Abstract:
A method of manufacturing the metallic silicide layer using the plasma atomic layer deposition is provided to form the metal silicide without the thermal process and to maintain the thermal stability of the device structure. The metallic silicide layer is manufactured by the PE-ALD(plasma-enhanced atomic layer deposition) method. Firstly, the metal precursor is put into in the atomic layer deposition equipment. The metal precursor is absorbed on the semiconductor substrate. The evaporated metal precursor is reduced to metal by the gas plasma. The reducing metal reacts to the material including silicon to form the metal silicide. The material including silicon can be silane. The metal precursor can be the cobalt precursor, and the titanium precursor or the nickel precursor.
Abstract:
The method the fabricating the metal silicide of the semiconductor device is provided to control the thickness of the nitride diffusion film by using the plasma exposure. The method for manufacturing the metal silicide comprises as follows. The nitride thin film is formed on the silicon substrate. The metallic film is formed on the nitride thin film. The metal silicide is formed by performing a heat treatment on the thin film. The nitride thin film is formed through the plasma nitridation method. The Ti anti-oxidation layer for preventing the oxidation caused by the thermal budget is formed on the metal thin film. The Ti anti oxidation layer is formed after the metal thin film deposition is performed and exposed in air.
Abstract:
A transistor using deformation caused by piezoelectric effect of a carbon nano tube is provided to obtain a transistor of a new concept using deformation of a carbon nano tube caused by deformation of a piezoelectric device by using a device of a several nano meter using a carbon nano tube. A piezoelectric device(6) is disposed at one side of a carbon nano tube(5) so that the carbon nano tube is deformed by contraction or expansion of the piezoelectric device. A switching process is performed by a difference of specific resistance of the carbon nano tube generated by a deformation quantity of the carbon nano tube caused by the contraction or expansion of the piezoelectric device. The piezoelectric device can be a shape memory piezoelectric actuator.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming the contacts of semiconductor devices using a selective deposition method is provided to selectively deposit metal thin films by utilizing an atomic layer deposition method and a self-assembled monomolecular film. CONSTITUTION: The surface of a spacer is modified by applying a self-assembled monomolecular film on a semiconductor device. The self-assembled monomolecular film is based on octadecyltrichlorosilane. A metal thin film is formed around the modified surface of the spacer through an atomic layer deposition method. The metal thin film is thermally treated in order to form silicide. The self-assembled monomolecular film is then eliminated.
Abstract:
본 발명은 나노 막대의 제조방법에 관한 것으로, 특히 촉매를 사용하지 않으며 단순한 공정을 통해 금속 나노 막대를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 플라스마 원자층 증착법에 사용되는 반응가스의 조절을 통해 자기 조립 나노 막대를 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에서는 코발트 전구체로 CoCp 2 를 사용하고, 퍼징가스로 아르곤 가스, 그리고 반응가스로 암모니아와 모노실란의 혼합가스의 플라스마를 사용하여 직경 약 10 nm 내외, 길이 50 ~ 60 nm의 나노 막대를 형성하였다. 자기 조립 나노 막대, 플라스마 원자층 증착 방법, 반응 가스의 조절, 금속 나노 막대
Abstract:
본 발명은 플라스마 원자층 증착법(plasma-enhanced atomic layer deposition; PE-ALD)을 이용하여 금속 나노 구조물을 제작함에 있어서, 그 형상을 정확하게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제조방법에 의하면, 금속 나노 구조물의 길이는 정해진 성장속도를 기본으로 성장 사이클로서 조절할 수 있으며, 지름은 기판의 온도를 조절함으로써 변화시킬 수 있다. 이 두 가지 요소를 적절히 혼합하면, 크기와 모양이 다른 여러 가지 나노 구조물 (나노 점, 나노 막대, 나노 선 등)을 손쉽게 대면적 기판 위에 제작할 수 있다. 금속 나노 구조, 나노 막대, 나노 점, 나노 선, 플라스마 원자층 증착법, 원자층 증착법
Abstract:
본 발명은 초 임계 유체 증착법 (Supercritical Fluid Deposition; SCFD)을 이용하여 기판 위에 금속 나노 구조물을 제작하고, 그 형태와 크기를 조절하는 기술이다. 본 발명에서는 금속 나노 구조물의 형태와 크기를 기판의 온도 또는 금속 전구체의 농도를 조절함으로써 변화시킬 수 있고, 이러한 공정기술을 이용하면, 나노 점에서 박막까지 나노 구조물의 형태와 크기를 연속적으로 변화시키면서 손 쉽게 대면적 기판 위에 제작할 수 있으며, 평판뿐만 아니라, 입체적인 기판 위에도 제작 가능하다. 초 임계 유체 박막 증착 방법, 금속 나노 구조, 나노 점, 나노 크리스털 메모리, 플래시 메모리
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a metal nanostructure using supercritical fluid is provided to control the density, the shape, and the size of the metal nanostructure by controlling the deposition temperature of a metal precursor. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal nanostructure using supercritical fluid comprises the following steps: inserting reaction gas to a chamber including a substrate; setting the reaction temperature of the substrate; mixing a metal precursor with a solvent in a supercritical fluid state, and inserting the mixture to the chamber to react with the reaction gas; and removing non-reactants.
Abstract:
A fabrication method of a catalyst-less metal nano-rods by plasma-enhanced atomic layer deposition and a semiconductor element is provided to simplify a manufacturing process by growing a nano rod with a magnetic assembly. A silicon substrate without a natural oxide and a silicon substrate which is deposited with SiO2 of 100nm are heated at 300.C degrees. A redundancy precursor excluding a cobalt precursor is removed by spreading an argon purging gas for one second. NH3 200sccm and SiH 5cmm are reacted with a cobalt precursor absorbed on the silicon substrate. The redundancy reaction gas is removed by using the argon purging gas.