公开(公告)号：KR100523871B1

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：KR1020030025361

申请日：2003-04-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  김재헌 ,  전영민 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  이종창

IPC: G02F3/00

Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용한 전광 NOR 논리소자 구현장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 논리소자 중에 특히 10Gbit/s 전광 NOR 논리소자를 구현하는 장치 및 그 구현방법에 관한 것이다.
본 발명의 전광 NOR 논리소자 구현방법은, 1100의 입력신호 패턴 A와 0110의 입력신호 패턴 B의 입력신호 합인 A+B 신호를 펌프신호(1110)로 이용하고 상기 1100의 입력신호 패턴 A로 클락신호를 만들어 조사신호(1111)로 이용하여, 상기 조사신호와 펌프신호를 반도체 광증폭기(SOA)에 동시에 반대방향으로 입사시켜 불리언(Boolean) 논리식 를 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전광 NOR 논리소자는 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용하는 XGM(Cross Gain Modulation) 방법으로 구현되기 때문에 구조가 간단하며, 다른 기능의 전광 논리소자들이 동일한 방법으로 구성될 수 있으므로 전광회로 및 전광 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다.