박막 트랜지스터를 이용한 인버터 소자 및 그 제조방법
    11.
    发明公开
    박막 트랜지스터를 이용한 인버터 소자 및 그 제조방법 审中-实审
    薄膜晶体管逆变器装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130098739A

    公开(公告)日:2013-09-05

    申请号:KR1020120020499

    申请日:2012-02-28

    CPC classification number: H01L27/1237 H01L29/42384

    Abstract: PURPOSE: An inverter device using a thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the reproducibility of electrical characteristics by inducing an electrical characteristic difference between two thin film transistors through a gate insulation layer with a first thickness and a second thickness. CONSTITUTION: A gate electrode (120) is deposited on a substrate (110). A gate insulating layer (130) is deposited on the gate electrode with a first thickness. A semiconductor layer (140) is deposited on the gate insulation layer with the first thickness. A source electrode (152) and a drain electrode (154) are deposited on the semiconductor layer. The gate insulation layer is deposited on a gate electrode (120') with a second thickness. The first thickness is different from the second thickness. A semiconductor layer (140') is deposited on the gate insulation layer with the second thickness.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用薄膜晶体管的逆变器装置及其制造方法,通过经由具有第一厚度和第二厚度的栅绝缘层引起两个薄膜晶体管之间的电特性差异来提高电特性的再现性。 构成:栅极电极(120)沉积在衬底(110)上。 栅极绝缘层(130)以第一厚度沉积在栅电极上。 半导体层(140)以第一厚度沉积在栅极绝缘层上。 源电极(152)和漏电极(154)沉积在半导体层上。 栅极绝缘层沉积在具有第二厚度的栅电极(120')上。 第一厚度不同于第二厚度。 半导体层(140')以第二厚度沉积在栅极绝缘层上。

    나노 입자를 포함하는 비등방성 광전달 소재
    12.
    发明公开
    나노 입자를 포함하는 비등방성 광전달 소재 有权
    包含纳米颗粒的各向异性光传输材料

    公开(公告)号:KR1020130077313A

    公开(公告)日:2013-07-09

    申请号:KR1020110145953

    申请日:2011-12-29

    Abstract: PURPOSE: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material is provided to reduce light loss out of a light transfer material by forming a clad layer having a low refractivity or high reflectivity. CONSTITUTION: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material (10) has at least one of nanofluorescent materials converting the wavelength and nanoquantum dots dispersed in the anisotropy light transmission material. The body has a fibrous form. One of the nanofluorescent materials and the nanoquantum dots are mixed and dispersed in a transparent polymer resin. The diameters of the nanofluorescent materials and nanoquantum dots are smaller than 100 nm. The nanoparticle-containing anisotropy light transmission material additionally includes a clad layer which is coated to surround the body. The clad layer is formed of a material which is smaller than the body.

    Abstract translation: 目的:提供一种含纳米颗粒的各向异性透光材料,通过形成具有低折射率或高反射率的包覆层来减少光传输材料的光损失。 构成:含纳米颗粒的各向异性透光材料(10)具有分散在各向异性透光材料中的波长和纳米量点的纳米荧光材料中的至少一种。 身体有纤维状。 将纳米荧光材料和纳米量子点之一混合并分散在透明聚合物树脂中。 纳米荧光材料和纳米量子点的直径小于100nm。 含纳米颗粒的各向异性透光材料另外包括涂覆以包围主体的覆层。 包覆层由比本体小的材料形成。

    박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    14.
    发明授权
    박막 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101395906B1

    公开(公告)日:2014-05-19

    申请号:KR1020120153257

    申请日:2012-12-26

    CPC classification number: H01L29/78633 H01L29/4908 H01L29/66742 H01L29/7869

    Abstract: The present invention relates to a thin film transistor and a manufacturing method thereof. A thin film transistor includes a gate electrode which is formed by stacking at least two gate materials on a substrate, a gate insulating layer which is formed in the upper part of the gate electrode, an oxide semiconductor layer which is formed in the upper part of the gate insulating layer, a source/drain electrode which is respectively connected to at least part of the oxide semiconductor layer. A reflection structure which has UV reflectivity higher than that of the material of the gate electrode is formed in the upper part of the gate electrode.

    Abstract translation: 薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管包括:栅极电极,其通过在基板上堆叠至少两个栅极材料形成;栅极绝缘层,形成在栅电极的上部;形成在栅电极的上部的氧化物半导体层 栅极绝缘层,分别连接到氧化物半导体层的至少一部分的源极/漏极电极。 在栅电极的上部形成有具有高于栅电极的材料的UV反射率的反射结构。

    다종 용매를 이용한 나노 구조체 형성방법
    15.
    发明授权
    다종 용매를 이용한 나노 구조체 형성방법 有权
    使用各种溶剂形成纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR101392873B1

    公开(公告)日:2014-05-09

    申请号:KR1020120120538

    申请日:2012-10-29

    Abstract: Disclosed is a method for forming a nanostructure using various kinds of solvents. The method for forming the nanostructure using the various kinds of solvents according to one embodiment of the present invention includes: a first step of preparing a first solution by dissolving a first solute in a first solvent; a second step of preparing a second solution by dissolving a second solute in a second solvent; a third step of preparing a hybrid solution by stirring the first solution and the second solution; and a fourth step of forming the nanostructure using the hybrid solution.

