄膜包含镁和由铟，镓和铝组成的III族元素中的一种或多种。 为了实现共掺杂，镁的掺杂浓度固定，同时控制III族元素的掺杂浓度。 III族元素的电阻值范围为10×10 ^-3Ωcm至7×10 ^-4Ωcm。 （参考号）（AA）一般使用的TCO材料·低电阻率·宽带隙能量·稀有金属太贵·化学品热稳定性低; （BB）ZnO是一种便宜的材料·ZnO具有低电阻率·主要使用掺杂III族元素的ZnO·表现出优异的光电特性（3.5-3.6eV，10 ^-4Ωcm）; （CC）Mg是通常使用的带隙工程元素·MZO薄膜的带隙能量（3.3eV-5.0eV）·高电阻率（10 ^5Ωcm）; （DD）TCO（3.5eV）/ ZnS（3.65eV）/ CIGS（1.5eV）/ Mo结构的带隙排列问题·UV-LED（<3.7eV）的实施例。 （EE）对新的TCO材料（带隙能量：<3.75eV，电阻率> 10 ^-4Ωcm）的研究是必要的

公开(公告)号：KR1020120017719A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：KR1020100080491

申请日：2010-08-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 신승욱 ,  김진혁 ,  문종하 ,  박찬영 ,  김새록 ,  이정용

IPC: B82B3/00 ,  B01J19/08

Abstract: PURPOSE: A copper-zinc-tin-sulfur-selenium(CZTSS)-based nano-particle precursor, a method for manufacturing the same, the CZTSS-based nano-particles using the same, and a method for manufacturing the nano-particles are provided to synthesize the CZTSS-based nano-particle precursor by hardly using toxic materials. CONSTITUTION: A CZTSS-based nano-particle precursor is synthesized by irradiating microwave to a reacting solution containing copper, zinc, tin, and sulfur. The composition ratio of the copper, the zinc, the tin, the sulfur is adjusted according to the pH value of the reacting solution. The microwave irradiation is implemented for 5 minutes to 1 hours under 100-700W. A method for manufacturing the CZTSS-based nano-particle precursor includes the following: the reacting solution is prepared; the pH value of the reacting solution is adjusted; the microwave is irradiated to the reacting solution. The CZTSS nano-particle precursor is separated.

Abstract translation: 目的：一种基于铜 - 锌 - 锡 - 硫 - 硒（CZTSS）的纳米颗粒前体及其制备方法，使用该纳米颗粒的CZTSS基纳米颗粒及其制备方法 提供用于通过几乎不使用有毒材料合成基于CZTSS的纳米颗粒前体。 构成：通过将微波照射到含有铜，锌，锡和硫的反应溶液中来合成基于CZTSS的纳米颗粒前体。 根据反应溶液的pH值调节铜，锌，锡，硫的组成比。 微波照射在100-700W下实施5分钟至1小时。 制造基于CZTSS的纳米颗粒前体的方法包括：制备反应溶液; 调整反应溶液的pH值; 将微波照射到反应溶液。 分离CZTSS纳米颗粒前体。

公开(公告)号：KR1020110112977A

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020100032248

申请日：2010-04-08

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 신승욱 ,  김진혁 ,  문종하 ,  박찬영 ,  강소라

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 본 발명은 CZTS 나노입자(Cu
2 ZnSnS
4 nano-particle) 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 독성물질을 사용하지 않고 Cu
2 ZnSnS
4 나노입자 전구체를 합성하는 제조방법, 그 방법으로 제조된 전구체 및 제조된 전구체를 황화 열처리 하여 고품질 Cu
2 ZnSnS
4 나노입자를 제조하는 방법 및 제조된 고품질 Cu
2 ZnSnS
4 나노입자에 관한 것이다.