Abstract:
개시된 단백질의 번역후 변형 모니터링 방법은, 베이스 비드의 표면에 단백질 항체를 결합하여 제1 마이크로 비드를 준비하는 단계, 상기 제1 마이크로 비드의 단백질 항체에, 서로 반비례적 관계인 제1 번역후 변형 또는 제2 번역후 변형을 갖는 대상 단백질을 결합하여 제2 마이크로 비드를 준비하는 단계, 상기 제2 마이크로 비드를, 상기 대상 단백질의 제1 번역후 변형과 선택적으로 결합하는 제1 번역후 변형 항체와 결합하여 제3 마이크로 비드를 준비하는 단계는 단계, 상기 제2 마이크로 비드를, 상기 대상 단백질의 제2 번역후 변형과 선택적으로 결합하는 제2 번역후 변형 항체와 결합하여 제4 마이크로 비드를 준비하는 단계, 상기 제3 마이크로 비드 및 상기 제4 마이크로 비드의 임피던스를 각각 측정하는 단계 및 상기 제4 마이크로 비드의 임피던스와 기준 임피던스의 제2 차이에 대한, 상기 제3 마이크로 비드의 임피던스와 상기 기준 임피던스의 제1 차이의 비율을 얻는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a thermoconductive composite is provided to improve the thermal conductivity of a thermoconductive composite by controlling the direction of fibrous filler or coating the surface of the fibrous filler with a metal material with excellent thermal conductivity. CONSTITUTION: A manufacturing method of a thermoconductive composite includes a step of forming a metal layer with thermal conductivity on the surface of fibrous filler (S10); a step of impregnating the fibrous filler into a melted polymer resin (S20); and a step of curing the fibrous filler and the melted polymer resin (S30). The metal material used in the step of forming the metal layer has a higher thermal conductivity than that of the fibrous filler. The metal material is at least one selected from Al, Ag, Cu, Ni, Sn, and Pt. [Reference numerals] (S10) Step of forming a metal layer with thermal conductivity on the surface of fibrous filler; (S20) Step of impregnating the fibrous filler with the metal layer into a melted polymer resin; (S30) Step of curing the impregnated fibrous filler and the melted polymer resin
Abstract:
PURPOSE: A glass-metal bonding method for photo package elements is provided to improve bonding characteristics, increase yield and shorten the process by performing oxidation, bonding, and reduction at the same time. CONSTITUTION: The glass-metal bonding method for joining a window glass(6) to a metal cap(5) of photo package element like laser diode is processed by heating metal cap and a sealing glass(7) at a rate of 1-100deg.C/min to 300-1000deg.C in vapor or mixed gas(vapor/carrier gas) atmosphere, and cooling at the same rate. The carrier gas is CH4, H2, CO/N2, CH4/N2, H2/Ar, H2/N2 or H2/He, and the sealing glass, low temperature glass, is composed of oxide fillers such as SiO2, B2O3, Al2O3, PbO, ZnO, La2O3 and ZrSiO4, and at least one of Si, B, Al, Pb, Zn, La and Ba.
Abstract:
PURPOSE: A glass-metal bonding method for photo package elements is provided to improve bonding characteristics, increase yield and shorten the process by performing oxidation, bonding, and reduction at the same time. CONSTITUTION: The glass-metal bonding method for joining a window glass(6) to a metal cap(5) of photo package element like laser diode is processed by heating metal cap and a sealing glass(7) at a rate of 1-100deg.C/min to 300-1000deg.C in vapor or mixed gas(vapor/carrier gas) atmosphere, and cooling at the same rate. The carrier gas is CH4, H2, CO/N2, CH4/N2, H2/Ar, H2/N2 or H2/He, and the sealing glass, low temperature glass, is composed of oxide fillers such as SiO2, B2O3, Al2O3, PbO, ZnO, La2O3 and ZrSiO4, and at least one of Si, B, Al, Pb, Zn, La and Ba.
Abstract:
본 발명은 가교성 사다리형 폴리실세스퀴옥산을 이용한 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질에 관한 것이다. 본 발명은 가교성 폴리실세스퀴옥산과 액상 전해질을 광 또는 열 개시로 겔화 반응시켜 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질을 제조하는 것을 특징으로 한다. 가교성 폴리실세스퀴옥산은 가교성 유기관능기를 갖고, 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
여기서, R 1 , R 2 및 R 3 는 각각 알킬기, 알릴기, 비닐기, 에폭시기, 아민기, 할로겐, 알킬할로겐, 메타크릴기, 아크릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, n은 1 내지 10,000 의 정수이다. 본 발명에 의한 유무기 하이브리드 겔 고분자 전해질은 높은 이온전도도와 높은 전기 화학적 안정성을 가지기 때문에 리튬 이온 고분자 전지 등에 응용이 가능하다.
Abstract:
본 발명의 열전도성 고분자 복합소재는 제1고분자입자와, 상기 제1고분자입자의 표면을 감싸고 상기 제1고분자입자의 열전도도보다 높은 열전도도를 갖는 열전도성층을 포함하는 단위체를 복수개로 포함하고, 상기 단위체의 열전도성층이 서로 연결되어 열전달 통로를 구성하는 것이다. 상기 열전도성 고분자 복합소재를 이용하면, 종래의 복합소재와 비교하였을 때 가벼운 중량에도 불구하고 우수한 열전도도를 제공할 수 있고, 이를 열간가압성형이라는 간단한 공정을 통하여 제조할 수 있어서, 효율적으로 복합소재 내에 열전달 통로를 형성시킬 수 있는 고분자 복합소재를 제공할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a zinc oxide semiconductor is provided to improve an electric characteristic by activating a dopant included in a zinc oxide layer. CONSTITUTION: A zinc oxide layer including a dopant is deposited on a silicon substrate or a sapphire substrate. In order to from an n type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Al, In, Ga, and B or an oxide including Al, In, Ga, and B is added to the zinc oxide layer. In order to from a p type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Li, Na, K, N, P, As, and Ni or an oxide including Li, Na, K, N, P, As, and Ni is added to the zinc oxide. The substrate including the zinc oxide layer is loaded into a thermal processing reactor. The dopant of the zinc oxide layer is activated by performing the thermal process for the zincs oxide layer under atmosphere of one element selected from H, O, N, Ar, NO, N2O, and NO2 gas.