-
公开(公告)号：KR1020100034416A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：KR1020080093534
申请日：2008-09-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of the sensor structure of using the nano wire arranged with the parallel arranged nano wire and sensor element manufactured thereby is proceed the manufacture and queue of the nano wire through the single process by using terrace. The nano wire structure having uniform-size and interval the process is simplified can be obtained. CONSTITUTION: It cuts so that the mono crystal substrate. Substrate is the thermal process and terrace is formed. The material forming the nano wire in the substrate in which terrace is formed is evaporated and the nano wire is formed in the edge of terrace. At this time, the shadow mask is arranged at the center of the interval of substrate and target. The production of the nano dot is prevented and the thickness of the nano wire is controlled.
Abstract translation: 目的：使用由平行布置的纳米线和由此制造的传感器元件布置的纳米线的传感器结构的制造方法通过使用平台通过单一工艺进行纳米线的制造和排队。 可以获得具有均匀尺寸和间隔的纳米线结构，该过程被简化。 构成：它切割成单晶基板。 底物是热过程，形成露台。 在形成露台的基板中形成纳米线的材料蒸发，并且在台面的边缘形成纳米线。 此时，荫罩布置在基板和目标的间隔的中心。 防止了纳米点的制造，并且控制了纳米线的厚度。
-
公开(公告)号：KR100920455B1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020070098812
申请日：2007-10-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 플라스마 원자층 박막 증착 방법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PE-ALD)을 사용하여 반도체 소자의 금속 실리사이드(metal silicide) 콘택트를 열처리 없이 직접 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 자연 산화막(native oxide)을 제거한 반도체 기판 위에, 금속 전구체(metal precursor)와 암모니아 플라스마를 반응물로 사용하는 공정을 기본으로 사용하고, 실리콘 전구체로서 실란(SiH
4 ) 가스를 부가적으로 첨부시켜 금속 실리사이드 박막을 형성시킨다. 본 발명에 따른 방법은 기존의 공정과 다르게 열처리 공정을 배제한 증착 방법이므로, 실리사이드 형성시에 실리콘 기판 소비 문제를 근본적으로 해결할 수 있을 뿐 아니라, PE-ALD 공정의 장점인 높은 단차 피복성(step coverage)의 장점을 활용할 수 있어, 향후 나노스케일 소자 제작시에 큰 장점을 지닌 공정으로 사용될 수 있다.
원자층 박막 증착 방법, 실리사이드, 반도체 소자 전극, 암모니아 플라스마-
公开(公告)号：KR1020110010182A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：KR1020090067607
申请日：2009-07-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: C07F19/00 , C01F11/02 , C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing oxide nanopowder with a perovskite structure is provided to obtain oxide nanopowder with narrow particle size distribution and minimized coherence between particles and to secure high permittivity and sintering temperature by controlling a composition of components. CONSTITUTION: A method for manufacturing oxide nanopowder with a perovskite structure comprises the steps of: injecting an aqueous solution as a starting raw material in a reaction container; raising the inner temperature of the reaction container to a set temperature and stirring the starting raw material aqueous solution; spraying an alcoholic solution as a starting raw material in a drop form using ultrasonic waves inside the reaction container; reacting the starting raw material aqueous solution and the starting raw material alcohol solution to make an alcohol aqueous solution; and aging and drying the crystallized material to form oxide nanopowder with a perovskite structure.
Abstract translation: 目的：提供一种制备具有钙钛矿结构的氧化物纳米粉末的方法，以获得具有窄粒度分布和最小化颗粒间相干性的氧化物纳米粉末，并通过控制组分的组成确保高介电常数和烧结温度。 构成：具有钙钛矿结构的氧化物纳米粉末的制造方法包括以下步骤：将水溶液作为起始原料注入反应容器中; 将反应容器的内部温度升高至设定温度并搅拌起始原料水溶液; 在反应容器内使用超声波以液滴形式喷射醇溶液作为起始原料; 使起始原料水溶液和起始原料醇溶液反应制成醇水溶液; 老化并干燥结晶物，形成钙钛矿结构的氧化物纳米粉末。
-
公开(公告)号：KR100920456B1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020070100430
申请日：2007-10-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 막대의 제조방법에 관한 것으로, 특히 촉매를 사용하지 않으며 단순한 공정을 통해 금속 나노 막대를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 플라스마 원자층 증착법에 사용되는 반응가스의 조절을 통해 자기 조립 나노 막대를 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에서는 코발트 전구체로 CoCp
2 를 사용하고, 퍼징가스로 아르곤 가스, 그리고 반응가스로 암모니아와 모노실란의 혼합가스의 플라스마를 사용하여 직경 약 10 nm 내외, 길이 50 ~ 60 nm의 나노 막대를 형성하였다.
자기 조립 나노 막대, 플라스마 원자층 증착 방법, 반응 가스의 조절, 금속 나노 막대-
公开(公告)号：KR1020090014469A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070078440
申请日：2007-08-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B22F2301/25 , B22F2304/054 , H01L21/02601 , H01L29/0665
Abstract: A manufacturing method of nanostructures using anodized aluminum and atomic layer deposition process is provided to form nanostructures using various materials and to obtain easily the nanostructures of the various shapes and structures. A manufacturing method of nanostructures comprises steps of: (a) injecting a substrate in an acid solution, anodizing aluminium on the substrate and forming an aluminium oxide nano template having a hole of a nano-size in the substrate; (b) filling up the hole formed in the nano template using an atomic layer deposition method; (c) removing a resistant layer formed in the nano template through an etching process; and (d) removing aluminium oxide.
