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公开(公告)号：KR1020150052389A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130132739
申请日：2013-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及发光器件和发光器件封装。 根据本发明的发光器件包括：支撑衬底; 形成在所述支撑基板上的第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及形成在第二导电半导体层上的晶格结构的光扩散层。
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公开(公告)号：KR100874896B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020070001026
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.
Abstract translation: 提供具有窄波束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激励，或者 一个微透镜。 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱活性层，核心层，上量子阱活性层和上包层。 下包层（31a）形成在板上。 下部量子阱活性层（32a）形成在下部覆盖层上。 芯层（33）形成在下量子阱有源层上。 在核心层上形成上量子阱有源层（32b）。 上部包层（31b）形成在上部量子阱活性层上。
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公开(公告)号：KR100819388B1
公开(公告)日：2008-04-07
申请号：KR1020070001021
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A board spectrum light emitting device is provided to obtain lights having a broad spectrum discharged from a quantum dot and a quantum well active layer by allowing the quantum dot in an electric field reinforcing layer to absorb photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon. Core layers(33a,33b) enclose a quantum well active layer(34). Cladding layers(31a,31b,31c,31d) include electric field reinforcing layers(32a,32b) whose refractive index is higher than that of the cladding layer. The electric field reinforcing layer includes plural quantum dots(QD). The quantum well active layer discharges light of a first wavelength. The quantum dot discharges light of a second wavelength longer than the first wavelength. A band gap of the quantum dot is smaller than that of the quantum well active layer. The quantum dot in the electric field reinforcing layer absorbs photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon.
Abstract translation: 提供了一种板光谱发光器件，通过允许电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子而获得从量子点和量子阱活性层放出的光谱， 第二光子。 芯层（33a，33b）包围量子阱活性层（34）。 包覆层（31a，31b，31c，31d）包括其折射率高于包层的折射率的电场增强层（32a，32b）。 电场增强层包括多个量子点（QD）。 量子阱有源层放电第一波长的光。 量子点放电比第一波长长的第二波长的光。 量子点的带隙小于量子阱活性层的带隙。 电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子以产生第二光子。
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公开(公告)号：KR1019970061804A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960002454
申请日：1996-02-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 식 53ZrF
4 -25BaF
2 -(4-x)LaF
3 -3AlF
3 -15NaF-xTmF
3 으로 이루어진 1.48 및 1.75 마이크로미터 빛살을 방출하는 레이저 유리에 관한 것이다. 또한 본 발명의 레이저 유리에 레이저 다이오드를 펌핑광원으로서 사용하는 방출방법이 개시된다.
본 발명의 레이저 유리는 가변 파장이 크며 효율이 우수하여 소형의 레이저를 제작하는데 적합하다.-
公开(公告)号：KR101867378B1
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR1020160100097
申请日：2016-08-05
IPC: H01G4/12 , C04B35/468 , H01G4/30 , H01G13/00
Abstract: 본발명은기판을준비하는단계, 기판의상부에하부금속층을형성하는단계, 하부금속층의상부에 BSTO층을형성하는단계, 및 BSTO층의상부에상부금속층을형성하는단계를포함하는 BSTO 유전체를갖는축전지의제조방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101528332B1
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020140002963
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J3/0297 , G01J3/28 , G03F7/70516 , G03F7/70575 , G03F7/70616
Abstract: 본발명은극자외선발생및 분광기캘리브레이션장치및 그방법에관한것으로, 극자외선노광기술, 마스크검사기술에이용되는극자외선광의스펙트럼의파장을정확하게측정할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于极紫外线发生和光谱仪校准的装置和方法，并且具有精确测量在极紫外曝光技术中使用的极紫外光的光谱波长和掩模检查技术的优点。 用于极紫外线生成和光谱仪校准的装置包括：用于产生极紫外光的装置; 极紫外线发生模块; 和极紫外光谱仪校准装置。
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公开(公告)号：KR100835666B1
公开(公告)日：2008-06-09
申请号：KR1020070000143
申请日：2007-01-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/203 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC classification number: C30B29/60 , C30B29/16 , Y10S977/774 , Y10T428/259
Abstract: A method for forming a ZnO nano-crystal directly on a silicon substrate is provided to omit additional processes when forming a silicon substrate based photoelectric cell by forming the amorphous ZnO-nano crystal within a Zn-Si-O complex thin film directly. In a method for forming a ZnO nano-crystal directly on a silicon substrate, a Zn-Si-O complex thin film is formed on a semiconductor substrate, and the Zn-Si-O complex thin film is annealed. Wherein, the ZnO nano crystal is formed within an amorphous Zn-Si-O complex thin film on a silicon substrate, and the Zn-Si-O complex thin film is formed by using a sputtering method.
