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公开(公告)号：KR1020090033665A
公开(公告)日：2009-04-06
申请号：KR1020070098812
申请日：2007-10-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/28556 , H01L21/28518
Abstract: A method of manufacturing the metallic silicide layer using the plasma atomic layer deposition is provided to form the metal silicide without the thermal process and to maintain the thermal stability of the device structure. The metallic silicide layer is manufactured by the PE-ALD(plasma-enhanced atomic layer deposition) method. Firstly, the metal precursor is put into in the atomic layer deposition equipment. The metal precursor is absorbed on the semiconductor substrate. The evaporated metal precursor is reduced to metal by the gas plasma. The reducing metal reacts to the material including silicon to form the metal silicide. The material including silicon can be silane. The metal precursor can be the cobalt precursor, and the titanium precursor or the nickel precursor.
Abstract translation: 提供了使用等离子体原子层沉积来制造金属硅化物层的方法，以在没有热处理的情况下形成金属硅化物，并且保持器件结构的热稳定性。 金属硅化物层通过PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）方法制造。 首先将金属前体放入原子层沉积设备中。 金属前体被吸收在半导体衬底上。 蒸发的金属前体通过气体等离子体还原成金属。 还原金属与包括硅在内的材料反应形成金属硅化物。 包括硅的材料可以是硅烷。 金属前体可以是钴前体，钛前体或镍前体。
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公开(公告)号：KR100872801B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070073333
申请日：2007-07-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L21/76838
Abstract: The method the fabricating the metal silicide of the semiconductor device is provided to control the thickness of the nitride diffusion film by using the plasma exposure. The method for manufacturing the metal silicide comprises as follows. The nitride thin film is formed on the silicon substrate. The metallic film is formed on the nitride thin film. The metal silicide is formed by performing a heat treatment on the thin film. The nitride thin film is formed through the plasma nitridation method. The Ti anti-oxidation layer for preventing the oxidation caused by the thermal budget is formed on the metal thin film. The Ti anti oxidation layer is formed after the metal thin film deposition is performed and exposed in air.
Abstract translation: 提供了制造半导体器件的金属硅化物的方法，以通过使用等离子体曝光来控制氮化物扩散膜的厚度。 金属硅化物的制造方法如下。 氮化物薄膜形成在硅衬底上。 金属膜形成在氮化物薄膜上。 通过对薄膜进行热处理来形成金属硅化物。 通过等离子体氮化法形成氮化物薄膜。 在金属薄膜上形成用于防止由热预算引起的氧化的Ti抗氧化层。 在金属薄膜沉积进行并在空气中暴露之后形成Ti抗氧化层。
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公开(公告)号：KR100848813B1
公开(公告)日：2008-07-28
申请号：KR1020070041249
申请日：2007-04-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L41/107 , H01L29/72 , B82Y15/00
CPC classification number: G11C13/025 , H01L41/107 , Y10S977/742
Abstract: A transistor using deformation caused by piezoelectric effect of a carbon nano tube is provided to obtain a transistor of a new concept using deformation of a carbon nano tube caused by deformation of a piezoelectric device by using a device of a several nano meter using a carbon nano tube. A piezoelectric device(6) is disposed at one side of a carbon nano tube(5) so that the carbon nano tube is deformed by contraction or expansion of the piezoelectric device. A switching process is performed by a difference of specific resistance of the carbon nano tube generated by a deformation quantity of the carbon nano tube caused by the contraction or expansion of the piezoelectric device. The piezoelectric device can be a shape memory piezoelectric actuator.
Abstract translation: 提供使用由碳纳米管的压电效应引起的变形的晶体管，以通过使用使用碳纳米管的几纳米器件来获得使用由压电器件的变形引起的碳纳米管的变形的新概念的晶体管 管。 压电装置（6）设置在碳纳米管（5）的一侧，使得碳纳米管通过压电装置的收缩或膨胀而变形。 通过由压电装置的收缩或膨胀引起的碳纳米管的变形量产生的碳纳米管的电阻差的差异进行切换处理。 压电器件可以是形状记忆压电致动器。
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公开(公告)号：KR1020100107228A
公开(公告)日：2010-10-05
申请号：KR1020090025405
申请日：2009-03-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/24
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/324 , H01L29/66575
Abstract: PURPOSE: A method for forming the contacts of semiconductor devices using a selective deposition method is provided to selectively deposit metal thin films by utilizing an atomic layer deposition method and a self-assembled monomolecular film. CONSTITUTION: The surface of a spacer is modified by applying a self-assembled monomolecular film on a semiconductor device. The self-assembled monomolecular film is based on octadecyltrichlorosilane. A metal thin film is formed around the modified surface of the spacer through an atomic layer deposition method. The metal thin film is thermally treated in order to form silicide. The self-assembled monomolecular film is then eliminated.
Abstract translation: 目的：提供使用选择性沉积方法形成半导体器件的触点的方法，通过利用原子层沉积法和自组装单分子膜来选择性地沉积金属薄膜。 构成：通过在半导体器件上施加自组装单分子膜来改变间隔物的表面。 自组装单分子膜基于十八烷基三氯硅烷。 通过原子层沉积法在间隔物的改性表面周围形成金属薄膜。 对金属薄膜进行热处理以形成硅化物。 然后消除自组装单分子膜。
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公开(公告)号：KR100920456B1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020070100430
申请日：2007-10-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 막대의 제조방법에 관한 것으로, 특히 촉매를 사용하지 않으며 단순한 공정을 통해 금속 나노 막대를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 플라스마 원자층 증착법에 사용되는 반응가스의 조절을 통해 자기 조립 나노 막대를 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에서는 코발트 전구체로 CoCp
2 를 사용하고, 퍼징가스로 아르곤 가스, 그리고 반응가스로 암모니아와 모노실란의 혼합가스의 플라스마를 사용하여 직경 약 10 nm 내외, 길이 50 ~ 60 nm의 나노 막대를 형성하였다.
