公开(公告)号：KR1020140129774A

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020130048507

申请日：2013-04-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구종민 ,  홍순만 ,  황승상 ,  김민호 ,  나원준 ,  박윤덕 ,  이진홍 ,  백경열

IPC: H01G11/32 ,  H01G11/06

Abstract: 본 발명은 향상된 리튬이온 도핑 속도를 갖는 리튬이온 삽입/탈리용 전극을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 리튬이온 삽입/탈리용 전극을 음극으로서 채용한 리튬이온커패시터를 제공한다. 본 발명에서 제공하는 리튬이온 삽입/탈리용 전극은, 양면을 갖는 집전체로서, 금속 구리보다 높은 표준 환원 전위를 갖는 금속을 포함하는 집전체; 및 상기 집전체의 적어도 일면에 형성된 리튬이온 삽입/탈리용 활물질층;을 포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种用于以改善的锂离子掺杂速度插入和分离锂离子的电极。 另外，本发明提供一种锂离子电容器，其采用用于将锂离子作为阴极插入和分离的电极。 根据本发明提供的用于插入和分离锂离子的电极包括集电器，其包括标准还原电位高于铜的标准还原电位的金属和用于插入和分离在 收集器的至少一侧。

公开(公告)号：KR1020140126983A

公开(公告)日：2014-11-03

申请号：KR1020130045382

申请日：2013-04-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구종민 ,  황승상 ,  홍순만 ,  이진홍 ,  김민호 ,  유승건 ,  나원준 ,  알버트이성수 ,  백경열

IPC: H01M10/0565 ,  C08G77/06

Abstract: 본 발명은 가교성 사다리형 폴리실세스퀴옥산을 이용한 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질에 관한 것이다. 본 발명은 가교성 폴리실세스퀴옥산과 액상 전해질을 광 또는 열 개시로 겔화 반응시켜 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질을 제조하는 것을 특징으로 한다. 가교성 폴리실세스퀴옥산은 가교성 유기관능기를 갖고, 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.


여기서, R
1 , R
2
및 R
3
는 각각 알킬기, 알릴기, 비닐기, 에폭시기, 아민기, 할로겐, 알킬할로겐, 메타크릴기, 아크릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, n은 1 내지 10,000 의 정수이다.
본 발명에 의한 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질은 높은 이온전도도와 높은 전기 화학적 안정성을 가지기 때문에 리튬 이온 고분자 전지 등에 응용이 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用交联梯型聚倍半硅氧烷制备无机 - 有机杂化凝胶聚合物电解质的方法和由其制备的无机 - 有机杂化凝胶聚合物电解质。 本发明的特征在于通过在光学或热引发下使交联聚倍半硅氧烷与液体电解质凝胶反应来制备无机 - 有机杂化凝胶聚合物电解质。 交联聚倍半硅氧烷具有交联性有机官能团，由以下化学式1表示。这里，R 1，R 2和R 3包括选自以下的一种或多种：烷基，烯丙基， 乙烯基，环氧基，胺基，卤素，烷基卤，甲基丙烯酸基，丙烯酸基及其混合物，n为1〜10,000的整数。 本发明的无机 - 有机杂化凝胶聚合物电解质具有高的离子导电性和电化学稳定性，因此可以用于锂离子聚合物电池等。

公开(公告)号：KR1020140032793A

公开(公告)日：2014-03-17

申请号：KR1020120099520

申请日：2012-09-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구종민 ,  홍순만 ,  황승상 ,  유승건 ,  김민호 ,  백범기 ,  김일진 ,  이진홍 ,  백경열

IPC: C08J3/00 ,  C08J3/12 ,  C08L101/12 ,  C08K9/00

Abstract: A thermal conductive polymer composite material of the present invention comprises: first polymer particles and a plurality of monomers comprising thermally conductive layers covering the surface of the first polymer particles having higher thermal conductivity than the first polymer particles, and the thermally conductive layers of the monomers connected to each other and forming a heat conduction path. If using the thermal conductive polymer composite material, compared with a conventional composite material, despite being lightweight; excellent thermal conductivity can be provided and can be provided by a simple step of hot-pressing molding, thereby providing a polymer composite material which can effectively form a heat transfer path in the composite material. [Reference numerals] (AA) Heating and pressing