Abstract translation: 提供使用阳极氧化铝和原子层沉积工艺的纳米结构的制造方法，以使用各种材料形成纳米结构，并容易地获得各种形状和结构的纳米结构。 纳米结构的制造方法包括以下步骤：（a）在酸性溶液中注入基材，在基材上阳极氧化铝，并在基材中形成具有纳米尺寸的孔的氧化铝纳米模板; （b）使用原子层沉积法填充纳米模板中形成的孔; （c）通过蚀刻工艺去除在纳米模板中形成的电阻层; 和（d）除去氧化铝。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101024594B1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020080093535
申请日：2008-09-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 종래의 나노 막대에 비해 우수한 전자 방출 효율을 나타낼 뿐 아니라 위치와 형상의 제어가 용이한 나노 핀 어레이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 제조방법은 기판상에 나노 핀을 구성하는 물질의 박막을 형성하고, 상기 박막 상에 나노템플레이트를 형성한 후, 상기 나노 템플레이트가 완전히 제거될 때까지 나노 템플레이트와 박막을 함께 에칭함으로써, 기판상에 상기 나노 템플레이트의 패턴에 따른 나노 핀 어레이가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 형성된 나노 핀 어레이는 수 나노미터 이하의 아주 날카로운 형태를 가지게 되어 전계 방출원으로서 우수한 효율을 나타낸다.
양극산화 알루미나, 금속 나노핀, 습식 에칭-
公开(公告)号：KR1020100034417A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：KR1020080093535
申请日：2008-09-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating metal nanopin array and an electron emission element using the same are provided to manufacture a nonopins having various thickness by etching the nono template and a thin film and forming the nonopin. CONSTITUTION: A thin film of the material comprising a nano pin is formed on a substrate(a). A nano template is formed on the thin film(b). The nano template and the thin film are together etched until the nano template is completely removed(c). The nano pin array according to the pattern of the nano template is formed on the substrate(d).
Abstract translation: 目的：提供一种制造金属纳米颗粒阵列的方法和使用其的电子发射元件，以通过蚀刻非模板和薄膜并形成非接头来制造具有各种厚度的非孔。 构成：在衬底（a）上形成包括纳米针的材料的薄膜。 在薄膜（b）上形成纳米模板。 一起蚀刻纳米模板和薄膜，直到纳米模板完全去除（c）。 根据纳米模板的图案的纳米针阵列形成在基底（d）上。
-
公开(公告)号：KR1020090035259A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100430
申请日：2007-10-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/28506 , C23C16/06 , C23C16/45553
Abstract: A fabrication method of a catalyst-less metal nano-rods by plasma-enhanced atomic layer deposition and a semiconductor element is provided to simplify a manufacturing process by growing a nano rod with a magnetic assembly. A silicon substrate without a natural oxide and a silicon substrate which is deposited with SiO2 of 100nm are heated at 300.C degrees. A redundancy precursor excluding a cobalt precursor is removed by spreading an argon purging gas for one second. NH3 200sccm and SiH 5cmm are reacted with a cobalt precursor absorbed on the silicon substrate. The redundancy reaction gas is removed by using the argon purging gas.
Abstract translation: 提供了通过等离子体增强的原子层沉积和半导体元件制造无催化剂的金属纳米棒的方法，以通过用磁性组件生长纳米棒来简化制造过程。 将没有天然氧化物的硅衬底和沉积有100nm的SiO 2的硅衬底在300℃加热。 除去钴前体之外的冗余前驱体通过将氩气吹扫气体扩散一秒来除去。 NH3 200sccm和SiH 5cmm与吸收在硅衬底上的钴前体反应。 通过使用氩气吹扫气体除去冗余反应气体。
-
公开(公告)号：KR100872799B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070091902
申请日：2007-09-11
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: The method for manufacturing metal silicide for semiconductor contact using the plasma atomic layer deposition method is provided to achieve the formation of the interlayer film and formation of the metallic foil by one process. The method for manufacturing metal silicide using the PE-ALD method comprises as follows. The gas plasma is repeatedly injected onto the semiconductor substrate to form the metallic precursor and the interlayer for forming the metal thin film and then the metal thin film and the interlayer are formed. To prevent the oxidation of the metallic thin film, the anti-oxidation layer is formed and then heated.
Abstract translation: 提供了使用等离子体原子层沉积方法制造用于半导体接触的金属硅化物的方法，以通过一个工艺实现中间膜的形成和金属箔的形成。 使用PE-ALD方法制造金属硅化物的方法包括如下。 将气体等离子体重复地注入到半导体衬底上以形成金属前体和用于形成金属薄膜的中间层，然后形成金属薄膜和中间层。 为了防止金属薄膜的氧化，形成抗氧化层，然后加热。
-
公开(公告)号：KR1020110007814A
公开(公告)日：2011-01-25
申请号：KR1020090065446
申请日：2009-07-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/0262 , H01L21/02639
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing vertically aligned nanotubes is provided to obtain excellent performance at high temperature. CONSTITUTION: A method for manufacturing vertically aligned nanotubes comprises: a step of forming a polymer film on a substrate; a step of forming an AAO mask with pore structure on the film; a step of transferring the pore structure of the AAO mask to the polymer film by etching process; a step of removing the AAO mask; a step of forming a thin film on a polymer template; and a step of performing thermal decomposition to remove the polymer template.
Abstract translation: 目的：提供一种制造垂直排列的纳米管的方法，以在高温下获得优异的性能。 构成：用于制造垂直取向的纳米管的方法包括：在基板上形成聚合物膜的步骤; 在膜上形成孔结构的AAO掩模的步骤; 通过蚀刻工艺将AAO掩模的孔结构转移到聚合物膜的步骤; 去除AAO面膜的步骤; 在聚合物模板上形成薄膜的步骤; 以及进行热分解以除去聚合物模板的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.021 seconds)
