산화아연 나노 구조체가 형성된 발광 다이오드
    1.
    发明公开
    산화아연 나노 구조체가 형성된 발광 다이오드 有权
    具有ZNO纳米结构的发光二极管

    公开(公告)号:KR1020110074445A

    公开(公告)日:2011-06-30

    申请号:KR1020100128502

    申请日:2010-12-15

    CPC classification number: H01L33/22 H01L33/285 H01L2933/0083

    Abstract: PURPOSE: A light-emitting diode of having ZnO nano-structure is provided to improve a light extraction efficiency by applying nano photonic crystal structure of the zinc oxide material to the upper part of a light-emitting structure. CONSTITUTION: In a light-emitting diode of having ZnO nano-structure, a light-emitting structure(120) is formed on a substrate(100). The light-emitting structure is comprised of a buffer layer(121), an n-type junction layer(123), a light-emitting layer(125), and a p-type junction layer(127). An current diffusion layer(130) is formed on the light-emitting structure. A seed layer(140) is formed on the current diffusion layer. A nano photonic crystal(170) is formed on the seed layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种具有ZnO纳米结构的发光二极管,通过将氧化锌材料的纳米光子晶体结构应用于发光结构的上部来提高光提取效率。 构成:在具有ZnO纳米结构的发光二极管中,在基板(100)上形成发光结构(120)。 发光结构由缓冲层(121),n型结层(123),发光层(125)和p型结层(127)构成。 在发光结构上形成电流扩散层(130)。 种子层(140)形成在电流扩散层上。 在种子层上形成纳米光子晶体(170)。

    홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의제조방법
    2.
    发明公开
    홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의제조방법 无效
    使用HOLOGRAM LITHOGRAPHY制备氧化锌纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR1020100010796A

    公开(公告)日:2010-02-02

    申请号:KR1020080071837

    申请日:2008-07-23

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using the hologram lithography is provided to manufacture simply arranged zinc oxide nanostructures without expensive equipment and to obtain various nanostructures such as nanocrystal, nanorod and nanoholes. CONSTITUTION: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using a hologram lithography comprises: a step of forming a photoresist(PR) layer in the top of the substrate; a first exposure step of making uniform form by exposing the photoresist layer through the hologram lithography; a second exposure step of exposing the photoresist layer which is the first exposure photoresist layer to obtain uniform form by using the hologram lithography after rotating substrate at the constant angle; the step of forming a nano pattern by developing the photoresist layer; a step of growing the zinc oxide(ZnO) nanostructures on the top of the substrate by using a hydrothermal synthesis method.

    Abstract translation: 目的:提供使用全息图光刻制造氧化锌纳米结构的方法,制造简单排列的氧化锌纳米结构,无需昂贵的设备,并可获得纳米晶体,纳米棒和纳米孔等各种纳米结构。 构成:通过使用全息图光刻制造氧化锌纳米结构的方法包括:在衬底的顶部形成光致抗蚀剂(PR)层的步骤; 通过曝光光致抗蚀剂层通过全息图光刻制造均匀形式的第一曝光步骤; 第二曝光步骤,在以恒定角度旋转基板之后,通过使用全息图光刻将作为第一曝光光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂层曝光以获得均匀的形状; 通过显影光致抗蚀剂层形成纳米图案的步骤; 通过使用水热合成法在衬底的顶部上生长氧化锌(ZnO)纳米结构的步骤。

    나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법
    3.
    发明授权
    나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법 有权
    柔性基材中的纳米结构及其制备方法

    公开(公告)号:KR101417753B1

    公开(公告)日:2014-07-14

    申请号:KR1020120064797

    申请日:2012-06-18

    Abstract: 본 발명은 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법은, 플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 상에 산화아연 나노구조물을 제작하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층에 대하여 제1차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판에 대하여 제2차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 및 상기 산화아연 나노구조물에 대하여 제3차 에칭을 수행하는 단계를 포함한다. 이에 의하여 나노패턴이 직접 형성된 플렉서블 기판을 획득할 수 있다.

    홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
    4.
    发明公开
    홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법 无效
    使用HOLOGRAM LITHOGRAPHY制备氧化锌纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR1020130100929A

    公开(公告)日:2013-09-12

    申请号:KR1020130076542

    申请日:2013-07-01

    Abstract: PURPOSE: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography is provided to simply produce the arranged zinc oxide nanostructure without using an expensive device. CONSTITUTION: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography comprises the following steps: forming a photoresist layer on a substrate; firstly exposing the photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography; secondly exposing the firstly exposed photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography after rotating the substrate into a predetermined angle; forming a nanopattern by developing the photoresist layer; growing the zinc oxide nanostructure on the substrate using a hydrothermal synthesis method; and removing the photoresist layer.

    Abstract translation: 目的:提供使用全息图光刻的氧化锌纳米结构的制造方法,以简单地生产排列的氧化锌纳米结构而不使用昂贵的器件。 构成:使用全息图光刻的氧化锌纳米结构的制造方法包括以下步骤:在基板上形成光致抗蚀剂层; 首先使用全息光刻法将光致抗蚀剂层曝光成预定形式; 其次,在将衬底旋转到预定角度之后,使用全息图光刻将第一曝光的光致抗蚀剂层暴露于预定形式; 通过显影光致抗蚀剂层形成纳米图案; 使用水热合成法在衬底上生长氧化锌纳米结构; 并除去光致抗蚀剂层。

    태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법
    5.
    发明授权
    태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법 有权
    太阳能电池用光吸收层及其制造方法

    公开(公告)号:KR100994830B1

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:KR1020090015444

    申请日:2009-02-24

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CIS 또는 CIGS화합물로 이루어진 박막에 SiO
    2 또는 SiN
    x 화합물을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 통하여 상기 박막에 증착함으로써, 셀렌(Se)조성을 일정하게 조절하여 높은 수율을 갖는 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    태양전지, 광흡수층, CIS, CIGS, 셀레나이제이션(Selenization), Se(Selenium)

    나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법
    6.
    发明公开
    나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법 有权
    柔性基材中的纳米结构及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020130141809A

    公开(公告)日:2013-12-27

    申请号:KR1020120064797

    申请日:2012-06-18

    Abstract: The present invention relates to a flexible substrate with a nanopattern and a manufacturing method thereof. The method for manufacturing the flexible substrate with the nanopattern according to the present invention includes the steps of: forming a zinc oxide buffer layer on the flexible substrate; manufacturing a zinc oxide nanostructure on the zinc oxide buffer layer; performing a first etching process on the zinc oxide buffer layer; performing a second etching process on the flexible substrate by using the zinc oxide nanostructure as a mask; and performing a third etching process on the zinc oxide buffer layer and the zinc oxide nanostructure. Therefore, the flexible substrate on which the nanopattern is directly formed is obtained. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S11) Form a zinc oxide buffer layer on the flexible substrate;(S12) Manufacture a zinc oxide nanostructure on the zinc oxide buffer layer;(S13) Perform a first etching process on the zinc oxide buffer layer;(S14) Perform a second etching process on the flexible substrate by using the zinc oxide nanostructure as a mask;(S15) Perform a third etching process on the zinc oxide buffer layer and the zinc oxide nanostructure;(S16) Obtain a flexible substrate with nanopatterns

    Abstract translation: 本发明涉及具有纳米图案的柔性基板及其制造方法。 根据本发明的具有纳米图案的柔性基板的制造方法包括以下步骤:在柔性基板上形成氧化锌缓冲层; 在氧化锌缓冲层上制造氧化锌纳米结构; 对氧化锌缓冲层进行第一蚀刻工艺; 通过使用氧化锌纳米结构作为掩模在柔性基板上进行第二蚀刻工艺; 对氧化锌缓冲层和氧化锌纳米结构进行第三蚀刻处理。 因此,获得了直接形成纳米图案的柔性基板。 (AA)开始;(BB)结束;(S11)在柔性基板上形成氧化锌缓冲层;(S12)在氧化锌缓冲层上制造氧化锌纳米结构体;(S13)进行第一蚀刻 (S14)通过使用氧化锌纳米结构作为掩模对柔性基板进行第二蚀刻处理(S15)对氧化锌缓冲层和氧化锌纳米结构进行第三蚀刻处理; (S16)用纳米图案获得柔性基板