Abstract translation: 本发明的导热聚合物复合材料包括：第一聚合物颗粒和多个单体，其包含覆盖第一聚合物颗粒的表面的导热层，其具有比第一聚合物颗粒更高的热导率，并且单体的导热层 彼此连接并形成热传导路径。 如果使用导热聚合物复合材料，与常规复合材料相比，尽管重量轻; 可以提供优异的导热性，并且可以通过热压成型的简单步骤提供，从而提供可以在复合材料中有效形成传热路径的聚合物复合材料。 （附图标记）（AA）加热和加压

公开(公告)号：KR1020020077557A

公开(公告)日：2002-10-12

申请号：KR1020010017301

申请日：2001-04-02

Applicant: 광주과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 박성주 ,  김경국 ,  이지면 ,  김민호 ,  최원국 ,  정형진

IPC: H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a zinc oxide semiconductor is provided to improve an electric characteristic by activating a dopant included in a zinc oxide layer. CONSTITUTION: A zinc oxide layer including a dopant is deposited on a silicon substrate or a sapphire substrate. In order to from an n type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Al, In, Ga, and B or an oxide including Al, In, Ga, and B is added to the zinc oxide layer. In order to from a p type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Li, Na, K, N, P, As, and Ni or an oxide including Li, Na, K, N, P, As, and Ni is added to the zinc oxide. The substrate including the zinc oxide layer is loaded into a thermal processing reactor. The dopant of the zinc oxide layer is activated by performing the thermal process for the zincs oxide layer under atmosphere of one element selected from H, O, N, Ar, NO, N2O, and NO2 gas.

Abstract translation: 目的：提供一种制造氧化锌半导体的方法，以通过激活包含在氧化锌层中的掺杂剂来改善电特性。 构成：包含掺杂剂的氧化锌层沉积在硅衬底或蓝宝石衬底上。 为了从n型氧化锌半导体中，将选自Al，In，Ga和B的掺杂剂或包含Al，In，Ga和B的氧化物添加到氧化锌层中。 为了从ap型氧化锌半导体，选自Li，Na，K，N，P，As和Ni中的掺杂剂或包含Li，Na，K，N，P，As和Ni的氧化物是 加入到氧化锌中。 将包含氧化锌层的基板装载到热处理反应器中。 通过在选自H，O，N，Ar，NO，N 2 O和NO 2气体中的一种元素的气氛下进行氧化锌层的热处理来激活氧化锌层的掺杂剂。

公开(公告)号：KR101948804B1

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：KR1020150065552

申请日：2015-05-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구종민 ,  홍순만 ,  황승상 ,  김민호 ,  나원준 ,  박윤덕 ,  이진홍 ,  백경열

IPC: H01G11/50 ,  H01G11/06 ,  H01G11/68

公开(公告)号：KR101614017B1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：KR1020140032308

申请日：2014-03-19

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  경희대학교 산학협력단

Inventor： 구종민 ,  홍순만 ,  황승상 ,  백경열 ,  이진홍 ,  김민호 ,  나원준 ,  이장우 ,  이제승 ,  김훈식 ,  정민석 ,  홍성윤

IPC: H01M10/056 ,  H01M10/0564 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/052

Abstract: 본발명은알칼리금속이온과정전기적상호작용이가능한에테르치환기를함유하는음이온을포함하는이온성전해질및 상기이온성전해질에알칼리금속염, 특히리튬염을더 포함하는것인이온성전해질에관한것이다. 또한, 본발명은상기이온성전해질과알칼리금속염, 특히리튬염을특정몰비로혼합하여겔상의이온성전해질을제조하는방법에관한것이다.