公开(公告)号：KR1019960010249B1

公开(公告)日：1996-07-26

申请号：KR1019920022562

申请日：1992-11-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박상우 ,  유경호 ,  강용구 ,  이영환 ,  곽현태 ,  황종록 ,  박성준 ,  김태영

IPC: C08G12/18 ,  C08G12/10

Abstract: The polycyanamide compound of formula (I) is prepared by conducting diazotization of polycyanamide of formula(II) in sulfuric acid; coupling diazotized polycyanamide with alizarin yellow GG of formula (IIIa), sudan III of formula(IIIb), orange II of formula(IIIc), acriflavine of formula(IIId), bordeaux R of formula(IIIe), K2 of formulas(IIIf). In formula, x is 10-30.

Abstract translation: 式（I）的聚氰胺化合物通过在硫酸中进行式（II）的聚氰胺的重氮化来制备; 将式（IIIa）的茜素黄GG，式（IIIb）的苏丹III，式（IIIc）的橙色II，式（IIId）的吖啶啉，式（IIIe）的波尔多R，式（IIIf）的K2与重氮化的聚氰胺 。 在式中，x为10-30。

公开(公告)号：KR100845744B1

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：KR1020070070284

申请日：2007-07-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이광렬 ,  문명운 ,  김태영 ,  비아루치잉그마르 ,  크라우스베빌로구아

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/033 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

Abstract: A fabricating method of a super-hydrophobic surface and a super-hydrophobic surface body fabricated therefrom are provided to enhance super-hydrophobic characteristics of a final surface by forming a double protrusion structure. A mask pattern(20) is formed on a wafer(10). A plurality of first protrusions(11) and a plurality of second protrusions(12) formed between the first protrusions are simultaneously formed by etching the wafer exposed by the mask pattern. A hydrophobic thin film is formed on the first protrusions and the second protrusions. The process for forming the first and second protrusions is performed by a plasma etch process using CF4 gas. The process for forming the first and second protrusions is performed under conditions of etch pressure of 2Pa-5pa and RF power of 100W-300W.

Abstract translation: 提供由其制造的超疏水表面和超疏水表面体的制造方法，以通过形成双突起结构来增强最终表面的超疏水特性。 在晶片（10）上形成掩模图案（20）。 通过蚀刻由掩模图案曝光的晶片，同时形成在第一突起之间形成的多个第一突起（11）和多个第二突起（12）。 在第一突起和第二突起上形成疏水性薄膜。 通过使用CF 4气体的等离子体蚀刻工艺来进行用于形成第一和第二突起的工艺。 用于形成第一和第二突起的工艺在蚀刻压力为2Pa-5pa和RF功率为100W-300W的条件下进行。

公开(公告)号：KR1020060083348A

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020050003859

申请日：2005-01-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태영 ,  이광렬 ,  이철승

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B32/05 ,  B01J19/12

Abstract: 본 발명은 수소를 거의 함유하지 않고 sp
3 분율이 높으며, 잔류응력이 감소되고 전기 저항이 증가된 것을 특징으로 하는 경질 탄소 박막을 제공한다. 이 박막은 아크 방전에 의하여 고체 탄소원의 아크젯 플라즈마를 발생시키고, 상기 반응 챔버에 아르곤을 일정한 유량으로 공급하여 상기 기판 상에 형성된다.
경질 탄소 박막, 진공여과아크법, 아르곤 가스, 잔류응력

公开(公告)号：KR1019940011438A

公开(公告)日：1994-06-21

申请号：KR1019920022562

申请日：1992-11-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박상우 ,  유경호 ,  강용구 ,  이영환 ,  곽현태 ,  황종록 ,  박성준 ,  김태영

IPC: C08G12/18 ,  C08G12/10

Abstract: 본 발명은 신규한 다음 일반식(Ⅰ)의 폴리시안아미드 화합물 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

상기식에서



x는 10 내지 30의 정수이다.
일반식(Ⅰ)의 화합물은 광전지 물질로서, 태양광 전지, 고분자 축전지, 기능소자 등에 이용될 수 있다.