Abstract:
PURPOSE: A light-emitting diode of having ZnO nano-structure is provided to improve a light extraction efficiency by applying nano photonic crystal structure of the zinc oxide material to the upper part of a light-emitting structure. CONSTITUTION: In a light-emitting diode of having ZnO nano-structure, a light-emitting structure(120) is formed on a substrate(100). The light-emitting structure is comprised of a buffer layer(121), an n-type junction layer(123), a light-emitting layer(125), and a p-type junction layer(127). An current diffusion layer(130) is formed on the light-emitting structure. A seed layer(140) is formed on the current diffusion layer. A nano photonic crystal(170) is formed on the seed layer.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using the hologram lithography is provided to manufacture simply arranged zinc oxide nanostructures without expensive equipment and to obtain various nanostructures such as nanocrystal, nanorod and nanoholes. CONSTITUTION: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using a hologram lithography comprises: a step of forming a photoresist(PR) layer in the top of the substrate; a first exposure step of making uniform form by exposing the photoresist layer through the hologram lithography; a second exposure step of exposing the photoresist layer which is the first exposure photoresist layer to obtain uniform form by using the hologram lithography after rotating substrate at the constant angle; the step of forming a nano pattern by developing the photoresist layer; a step of growing the zinc oxide(ZnO) nanostructures on the top of the substrate by using a hydrothermal synthesis method.
Abstract:
본 발명은 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법은, 플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 상에 산화아연 나노구조물을 제작하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층에 대하여 제1차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판에 대하여 제2차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 및 상기 산화아연 나노구조물에 대하여 제3차 에칭을 수행하는 단계를 포함한다. 이에 의하여 나노패턴이 직접 형성된 플렉서블 기판을 획득할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography is provided to simply produce the arranged zinc oxide nanostructure without using an expensive device. CONSTITUTION: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography comprises the following steps: forming a photoresist layer on a substrate; firstly exposing the photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography; secondly exposing the firstly exposed photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography after rotating the substrate into a predetermined angle; forming a nanopattern by developing the photoresist layer; growing the zinc oxide nanostructure on the substrate using a hydrothermal synthesis method; and removing the photoresist layer.
Abstract:
본 발명은 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CIS 또는 CIGS화합물로 이루어진 박막에 SiO 2 또는 SiN x 화합물을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 통하여 상기 박막에 증착함으로써, 셀렌(Se)조성을 일정하게 조절하여 높은 수율을 갖는 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 태양전지, 광흡수층, CIS, CIGS, 셀레나이제이션(Selenization), Se(Selenium)
Abstract:
The present invention relates to a flexible substrate with a nanopattern and a manufacturing method thereof. The method for manufacturing the flexible substrate with the nanopattern according to the present invention includes the steps of: forming a zinc oxide buffer layer on the flexible substrate; manufacturing a zinc oxide nanostructure on the zinc oxide buffer layer; performing a first etching process on the zinc oxide buffer layer; performing a second etching process on the flexible substrate by using the zinc oxide nanostructure as a mask; and performing a third etching process on the zinc oxide buffer layer and the zinc oxide nanostructure. Therefore, the flexible substrate on which the nanopattern is directly formed is obtained. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S11) Form a zinc oxide buffer layer on the flexible substrate;(S12) Manufacture a zinc oxide nanostructure on the zinc oxide buffer layer;(S13) Perform a first etching process on the zinc oxide buffer layer;(S14) Perform a second etching process on the flexible substrate by using the zinc oxide nanostructure as a mask;(S15) Perform a third etching process on the zinc oxide buffer layer and the zinc oxide nanostructure;(S16) Obtain a flexible substrate with nanopatterns
Abstract:
산화아연 재질의 나노 광 결정이 형성된 발광 다이오드가 개시된다. 나노 광 결정을 형성하기 위해 전류 확산층 또는 발광 구조체 상부에는 씨앗층이 형성된다. 특히, 발광 구조체 상부에 형성되는 씨앗층은 전류 확산층의 기능을 동시에 수행한다. 이를 위해 씨앗층은 알루미늄이 도핑된 산화아연인 AZO로 구성된다. 나노 광 결정은 씨앗층 상부에 홀로그램 리소그래피를 통해 형성된 나노 패턴에 의해 소정의 주기로 형성된다.
Abstract:
레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.
Abstract:
레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An optical absorption layer for a solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability and yield by depositing SiO2 or the SiNx compound on a thin film through a PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) method. CONSTITUTION: A predetermined amount of Se is deposited on a thin film according to composition ratio(S100). A protective layer is formed on the deposited Se(S200). The thin film is heat-treated(S300). The protective layer is removed by an etching process(S400). A ternary thin film includes CIS or CIGS. The protective layer is formed by depositing SiO2 or SiNx.