Abstract:
PURPOSE: An inverter device using a thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the reproducibility of electrical characteristics by inducing an electrical characteristic difference between two thin film transistors through a gate insulation layer with a first thickness and a second thickness. CONSTITUTION: A gate electrode (120) is deposited on a substrate (110). A gate insulating layer (130) is deposited on the gate electrode with a first thickness. A semiconductor layer (140) is deposited on the gate insulation layer with the first thickness. A source electrode (152) and a drain electrode (154) are deposited on the semiconductor layer. The gate insulation layer is deposited on a gate electrode (120') with a second thickness. The first thickness is different from the second thickness. A semiconductor layer (140') is deposited on the gate insulation layer with the second thickness.
Abstract:
PURPOSE: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material is provided to reduce light loss out of a light transfer material by forming a clad layer having a low refractivity or high reflectivity. CONSTITUTION: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material (10) has at least one of nanofluorescent materials converting the wavelength and nanoquantum dots dispersed in the anisotropy light transmission material. The body has a fibrous form. One of the nanofluorescent materials and the nanoquantum dots are mixed and dispersed in a transparent polymer resin. The diameters of the nanofluorescent materials and nanoquantum dots are smaller than 100 nm. The nanoparticle-containing anisotropy light transmission material additionally includes a clad layer which is coated to surround the body. The clad layer is formed of a material which is smaller than the body.
Abstract:
The present invention relates to a thin film transistor and a manufacturing method thereof. A thin film transistor includes a gate electrode which is formed by stacking at least two gate materials on a substrate, a gate insulating layer which is formed in the upper part of the gate electrode, an oxide semiconductor layer which is formed in the upper part of the gate insulating layer, a source/drain electrode which is respectively connected to at least part of the oxide semiconductor layer. A reflection structure which has UV reflectivity higher than that of the material of the gate electrode is formed in the upper part of the gate electrode.
Abstract:
Disclosed is a method for forming a nanostructure using various kinds of solvents. The method for forming the nanostructure using the various kinds of solvents according to one embodiment of the present invention includes: a first step of preparing a first solution by dissolving a first solute in a first solvent; a second step of preparing a second solution by dissolving a second solute in a second solvent; a third step of preparing a hybrid solution by stirring the first solution and the second solution; and a fourth step of forming the nanostructure using the hybrid solution.
Abstract:
The present invention relates to an energy conversion device using a change of the contact surface with liquid and more specifically, to a device and a method of converting mechanical energy to electrical energy by applying the opposite phenomenon of electrowetting phenomenon. Provided is the energy conversion device which changes the contact surface with liquid between a pair of electrodes and applies the change of the contact surface therewith to generate electrical energy so that the present invention simplifies the device, reduces manufacturing costs and has less failure because the device does not require patterned electrodes on a clogging phenomenon, a lubricating layer or complex channels.
Abstract:
나노 입자를 포함하는 비등방성 광전달 소재가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비등방성 광전달 소재는 광의 파장을 변환시키는 나노 형광체 및 나노 양자점 중 적어도 하나가 몸체 내부에 혼합 분산되어 있는 것으로, 상기 몸체가 섬유상 형태를 가지는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract:
용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치이 개시된다. 본 자외선 램프 장치는 샘플탑재부와 내부에 챔버 공간을 가지고 샘플탑재부를 에워싸는 구조를 갖는 하우징을 구비하되, 챔버 공간의 상부에는 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 하우징의 일영역에는 상기 샘플탑재부의 탑재된 샘플에 상기 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스 주입부를 구비한다.