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公开(公告)号：KR1020000050904A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990001052
申请日：1999-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495
CPC classification number: H01G4/1254 , C04B35/495 , C04B35/64 , C04B2235/6562 , C04B2235/658
Abstract: PURPOSE: A process for producing a dielectric ceramics using Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 having a relatively low sintering temperature is provided which reduces production cost by using inexpensive Ag or Ag-Pd as an inner electrode material. CONSTITUTION: A process comprises the steps of synthesizing FeNbOw by wet-mixing Fe2O3 and Bb2O5 in a molar ratio of 1 : 1, drying and sintering; compression-molding after wet-mixing FeNbO4 powder and PbO in a molar ratio of 1 : 2, drying and sintering; and sintering the molded Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 at 900 to 950°C, wherein the sintering step carried out in an oxygen atmosphere of 0 to 1 atm.
Abstract translation: 目的：提供一种使用具有相对较低烧结温度的Pb（Fe1 / 2Nb1 / 2）O3制备电介质陶瓷的方法，其通过使用廉价的Ag或Ag-Pd作为内电极材料来降低生产成本。 构成：一种方法包括以1:1的摩尔比湿法混合Fe2O3和Bb2O5来合成FeNbOw，干燥和烧结; FeNbO4粉末和PbO以1:2的摩尔比湿式混合后进行压缩成型，干燥烧结; 并在900〜950℃烧结成型的Pb（Fe1 / 2Nb1 / 2）O3，其中烧结步骤在0〜1atm的氧气氛中进行。
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公开(公告)号：KR1020000003023A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980024100
申请日：1998-06-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01R33/00
Abstract: PURPOSE: A measuring apparatus and method of a hysteresis loop are described, which can correctly measure the ferroelectric hysteresis loop by using one period power. CONSTITUTION: The measuring apparatus comprises alternative signal generator generating an alternative signal having a period of several or decades of seconds, a signal processor processing an output signal of the generator to generate measuring voltage in which at least one section is direct voltage and other sections are alternative voltage, a measuring circuit of which power is an output of the processor, and a signal measurer plotting a dielectric hysteresis is loop of a test bar mounted in the circuit.
Abstract translation: 目的：描述一种磁滞回线的测量装置和方法，可以通过使用一个周期功率来正确测量铁电滞后回路。 构成：测量装置包括产生具有数十或几十秒的周期的替代信号的替代信号发生器，信号处理器处理发生器的输出信号以产生测量电压，其中至少一个部分是直流电压，而其它部分是 替代电压，其功率是处理器的输出的测量电路，以及绘制介电滞后的信号测量器是安装在电路中的测试条的环路。
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公开(公告)号：KR1019950017846A
公开(公告)日：1995-07-20
申请号：KR1019930028525
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 MgO와 Nb
2 O
5 를 1,000℃에서 1차 하소시킨 후, 1,100℃이상에서 2차 하소시켜 MgNb
2 O
6 를 생성시키고, 이를 PbO
3 와 반응시켜 Pb(Mg
1/3 Nb
2/3 /7)0
3 의 이차상 생성을 억제하는 방법을 제공하는 것이다. 이렇게 생성된 PMN은 유전율 등이 우수한 PMN계 세라믹 캐패시터로서 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100302455B1
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：KR1019980030344
申请日：1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495
Abstract: 본 발명은 고주파용 세라믹스 조성물에 관한 것으로, 특히 1 mole의 MgNb
2 O
6 에 대해 각각 0 ∼ 1 mole의 TiO
2 를 조합으로 하는 것을 주 조성으로 하고 첨가제로서 MO
3 (M
6+ = W, Mo, Cr, Se, Te 및 Po)가 각각 0 ∼ 0.4 wt%로 구성되는 것을 특징으로 하는 유전체 세리믹스 조성물에 관한 것으로, 기존의 고주파 유전체 조성보다 비교적 낮은 소결온도 (1,200℃)이면서 높은 품질계수 (QX f > 40,000 GHz)와 유전상수 ( εr > 25) 및 안정된 온도계수 (τf = -49∼ +38 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 MgNb
2 O
6- TiO
2 와 같은 비교적 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000050738A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990000812
申请日：1999-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/203
Abstract: PURPOSE: A fabricating method of a thin film through a sol-gel technique is provided to prevent undesirable phenomena such as fracture, crack, or roughness of the thin film without employing a drying additive. CONSTITUTION: A method for fabricating a thin film through a sol-gel technique includes a step of coating a sol solution in which a film material is dissolved on a substrate or a preformed thin film, and a step of forming the thin film of gel state by drying the coated sol solution. In particular, the sol solution does not employ a drying control chemical additive. However, the sol solution has a good property of preventing fracture, crack, or roughness of the thin film. Such a property of the sol solution is obtained by controlling surface tension thereof. Surface tension of the sol solution is controlled by changing the mixture ratio between solvent and distilled water. Preferably, the sol solution may have surface tension of less than 35 dyne/cm by mixing solvent of two mol or more per one mol distilled water.
Abstract translation: 目的：提供通过溶胶 - 凝胶技术的薄膜的制造方法，以防止不需要使用干燥添加剂的薄膜的不良现象，例如薄膜的断裂，裂纹或粗糙度。 构成：通过溶胶 - 凝胶技术制造薄膜的方法包括将其中溶解有薄膜材料的溶胶溶液涂布在基材或预成型薄膜上的步骤，以及形成凝胶态薄膜的步骤 通过干燥涂覆的溶胶溶液。 特别地，溶胶溶液不使用干燥控制化学添加剂。 然而，溶胶溶液具有防止薄膜的断裂，裂纹或粗糙度的良好性能。 溶胶溶液的这种性质通过控制其表面张力而获得。 通过改变溶剂和蒸馏水的混合比来控制溶胶溶液的表面张力。 优选地，溶胶溶液可以通过混合每摩尔蒸馏水两摩尔以上的溶剂而具有小于35达因/厘米3的表面张力。
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公开(公告)号：KR100197159B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960053392
申请日：1996-11-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: F27D11/00
Abstract: 본 발명은 지르코니아 발열체의 내열충격성을 개선하여 그 수명을 향상시키기 위해 외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조; 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체가 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 1개의 발열체인 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조 및 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1cm인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019980035133A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960053392
申请日：1996-11-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: F27D11/00
Abstract: 본 발명은 지르코니아 발열체의 내열충격성을 개선하여 그 수명을 향상시키기 위해 외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조; 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체가 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조 및 상기지르코니아 발열체에 개재되는 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1cm인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019960011352B1
公开(公告)日：1996-08-22
申请号：KR1019930028525
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: The process includes (a)calcining a mixture of MgO and Nb2O5 primarily at 1,000 deg.C; (b)crushing the calcined powder; (c)producing MgNb2O6 by calcining crushed material secondarily in the temperature range of 1,200 deg.C to 1,500 deg.C and (d)calcining a mixture of said MgNb2O6 and PbO in the temperature range of 800 to 900 deg.C. The process is characterized by inhibiting the formation of secondary phase, which causes the dielectric constant of capacitor to decrease.
Abstract translation: 该方法包括（a）主要在1000℃煅烧MgO和Nb2O5的混合物; （b）粉碎煅烧粉末; （c）通过在1200℃〜1500℃的温度范围内二次煅烧粉碎材料制备MgNb 2 O 6，（d）在800-900℃的温度范围内煅烧所述MgNb 2 O 6和PbO的混合物。 该过程的特征在于抑制二次相的形成，这导致电容器的介电常数降低。
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