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公开(公告)号：KR1020160054171A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140153385
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/02 , G01N27/26 , G01N27/414 , G01N27/327 , H01L21/02
CPC classification number: G01N27/02 , G01N27/26 , G01N27/00 , G01N27/3278 , G01N27/414 , H01L21/02606
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에절연막을형성하는단계, (b) 절연막상에복수개의전극들을형성하는단계, (c) 절연막상에 OTS막을형성하는단계, 및 (d) 전극들에탄소나노튜브입자를흡착하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于制造不使用门控磁滞的碳纳米管传感器的方法，其可以使用经济和简单的方法来提高传感器性能并消除门控滞后。 制造无门限门控碳纳米管传感器的方法包括：（a）在衬底上形成绝缘膜的步骤; （b）在绝缘膜上形成多个电极的步骤; （c）在绝缘膜上形成OTS膜的步骤; 和（d）将碳纳米管颗粒吸附在电极上的步骤。
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公开(公告)号：KR101769921B1
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：KR1020160079270
申请日：2016-06-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은가스센서측정기에관한것으로, 외부에서제공되는가스를수용가능하도록이루어지는챔버, 상기챔버하부에설치되는히터상부, 상기히터상부의하부에설치되어센서칩을가열시키는히터, 상기히터상부위에직접놓여지고가스를감지하는센서칩, 상기센서칩을고정시키고전극역할을하는프로브, 외부의가스유입및 유출이가능하도록상기챔버에설치되는가스유입부및 가스유출부를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101759274B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020160043583
申请日：2016-04-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/12 , G01N27/333 , G01N27/22
CPC classification number: G01N27/12 , G01N27/333 , G01N2027/222 , Y10S977/742
Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브및 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에형성된전극을포함하며, 상기탄소나노튜브의표면에검출대상가스분자가통과할수 있는크기의홀(hole)이적어도하나이상형성되어있는탄소나노튜브기반의고감도가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 열처리공정만으로시판중인탄소나노튜브의표면에홀을형성하고, 이를감지물질로이용함으로써가스센서의반응도및 회복율을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101709626B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150117449
申请日：2015-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , G01N27/12 , G01N33/497 , C07F7/02 , C07F7/10
Abstract: 본발명은기판상에적어도하나의가스감지영역을포함하는가스센서로서, 상기가스감지영역이아미노화합물및 탄소나노튜브를포함하는것을특징으로하는일산화질소를선택적으로감지하는가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 아미노화합물과탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써상온에서동작이가능하고, 저농도 NO 가스를높은감도로감지할수 있는가스센서및 그제조방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101701917B1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150133025
申请日：2015-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/0026 , B22F1/025 , B22F7/04 , B22F2007/042 , B22F2301/25 , B22F2302/403 , B22F2304/054 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/185 , C23C14/5806 , G01N27/12 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0096 , B22F3/10 , B22F9/026 , B22F2003/248 , B22F1/0018 , C22C2026/002 , B22F2201/11
Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브표면에부착된백금나노입자및 상기백금나노입자가부착된탄소나노튜브가흡착된기판상에형성된전극을포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 백금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 2 ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO뿐만아니라 CH, CH, CHO, CO, NO, NH등과같은유해가스도안정적으로감지할수 있고, 특히 NO가스에대한선택성및 감응특성이우수한가스센서의제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种气体传感器及其制造方法。 气体传感器包括基板，吸附在基板上的碳纳米管（CNT），装饰到CNT的表面的铂纳米粒子（NP）以及在其上吸附有装有铂NP的CNT的基板上形成的电极。 当铂NP和CNT用作感测材料时，气体传感器可用于感测高灵敏度的气体，即使以至少2ppm的低浓度存在并且稳定地感测有害气体如C6H6，C7H8，C3H6O， CO，NO和NH 3以及NO 2，并且对于NO 2气体可以具有特别优异的选择性和响应特性。
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公开(公告)号：KR1020160082290A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140193371
申请日：2014-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L2924/13061
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (b) 탄소나노튜브입자가흡착된상기기판상에채널을형성하는단계, (c) 상기채널상에금속막을증착하는단계, (d) 상기금속막이외부분의탄소나토튜브입자를에칭하여제거하는단계, (e) 상기채널양쪽에전극을형성하는단계, (f) 상기채널상에증착된금속막을에칭하여제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种碳纳米管传感器的制造方法，包括以下步骤：（a）在基板上吸收碳纳米管颗粒; （b）在其上吸收碳纳米管颗粒的基板上形成通道; （c）在通道上沉积金属膜; （d）蚀刻除去金属膜以外的部分的碳纳米管颗粒; （e）在通道的两侧形成电极; 和（f）蚀刻沉积在待消除的通道上的金属膜。 因此，该方法可以稳定传感器制造。
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公开(公告)号：KR1020160054170A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140153384
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/02 , G01N27/26 , G01N27/414 , G01N27/327 , H01L21/02
CPC classification number: G01N27/4146 , G01N27/02 , G01N27/00 , G01N27/26 , G01N27/3278 , G01N27/414 , H01L21/02606
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에절연막을형성하는단계, (b) 절연막상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (c) 탄소나노튜브가흡착된절연막상의일정영역에전극들을형성하는단계, (d) 전극들을포토레지스트로코팅하는단계, (e) 절연막을식각하여전극들사이의탄소나노튜브가공중에부양되도록하는단계, (f) 전극들에코팅된포토레지스트를제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造碳纳米管传感器的方法，包括：（a）在基板上形成绝缘膜; （b）在绝缘膜上吸收碳纳米管颗粒; （c）在已经吸收了碳纳米管颗粒的绝缘膜上的预定区域处形成电极; （d）用光致抗蚀剂涂覆电极; （2）雕刻绝缘膜，使电极之间的碳纳米管在空气中飞行; 和（f）除去涂有电极的光致抗蚀剂。 本发明除去比特定长度短的碳纳米管以缩短通道的有效长度，从而提高灵敏度。
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