Abstract:
The present invention relates to a composition for forming an ITO, a thin film forming method, a light emitting diode, and an optical semiconductor device using the same and, more specifically, to a method which coats a material which has a crystal structure such as an ITO on a substrate after adding the material to ITO sol-gel solution in a powder form and forms an electrode thereon. The present invention manufactures ITO sol-gel which contains a dopant by mixing and dissolving SnCl_2, an ethanol solution, In(NO_3), acetyl acetone, and a dopant material; forms an ITO thin film by coating the ITO sol-gel including the dopant on the substrate; and forms an n-type electrode and a p-type electrode by having the ITO thin film as a transparent electrode. According to the present invention, the ITO thin film which has a small surface resistance without the damage of a pattern shape by enabling the ITO sol-gel to easily form crystallinity around the dopant material even by a heat treatment of a low temperature by adding a material having a crystal structure like ITO to the ITO sol-gel solution.
Abstract:
본 발명은 식물의 뿌리에 근접한 위치에 상호 이격된 상태로 설치된 한 쌍의 전극 사이에 발생하는 전류를 측정하여 이산화탄소의 농도값으로 변환함에 따라 간단하게 이산화탄소의 농도를 모니터링 할 수 있는 식물-미생물 연료 전지를 이용하여 이산화탄소의 농도를 모니터링하기 위한 화분에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 식물-미생물 연료 전지를 이용하여 이산화탄소의 농도를 모니터링하기 위한 화분은, 식물을 심을 수 있도록 내부 공간을 가진 하우징; 상기 하우징의 내부 공간에 설치되는 한 쌍의 전극; 식물-미생물 연료 전지(plant-microbial fuel cell)에 의해 상기 한 쌍의 전극 사이에 발생하는 전류를 측정하는 측정모듈, 상기 전류측정모듈에서 측정된 전류의 크기를 이산화탄소의 농도값으로 변환하는 변환모듈, 상기 이산화탄소의 농도값을 출력수단으로 출력하는 출력모듈;을 포함하는 제어부;를 포함하여 구성된다.
Abstract:
본 발명은 질화물 반도체의 선택적인 영역에 일정한 패턴으로 성장하는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화아연 나노막대 어레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화아연 나노막대 어레이 제조방법은 제1면 및 제2면을 갖는 성장기판을 준비하고; 상기 성장기판의 제1면 상에 질화물 반도체층을 성장시키고; 상기 질화물 반도체층 상에 지지기판을 배치하고; 상기 성장기판의 제2면 상에 레이저 조절 패턴을 형성하고; 상기 레이저 차단 패턴을 갖는 성장기판의 제2면으로부터 레이저를 조사하여 상기 성장기판을 상기 질화물 반도체층으로부터 제거하는 것을 포함할 수 있다.
Abstract:
A light emitting diode manufacturing method using a nano imprint mold and a light emitting diode manufactured by the same are disclosed. The disclosed light emitting diode manufacturing method comprises the steps of forming a first conductive type nitride semiconductor layer, an activation layer, and a second conductive type nitride semiconductor layer on a substrate; forming a transparent electrode on the second conductive type nitride semiconductor layer; forming a nano imprint resist layer on the transparent electrode; pressing a nano imprint mold against the nano imprint resist layer, such that a nano pattern is transferred to the nano imprint resist layer; and etching the nano imprint resist layer and the transparent electrode such that the nano pattern of the nano imprint resist layer is transferred to the transparent electrode. By doing so, a light extracting efficiency is improved and the nano pattern is formed in an efficient and economical manner.
Abstract:
본 발명은 피검체, 예컨대 생체 물질의 역학적 특성을 측정하는 미세 상호 작용력 측정장치 및 측정방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 미세 상호 작용력 측정장치는, 피검체가 부착된 캔틸레버(cantilever)와, 캔틸레버의 하부에 캔틸레버와 소정의 간격을 가지고 이격되어 배치되며 그 상면에 균일한 형상의 미세 패턴이 형성된 기판과, 캔틸레버의 일단 또는 일측에 배치된 편향 센서와, 피검체의 역학적 특성에 따라 캔틸레버의 휨을 검출하는 검출 유닛을 포함한다. 캔틸레버, 상호 작용력, MEMS, 생체 물질
Abstract:
본 발명은 광학적 특성 또는 기계적 특성에서 용도가 제한적인 연질 재료를 사용하지 않고, 무기화합물로 이루어진 경질 박막 형성이 가능한 졸겔 용액을 이용하여 자가발생적으로 버클링이 형성되도록 하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, 기판에 졸겔 용액을 도포한 후 경화시켜 박막을 형성할 때, 상기 졸겔 용액에 포함되며 상기 졸겔 용액의 건조 속도를 늦추는 안정제의 양을 제어함으로써, 상기 졸겔 용액의 경화 과정에 자가발생적인 버클링이 형성되도록 한다.
Abstract:
본 발명은 사이펀 현상을 이용하여 별도의 센서가 없이도 하수를 저장하는 집수조에 일정량 이상의 하수를 확보한 후 배출시킴에 따라 발전이 원할하게 이뤄질 수 있고, 외부 동력원이 없이 더 높은 유효 낙차 높이를 유도할 수 있는 소수력 발전시스템에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 소수력 발전시스템은, 다수의 층으로 이뤄진 고층건물에서 배출되는 하수를 이용한 소수력 발전시스템으로서, 소정의 층 구간마다 설치되어 해당 층 구간에서 배출되는 하수를 집수하는 복수의 집수조; 각각의 집수조에 구비되되, 하수유입부가 상기 집수조의 저부에 위치되고, 하수배출부가 상기 하수유입부보다 높은 위치에 위치하도록 구성되어, 상기 집수조에 저장된 하수의 수위가 상기 하수배출부의 높이보다 높을 경우 집수된 하수가 배출되도록 하는 복수의 사이펀 배관; 상기 복수의 사이펀 배관의 하수배출부에 각각 연통되어 각각의 집수조에서 배출되는 하수를 하방으로 배출하는 메인 배관; 및 상기 메인 배관의 하부에 연결되어 상기 메인 배관으로 배출되는 하수의 낙차를 이용하여 발전하는 발전기;를 포함하여 구성된다.