Abstract translation: 提供了直接在硅衬底上形成ZnO纳米晶体的方法，以通过在Zn-Si-O络合物薄膜内形成非晶ZnO纳米晶体直接形成基于硅衬底的光电池来省略附加工艺。 在直接在硅衬底上形成ZnO纳米晶体的方法中，在半导体衬底上形成Zn-Si-O络合物薄膜，对Zn-Si-O络合物薄膜进行退火。 其中，ZnO纳米晶体形成在硅衬底上的非晶态Zn-Si-O复合薄膜中，并且通过使用溅射法形成Zn-Si-O络合物薄膜。
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公开(公告)号：KR100602973B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020030076161
申请日：2003-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2304/04
Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 기판 상에 형성되는 n형 클래딩층, n형 클래딩층 상에 형성되는 n형 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층, n형 SCH층 상에 형성되며 사전설정된 파장 대역의 광을 발생시키기 위한 다층양자우물, 다층양자우물 상에 형성되며 광을 구속하기 위한 p형 SCH층, p형 SCH층 상에 형성되며 광의 손실을 방지하기 위한 p형 클래딩층, p형 클래딩층 상에 형성되며 옴접촉을 조절하기 위한 오믹층, 및 광을 발생시키기 위한 전류를 다층양자우물로 주입하기 위한 전극을 포함하며, n형 클래딩층은 광의 손실을 방지하고, n형 SCH층은 광을 구속하며, 다층양자우물은 사전설정된 적층 주기로 교번하여 형성된 다수의 압축 스트레인 우물층 및 다수의 긴장 스트레인 장벽층에 의해 스트레인 보상되는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
레이저 다이오드, 스트레인 보상 다층양자우물, 압축 스트레인 우물층, 긴장 스트레인 장벽층, 에피 구조-
公开(公告)号：KR1020040083753A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020030018348
申请日：2003-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser diode having an asymmetric SCH(Separate-Confinement Hetero) structure and a fabricating method thereof are provided to improve a thermal characteristic and an optical characteristic by reducing internal loss due to inserting a p-InP layer. CONSTITUTION: An n-type cladding layer(220) is formed on a substrate. An n-type second SCH layer(218) is formed on the n-type cladding layer. The first n-type SCH layer(210) is formed on the second SCH layer. An active layer(212) is formed on the first n-type SCH layer. The first p-type SCH layer(208) is formed on the active layer. The first insertion layer(206) is formed on the p-type first SCH layer. A p-type second SCH layer(204) is formed on the first insertion layer. A p-type cladding layer(202) is formed on the p-type second SCH layer.
Abstract translation: 目的：提供具有不对称SCH（分离限制异质）结构的半导体激光二极管及其制造方法，通过减少由于插入p-InP层引起的内部损耗来改善热特性和光学特性。 构成：在基板上形成n型包覆层（220）。 在n型包覆层上形成n型第二SCH层（218）。 第一n型SCH层（210）形成在第二SCH层上。 在第一n型SCH层上形成有源层（212）。 第一p型SCH层（208）形成在有源层上。 第一插入层（206）形成在p型第一SCH层上。 在第一插入层上形成p型第二SCH层（204）。 p型覆层（202）形成在p型第二SCH层上。
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公开(公告)号：KR100390446B1
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020000054894
申请日：2000-09-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: Provided is a PbO-ZrO2-CaO-TiO2 system dielectric ceramic composition with high dielectric constant(more than 100) for microwave products of small size and light weight such as filters, duplexer and resonators. CONSTITUTION: The microwave dielectric ceramic composition is represented by the formula, (1-y)(Pb1-xCaxZr0.9Ti0.1)O3 + ySrZrO3 (0.3
Abstract translation: 目的：提供一种具有高介电常数（超过100）的PbO-ZrO2-CaO-TiO2系统介电陶瓷组合物，用于小尺寸和重量轻的微波产品，如滤波器，双工器和谐振器。 构成：微波介质陶瓷组合物由式（1-y）（Pb1-xCaxZr0.9Ti0.1）O3 + ySrZrO3（0.3≤x≤0.4,0.3≤y≤0.4）表示。 该组合物通过以下步骤获得：制备PbZrO3-CaTiO3组合物; 以相应于配方的比例加入SrCO 3，ZrO 2和摩尔分数为0.003-0.005的CeO 2以降低烧结温度并改善品质因数; 球磨，干燥，并在1300-1400℃下烧结。
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