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公开(公告)号：KR100872799B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070091902
申请日：2007-09-11
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: The method for manufacturing metal silicide for semiconductor contact using the plasma atomic layer deposition method is provided to achieve the formation of the interlayer film and formation of the metallic foil by one process. The method for manufacturing metal silicide using the PE-ALD method comprises as follows. The gas plasma is repeatedly injected onto the semiconductor substrate to form the metallic precursor and the interlayer for forming the metal thin film and then the metal thin film and the interlayer are formed. To prevent the oxidation of the metallic thin film, the anti-oxidation layer is formed and then heated.
Abstract translation: 提供了使用等离子体原子层沉积方法制造用于半导体接触的金属硅化物的方法，以通过一个工艺实现中间膜的形成和金属箔的形成。 使用PE-ALD方法制造金属硅化物的方法包括如下。 将气体等离子体重复地注入到半导体衬底上以形成金属前体和用于形成金属薄膜的中间层，然后形成金属薄膜和中间层。 为了防止金属薄膜的氧化，形成抗氧化层，然后加热。
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公开(公告)号：KR1020100000966A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060662
申请日：2008-06-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/0229 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02274 , H01L21/02603
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a metal nano structure is provided to accurately control length of the nano structure through growth rate regulation. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal nano structure comprises: a step of adding a metal precursor to heated semiconductor substrate to adsorb on the semiconductor substrate; a step of inputting purging gas to remove metal precursor which is not adsorbed; a step of inputting reaction gas with the metal precursor to reduce metal; and a step of inputting purging gas to remove reaction gas.
Abstract translation: 目的：提供一种制造金属纳米结构的方法，以通过生长速率调节来精确控制纳米结构的长度。 构成：金属纳米结构体的制造方法，其特征在于，包括：将加热了的半导体基板的金属前体加入到半导体基板上的工序; 输入吹扫气体以除去未吸附的金属前体的步骤; 与金属前体输入反应气体以还原金属的步骤; 以及输入吹扫气体以除去反应气体的步骤。
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公开(公告)号：KR100920455B1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020070098812
申请日：2007-10-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 플라스마 원자층 박막 증착 방법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PE-ALD)을 사용하여 반도체 소자의 금속 실리사이드(metal silicide) 콘택트를 열처리 없이 직접 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 자연 산화막(native oxide)을 제거한 반도체 기판 위에, 금속 전구체(metal precursor)와 암모니아 플라스마를 반응물로 사용하는 공정을 기본으로 사용하고, 실리콘 전구체로서 실란(SiH
4 ) 가스를 부가적으로 첨부시켜 금속 실리사이드 박막을 형성시킨다. 본 발명에 따른 방법은 기존의 공정과 다르게 열처리 공정을 배제한 증착 방법이므로, 실리사이드 형성시에 실리콘 기판 소비 문제를 근본적으로 해결할 수 있을 뿐 아니라, PE-ALD 공정의 장점인 높은 단차 피복성(step coverage)의 장점을 활용할 수 있어, 향후 나노스케일 소자 제작시에 큰 장점을 지닌 공정으로 사용될 수 있다.
원자층 박막 증착 방법, 실리사이드, 반도체 소자 전극, 암모니아 플라스마
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