자기 조립 나노 막대, 플라스마 원자층 증착 방법, 반응 가스의 조절, 금속 나노 막대-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101124352B1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020080060662
申请日：2008-06-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 플라스마 원자층 증착법(plasma-enhanced atomic layer deposition; PE-ALD)을 이용하여 금속 나노 구조물을 제작함에 있어서, 그 형상을 정확하게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 제조방법에 의하면, 금속 나노 구조물의 길이는 정해진 성장속도를 기본으로 성장 사이클로서 조절할 수 있으며, 지름은 기판의 온도를 조절함으로써 변화시킬 수 있다. 이 두 가지 요소를 적절히 혼합하면, 크기와 모양이 다른 여러 가지 나노 구조물 (나노 점, 나노 막대, 나노 선 등)을 손쉽게 대면적 기판 위에 제작할 수 있다.
금속 나노 구조, 나노 막대, 나노 점, 나노 선, 플라스마 원자층 증착법, 원자층 증착법-
公开(公告)号：KR101124351B1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020090041171
申请日：2009-05-12
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
Abstract: 본 발명은 초 임계 유체 증착법 (Supercritical Fluid Deposition; SCFD)을 이용하여 기판 위에 금속 나노 구조물을 제작하고, 그 형태와 크기를 조절하는 기술이다.
본 발명에서는 금속 나노 구조물의 형태와 크기를 기판의 온도 또는 금속 전구체의 농도를 조절함으로써 변화시킬 수 있고, 이러한 공정기술을 이용하면, 나노 점에서 박막까지 나노 구조물의 형태와 크기를 연속적으로 변화시키면서 손 쉽게 대면적 기판 위에 제작할 수 있으며, 평판뿐만 아니라, 입체적인 기판 위에도 제작 가능하다.
초 임계 유체 박막 증착 방법, 금속 나노 구조, 나노 점, 나노 크리스털 메모리, 플래시 메모리-
公开(公告)号：KR1020100122234A
公开(公告)日：2010-11-22
申请号：KR1020090041171
申请日：2009-05-12
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a metal nanostructure using supercritical fluid is provided to control the density, the shape, and the size of the metal nanostructure by controlling the deposition temperature of a metal precursor. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal nanostructure using supercritical fluid comprises the following steps: inserting reaction gas to a chamber including a substrate; setting the reaction temperature of the substrate; mixing a metal precursor with a solvent in a supercritical fluid state, and inserting the mixture to the chamber to react with the reaction gas; and removing non-reactants.
Abstract translation: 目的：提供使用超临界流体的金属纳米结构的制造方法，以通过控制金属前体的沉积温度来控制金属纳米结构的密度，形状和尺寸。 构成：使用超临界流体的金属纳米结构的制造方法包括以下步骤：将反应气体插入到包括基板的室中; 设定基板的反应温度; 将金属前体与超临界流体状态的溶剂混合，并将混合物插入室以与反应气体反应; 并除去非反应物。
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公开(公告)号：KR101078309B1
公开(公告)日：2011-10-31
申请号：KR1020090025405
申请日：2009-03-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/24
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28562
Abstract: 본발명은전이금속의원자층증착공정과자기조립단분자막을이용하여원하는부분에박막을증착할수 있어실리콘소자의콘택트형성에적용할수 있는방법에관한것으로서, 자기조립단분자막을원하는부분에코팅하여표면개질을행한뒤 원자층증착공정을실행하여개질된표면, 혹은개질되지않은표면위에만선택적으로증착이일어나도록한다. 이를사용하여실리콘전자소자의콘택트형성시에간편화된방법으로기존의방법을대체할 수있다.
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公开(公告)号：KR1020090035259A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100430
申请日：2007-10-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/28506 , C23C16/06 , C23C16/45553
Abstract: A fabrication method of a catalyst-less metal nano-rods by plasma-enhanced atomic layer deposition and a semiconductor element is provided to simplify a manufacturing process by growing a nano rod with a magnetic assembly. A silicon substrate without a natural oxide and a silicon substrate which is deposited with SiO2 of 100nm are heated at 300.C degrees. A redundancy precursor excluding a cobalt precursor is removed by spreading an argon purging gas for one second. NH3 200sccm and SiH 5cmm are reacted with a cobalt precursor absorbed on the silicon substrate. The redundancy reaction gas is removed by using the argon purging gas.
Abstract translation: 提供了通过等离子体增强的原子层沉积和半导体元件制造无催化剂的金属纳米棒的方法，以通过用磁性组件生长纳米棒来简化制造过程。 将没有天然氧化物的硅衬底和沉积有100nm的SiO 2的硅衬底在300℃加热。 除去钴前体之外的冗余前驱体通过将氩气吹扫气体扩散一秒来除去。 NH3 200sccm和SiH 5cmm与吸收在硅衬底上的钴前体反应。 通过使用氩气吹扫气体除去冗余反应气体。
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