    산화아연 나노 구조체가 형성된 발광 다이오드
    7.
    发明授权
    산화아연 나노 구조체가 형성된 발광 다이오드 有权
    具有ZnO纳米结构的发光二极管

    公开(公告)号:KR101203324B1

    公开(公告)日:2012-11-20

    申请号:KR1020100128502

    申请日:2010-12-15

    Abstract: 산화아연 재질의 나노 광 결정이 형성된 발광 다이오드가 개시된다. 나노 광 결정을 형성하기 위해 전류 확산층 또는 발광 구조체 상부에는 씨앗층이 형성된다. 특히, 발광 구조체 상부에 형성되는 씨앗층은 전류 확산층의 기능을 동시에 수행한다. 이를 위해 씨앗층은 알루미늄이 도핑된 산화아연인 AZO로 구성된다. 나노 광 결정은 씨앗층 상부에 홀로그램 리소그래피를 통해 형성된 나노 패턴에 의해 소정의 주기로 형성된다.

    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법
    8.
    发明授权
    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법 有权
    一种制造具有通过激光光刻形成的三维光吸收层的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR101515301B1

    公开(公告)日:2015-04-27

    申请号:KR1020130112099

    申请日:2013-09-17

    Abstract: 레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种使用激光光刻制造具有三维结构光吸收层的太阳能电池的方法。 这是一种形成用于部分或步骤的暴露表面的柱状前体层中的所有的光吸收层的步骤和所述下部结构,以形成具有多个暴露的部分为下部结构的表面暴露于下部结构的光致抗蚀剂掩模 并且光刻胶掩模的形成使用激光光刻。 这种激光光刻可以以经济的制造成本精确地形成三维结构的各种光吸收层。

    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법
    9.
    发明公开
    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법 有权
    使用激光光刻制造吸收层薄膜三维结构的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020150032439A

    公开(公告)日:2015-03-26

    申请号:KR1020130112099

    申请日:2013-09-17

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/04

    Abstract: 레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种使用激光光刻制造具有3D结构的光吸收层的太阳能电池的方法。 根据本发明的具有3D结构的光吸收层的太阳能电池的制造方法包括以下步骤:用多个曝光部分形成光致抗蚀剂掩模以暴露底部结构上的底部结构的表面; 并且在底部结构的暴露表面上形成用于部分或全部光吸收层的柱型前体层。 激光光刻用于形成光致抗蚀剂掩模,并且这种激光光刻可以精确地形成具有经济制造成本的3D结构的各种光吸收层。

    태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법
    10.
    发明公开
    태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법 有权
    用于太阳能电池的光吸收层及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100096533A

    公开(公告)日:2010-09-02

    申请号:KR1020090015444

    申请日:2009-02-24

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: An optical absorption layer for a solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability and yield by depositing SiO2 or the SiNx compound on a thin film through a PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) method. CONSTITUTION: A predetermined amount of Se is deposited on a thin film according to composition ratio(S100). A protective layer is formed on the deposited Se(S200). The thin film is heat-treated(S300). The protective layer is removed by an etching process(S400). A ternary thin film includes CIS or CIGS. The protective layer is formed by depositing SiO2 or SiNx.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于太阳能电池的光吸收层及其制造方法,以通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方法将SiO 2或SiN x化合物沉积在薄膜上来提高可靠性和产率。 构成:按照组成比将预定量的Se沉积在薄膜上(S100)。 在沉积的Se上形成保护层(S200)。 对薄膜进行热处理(S300)。 通过蚀刻工艺去除保护层(S400)。 三元薄膜包括CIS或CIGS。 保护层通过沉积SiO 2或SiN x形成。

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