公开(公告)号：KR1020010094381A

公开(公告)日：2001-11-01

申请号：KR1020000016605

申请日：2000-03-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  이덕중 ,  이윤희 ,  오명환

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A vacuum mounting method is provided to maximize a vacuum efficiency of an inner of panels and to improve a permeation rate of a silicon substrate by using electrostatic bonding. CONSTITUTION: A contact medium(14) is deposited on a peripheral region of an FED(field emission device) of a cathode substrate(10b). A spacer(12) and the cathode substrate(10b) are electrostatically bonded by applying a desired voltage to the both ends of the spacer(12) and the cathode substrate(10b). An electrode and a contact medium are sequentially deposited on an anode substrate(10a). Then, the spacer(12) and the anode substrate(10a) are bonded by electrostatic bonding and by applying a desired voltage to both ends of the anode substrate(10a) and the spacer(12) bonded to the cathode substrate(10b).

Abstract translation: 目的：提供真空安装方法，以最大限度地提高面板内部的真空效率，并通过使用静电接合来提高硅衬底的渗透速率。 构成：接触介质（14）沉积在阴极衬底（10b）的FED（场发射器件）的外围区域上。 通过对间隔物（12）和阴极基板（10b）的两端施加期望的电压来使间隔物（12）和阴极基板（10b）静电接合。 在阳极基板（10a）上依次沉积电极和接触介质。 然后，通过静电接合和通过对与阳极基板（10a）的接合到阴极基板（10b）的间隔物（12）的两端施加期望的电压来将间隔物（12）和阳极基板（10a）接合。

公开(公告)号：KR1019990025163A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970046677

申请日：1997-09-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최우범 ,  오명환 ,  주병권 ,  이덕중

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 반도체기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체기판의 정전 열 접합방법은 높은 온도와 고전압을 인가하여 제조비용이 증가하고, 접합면적이 국부적이고 접합강도에 있어서도 제품의 응용에는 불안정한 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 유리기판과 반도체기판을 세척하는 기판세척단계와; 상기 두 기판을 소정온도로 가열된 친수화용액에 수 분 동안 두어 친수화처리 하는 친수화 처리단계와; 상기 친수화 처리단계를 통해 친수화된 두 기판을 건조하는 건조단계와; 상기 건조된 기판을 직접접합하는 초기 직접접합단계와; 상기 직접접합된 기판을 오븐에 넣고 건조시키는 오븐건조단계와; 상기 직접접합된 기판에 소정의 전압과 열을 인가하여 정전 열 접합시키는 정전 열 접합단계로 이루어져 반도체기판과 유리기판을 친수화처리한 후 접합하여 종래 보다 낮은 온도 및 전압조건에서 강한 접합력과 넓은 접합 면적을 갖도록 함으로써, 제조비용의 절감과 아울러 제품의 안정성 및 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.