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公开(公告)号：KR1020130078650A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020110147714
申请日：2011-12-30
Applicant: 주성엔지니어링(주)
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32577 , H01J37/32825 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: A device and a method of generating plasma are provided to resolve a vacuum sealing problem and offer the convenience of maintenance. CONSTITUTION: A plasma generating device (100a) includes a gas distribution board (160), a first line (140), a second line (130), contact plugs (190), and a plurality of power electrodes (110). The gas distribution board includes a gas diffusion space (150) which receives gas from the outside and distributes the same. The first line is arranged on the upper part of the gas diffusion space, receives power from an external RF power source (180), and distributes the power. The second line is arranged on the lower part of the gas diffusion space, receives the power from the first line, and distributes the power again. The power electrodes are formed on the lower part of the gas distribution board and form plasma by being electrically connected to the second line. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction; (CC) Third direction
Abstract translation: 目的：提供一种产生等离子体的装置和方法，以解决真空密封问题，提供维护方便。 构成：等离子体产生装置（100a）包括气体分配板（160），第一管线（140），第二管线（130），接触塞（190）和多个电力电极（110）。 气体分配板包括从外部接收气体并分配气体的气体扩散空间（150）。 第一线路布置在气体扩散空间的上部，从外部RF电源（180）接收电力，并分配电力。 第二线路布置在气体扩散空间的下部，从第一线路接收电力，并再次分配电力。 功率电极形成在气体分配板的下部，并通过电连接到第二线而形成等离子体。 （附图标记）（AA）第一方向; （BB）第二方向; （CC）第三方向
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公开(公告)号：KR101123004B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020100089733
申请日：2010-09-14
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Inventor： 허승회
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 고주파 전력과 공정 가스가 공급되는 상부 전극; 전기적으로 접지되도록 상기 상부 전극의 상부에 설치된 접지부재; 및 상기 상부 전극과 상기 접지 부재의 각 에지 부분 사이에 전기적으로 접속되어 상기 상부 전극의 각 에지부에 인가되는 전류 분포를 증가시키기 위한 복수의 리액턴스 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种通过使在腔室的等离子体反应空间之间产生的等离子体密度均匀化而能够在基板上均匀地形成薄膜的等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：腔室， 衬底支撑部件，其安装在腔室内以支撑衬底; 设置在所述腔室内的上电极，以面对所述基板支撑部件并被供应高频功率和工艺气体; 接地构件，设置在上部电极的上部以便电接地; 并且多个电抗部件电连接在上电极和接地部件的各个边缘部分之间，以增加施加到上电极的各个边缘部分的电流分布。
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公开(公告)号：KR1020110068361A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090125273
申请日：2009-12-16
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L22/26 , C23C16/4405 , H01J37/32862
Abstract: PURPOSE: A substrate treatment apparatus and a method of treating substrate using the same are provided to accurately determine a complete time of a chamber cleaning process. CONSTITUTION: A process gas is supplied to a chamber and a current is supplied to a substrate support(S100). The pressure within the chamber is detected in real time and is monitored as time passed. The current is supplied to the substrate support is detected in real time as time passed(S200). A current value is differentiated as time passed(S300). A minimum point of a differential value is detected and is a process complete reference point(s400). The minimum point of a differential value of current is detected in the pressure change period and the current change period(S500).
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和使用其的基板处理方法，以准确地确定室清洁处理的完整时间。 构成：将工艺气体供应到室，并且将电流供应到衬底支撑件（S100）。 室内的压力被实时检测并随着时间的流逝而被监测。 随着时间的过去，电流被提供给基板支架（S200）。 当前值随时间过去而不同（S300）。 检测到差分值的最小点，并且是过程完成参考点（s400）。 在压力变化期间和当前变更期间，检测电流差分值的最小点（S500）。
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公开(公告)号：KR1020110027396A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020090085469
申请日：2009-09-10
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: PURPOSE: A device and a method for processing plasma are provided to increase horizontal symmetry of plasma density generated in a reaction space of a processing chamber, thereby forming a uniform thin film on a substrate. CONSTITUTION: A processing chamber(110) provides a reaction space to form a thin film on a substrate using plasma. A substrate supporting unit(120) is installed in the processing chamber to support the substrate. A gas spraying member(130) is installed in the processing chamber to spray a processing gas to the reaction space. Bias power(135) forms an electric filed around the gas spraying member. An antenna(140) is installed in the processing chamber to face the substrate supporting unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的装置和方法，以增加在处理室的反应空间中产生的等离子体密度的水平对称性，由此在基板上形成均匀的薄膜。 构成：处理室（110）提供反应空间以在基板上使用等离子体形成薄膜。 衬底支撑单元（120）安装在处理室中以支撑衬底。 气体喷射构件（130）安装在处理室中以将处理气体喷射到反应空间。 偏压力（135）在气体喷涂构件周围形成电场。 天线（140）安装在处理室中以面对基板支撑单元。