    Abstract translation: 公开了使用各种溶剂形成纳米结构的方法。 根据本发明的一个实施方案,使用各种溶剂形成纳米结构的方法包括:通过将第一溶质溶解在第一溶剂中制备第一溶液的第一步骤; 通过将第二溶质溶解在第二溶剂中制备第二溶液的第二步骤; 通过搅拌第一溶液和第二溶液来制备混合溶液的第三步骤; 以及使用该混合溶液形成纳米结构的第四步骤。

    액체와의 접촉면 변화를 이용한 에너지 전환 장치
    16.
    发明授权
    액체와의 접촉면 변화를 이용한 에너지 전환 장치 有权
    使用液体接触面积变化的能量收集装置

    公开(公告)号:KR101358286B1

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:KR1020120134389

    申请日:2012-11-26

    CPC classification number: H02N1/00 H02N1/08

    Abstract: The present invention relates to an energy conversion device using a change of the contact surface with liquid and more specifically, to a device and a method of converting mechanical energy to electrical energy by applying the opposite phenomenon of electrowetting phenomenon. Provided is the energy conversion device which changes the contact surface with liquid between a pair of electrodes and applies the change of the contact surface therewith to generate electrical energy so that the present invention simplifies the device, reduces manufacturing costs and has less failure because the device does not require patterned electrodes on a clogging phenomenon, a lubricating layer or complex channels.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用与液体的接触面的变化的能量转换装置,更具体地,涉及通过应用电润湿现象的相反现象将机械能转换为电能的装置和方法。 提供了能量转换装置,其在一对电极之间改变与液体的接触表面,并且施加与其接触表面的变化以产生电能,使得本发明简化了装置,降低了制造成本并且具有较少的故障,因为装置 不需要图案电极堵塞现象,润滑层或复合通道。

    투명 전극을 포함한 반도체 장치 및 그 제조 방법
    18.
    发明授权
    투명 전극을 포함한 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
    包括透明电极的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101649102B1

    公开(公告)日:2016-08-30

    申请号:KR1020140100556

    申请日:2014-08-05

    Abstract: 투명전극을포함한반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 복수개의전극, 상기복수개의전극중 적어도일부사이에채널을형성하는채널영역, 및상기복수개의전극중 적어도일부와상기채널영역의적어도일부사이에형성되는인터레이어막을포함하되, 상기인터레이어막은메탈을포함하며, 상기인터레이어막에포함된상기메탈의일함수와상기채널영역에포함된채널영역물질의전자친화도의차이가 ± 0.5eV 이내이다.

    외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지 및 이를 포함하는 기판의 외기 침투율 측정 장치
    19.
    发明授权
    외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지 및 이를 포함하는 기판의 외기 침투율 측정 장치 有权
    用于测量渗透速率的反应性材料盒和用于测量渗透速率的装置

    公开(公告)号:KR101469533B1

    公开(公告)日:2014-12-05

    申请号:KR1020130061787

    申请日:2013-05-30

    CPC classification number: G01N27/205 G01N15/0826 G01N33/0004 G01N33/0027

    Abstract: 본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量包括材料的水分,氧气等的室外空气的渗透率的装置。 根据本实施方式,用于测量基板的室外空气渗透率的反应性材料筒包括:反应部,其包括反应性材料,所述反应性材料与通过所述基板的室外空气接触而反应; 容纳反应部分并且可以根据室外空气和反应性材料之间的接触测量变化的测量部件拆卸的盒体; 以及屏蔽装置,其屏蔽盒体并且为了反应性材料和室外空气之间的接触目的而从盒体剥离。 根据本发明,与现有技术相比,使用筒式气体透过率测量装置和方法可以确保更准确和可靠的数据,从而有助于新应用所需产品的可靠性评估,例如灵活性 AMOLED的。 此外,容纳衬底的部分可以以盒形式制造。 因此,在测量不能相对自由地安装和支撑的柔性基板时,可以方便地在设备的外部执行操作,从而减少测量者之间的均匀性误差。

    용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치

    公开(公告)号:KR101456238B1

    公开(公告)日:2014-11-13

    申请号:KR1020120153255

    申请日:2012-12-26

    Abstract: 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치이 개시된다. 본 자외선 램프 장치는 샘플탑재부와 내부에 챔버 공간을 가지고 샘플탑재부를 에워싸는 구조를 갖는 하우징을 구비하되, 챔버 공간의 상부에는 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 하우징의 일영역에는 상기 샘플탑재부의 탑재된 샘플에 상기 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스 주입부를 구비한다.

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