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公开(公告)号：KR102108896B1
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：KR1020190109838
申请日：2019-09-05
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01J37/32
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101830322B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020120001237
申请日：2012-01-04
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: 본발명은플라즈마를분사하는공간과소스가스를분사하는공간을분리하여박막물질의균일도를증가시키고박막물질의막질제어를용이하게할 수있도록한 기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정챔버; 상기공정챔버에회전가능하게설치되어복수의기판을지지하는기판지지부; 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드; 및상기챔버리드에일정한간격으로설치된복수의전극모듈을이용해상기각 기판상에소스가스(Source Gas)와반응가스가서로분리되도록분사하여상기복수의기판상에박막물질을증착하는전극부를포함하여구성되고, 상기복수의전극모듈각각은상기기판상에반응가스를분사하기위한적어도하나의반응가스분사공간, 및상기반응가스분사공간과공간적으로분리되어상기기판상에소스가스를분사하기위한적어도하나의소스가스분사공간을포함하여구성하여구성될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法来增加薄膜材料的均匀性，以用于与所述源气体喷射的区域用于注入分离血浆的空间，并促进薄膜材料的薄膜的质量控制，本发明 2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备处理室， 衬底支撑件，可旋转地安装在处理室中以支撑多个衬底; 覆盖处理室的上部以面对基板支撑件的室盖; 并且通过包括被喷涂到源气体（源气体）和到相应的基板相互分离的多个电极模块在上腔室盖存款规则的间隔被安装的薄膜材料在所述多个基板的反应性气体的电极 配置和被分离成至少一种反应气体喷射空间，和反应性气体喷射空间和空间在各银装置中，多个电极模块板，至少一个的喷射反应气体在该衬底上注入源气体 并为源气提供源气注入空间。
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公开(公告)号：KR1020170127391A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020170148022
申请日：2017-11-08
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 본발명은플라즈마를분사하는공간과소스가스를분사하는공간을분리하여박막물질의균일도를증가시키고박막물질의막질제어를용이하게할 수있도록한 기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정챔버; 상기공정챔버에회전가능하게설치되어복수의기판을지지하는기판지지부; 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드; 및상기챔버리드에일정한간격으로설치된복수의전극모듈을이용해상기각 기판상에소스가스(Source Gas)와반응가스가서로분리되도록분사하여상기복수의기판상에박막물질을증착하는전극부를포함하여구성되고, 상기복수의전극모듈각각은상기기판상에반응가스를분사하기위한적어도하나의반응가스분사공간, 및상기반응가스분사공간과공간적으로분리되어상기기판상에소스가스를분사하기위한적어도하나의소스가스분사공간을포함하여구성하여구성될수 있다.
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公开(公告)号：KR101503512B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020110141796
申请日：2011-12-23
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , B05D3/044 , C23C16/509 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02 , H01L21/02057 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간과 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간이 분리되도록 형성되어 상기 기판 지지부의 상부에 배치된 전극부를 포함하여 구성될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种等离子体空间和基板处理装置和基板处理方法，以提高膜材料的均匀性的源气体喷射空间分离，并促进薄膜材料的薄膜的质量控制，根据本发明的基板处理装置 处理室; 衬底支撑件，设置在处理室中并支撑衬底; 以及电极部分，其形成在基板支撑部分上以分离用于在基板上喷射等离子体的等离子体形成空间和用于在基板上喷射源气体的源气体喷射空间， 它可以是。
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公开(公告)号：KR1020130080370A
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020120001237
申请日：2012-01-04
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/4408 , C23C16/45574 , H01L21/02274
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to increase the uniformity of a thin film material by separating a plasma spray space from a source gas spray space. CONSTITUTION: A substrate support unit (620) is installed in a processing chamber (610) and supports a plurality of substrates. A chamber lid (615) covers the upper side of the processing chamber to face the substrate support unit. Electrode parts (630) are inserted into first to fourth electrode module insertion units. The electrode parts spray reactive gases and source gases processed with plasma on the substrates. A plurality of modules (630a-630d) are regularly installed on the chamber lid.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过从源气体喷射空间分离等离子体喷涂空间来提高薄膜材料的均匀性。 构成：衬底支撑单元（620）安装在处理室（610）中并支撑多个衬底。 室盖（615）覆盖处理室的上侧以面对基板支撑单元。 电极部件（630）插入到第一至第四电极模块插入单元中。 电极部分喷射在基板上用等离子体处理的反应气体和源气体。 多个模块（630a-630d）被规则地安装在室盖上。
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