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公开(公告)号：KR101541084B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140021412
申请日：2014-02-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/337
CPC classification number: H01L51/0558 , C01B32/194 , H01L51/0012 , H01L51/002 , H01L51/0045 , H01L51/0093 , H01L51/0562 , H01L51/0583 , H01L51/107
Abstract: 그래핀(graphene) 내 PN 접합형성방법은, 그래핀층을형성하는단계; 및상기그래핀층의일부영역에, 상기그래핀층에흡착되었을때 상기그래핀층에미리결정된도핑특성을부여하도록설계된염기배열구조를갖는 DNA 분자층을형성하는단계를포함할수 있다. 그래핀이특정반도체특성을갖도록도핑시키도록염기배열구조가설계된 DNA 분자를마이크로패터닝에의해일부영역이노출된그래핀층 표면에코팅함으로써, 그래핀층에서 DNA 분자가코팅된영역과코팅되지않은영역에의해다양한구조의 PN 접합을형성할수 있다.
Abstract translation: 在石墨烯中形成PN结的方法可以包括形成石墨烯层的步骤; 以及形成具有设计的碱基序列结构的DNA分子层的步骤，以在石墨烯层被吸附到石墨烯层的一部分时提供预定的掺杂特性。 具有设计的碱基序列结构的具有掺杂以允许石墨烯具有特定半导体特性的DNA分子被涂覆在通过微图案化部分暴露的石墨烯层的表面上。 因此，各种结构的PN结可以由涂覆有DNA分子的区域和未被DNA分子包被的区域形成。
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公开(公告)号：KR1020050028412A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020030064638
申请日：2003-09-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: A method of realizing an all-optical AND logical device using a semiconductor optical amplifier is provided to use gain saturation characteristics of the amplifier in order to implement the device. One semiconductor optical amplifier(SOA2) of two semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) receives a clock signal(CLOCK) of a constant time period as the first irradiation signal along with the first pump signal(B) and generates a gain-modulated output value. The other semiconductor optical amplifier(SOA1) thereof receives the second irradiation signal(A) along with the gain-modulated output value as the second pump signal and outputs an AND signal(AB).
Abstract translation: 提供一种使用半导体光放大器实现全光AND AND逻辑器件的方法，以使用放大器的增益饱和特性来实现器件。 两个半导体光放大器（SOA1，SOA2）的一个半导体光放大器（SOA2）与第一泵浦信号（B）一起接收作为第一辐射信号的恒定时间段的时钟信号（CLOCK），并产生增益调制输出 值。 其他半导体光放大器（SOA1）连同增益调制输出值作为第二泵浦信号接收第二照射信号（A），并输出“与”信号（AB）。
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4.发明授权높은 위상변조 효율을 갖는 ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰｒｉｄｇｅ 도파로 위상 변조기의 에피박막층 제조방법 失效具有高相位调制效率的InGaAsP / InP脊波导相位调制器的外延层结构的制造方法
公开(公告)号：KR100498259B1
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030023458
申请日：2003-04-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/13
Abstract: 본 발명은 높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InP 리지(Ridge) 도파로 위상변조기의 에피박막층 제조방법에 관한 것이다. 특히, 1.55 ㎛ 파장에서 TE 모드의 위상변화가 역바이어스 전압에 선형 비례함과 동시에 높은 위상변조 효율을 갖도록 제작된 PpnN InGaAsP/InP 리지(ridge) 도파로 위상변조기에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, InGaAsP/InP 도파로 위상 변조기의 수직방향 광구속을 얻기 위한 에피 박막층 제조방법에 있어서, N
+ -InP(≥2×10
18 cm
-3 ) 기판 위에 0.25 두께의 N-InP(3 ×10
17 cm
-3 ) 제 1클래딩층을 형성하는 단계와; 상기 제 1클래딩층 위에 0.25 두께의 n-InGaAsP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 1도파로층과 0.25 두께의 p-InGaAsP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 2도파로층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 2도파로층 위에 0.75 두께의 P-InP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 2클래딩층과 0.25 두께의 P-InP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 3클래딩층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 3클래딩층 위에 0.2 두께의 p
+ -InGaAs(1 ×10
18 cm
-3 ) 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR1020040091797A
公开(公告)日：2004-11-02
申请号：KR1020030025361
申请日：2003-04-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for producing an electro-optic NOR logic device are provided to produce a 10Gbit/s electro-optic NOR device using gain saturation characteristic of a semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An apparatus for producing an electro-optic NOR device includes a pump signal generator, a scan signal generator, and a NOR producing unit. The pump signal generator uses an input signal pattern A and an input signal pattern B to generate the signal A+B corresponding to the sum of the input signal patterns and uses the signal A+B as a pump signal. The scan signal generator generates a clock signal from the input signal A and uses the clock signal as a scan signal. The NOR producing unit simultaneously inputs the scan signal and pump signal to a semiconductor optical amplifier in opposite directions.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电光NOR逻辑器件的装置和方法，以使用半导体光放大器的增益饱和特性来产生10Gbit / s的电光NOR器件。 构成：用于制造电光NOR装置的装置包括泵信号发生器，扫描信号发生器和NOR产生单元。 泵浦信号发生器使用输入信号模式A和输入信号模式B产生对应于输入信号模式之和的信号A + B，并使用信号A + B作为泵浦信号。 扫描信号发生器从输入信号A产生时钟信号，并使用时钟信号作为扫描信号。 NOR产生单元同时将扫描信号和泵浦信号输入到相反方向的半导体光放大器。
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Patent Agency Ranking6.发明公开높은 위상변조 효율을 갖는 ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰｒｉｄｇｅ 도파로 위상 변조기의 에피박막층 제조방법 失效用于制造具有高相位调制效率的INGAASP / INP RIDGE波形相位调制器的EPI层的方法，其中开关电压低于2.5V
公开(公告)号：KR1020040089371A
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：KR1020030023458
申请日：2003-04-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/13
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating epi-layer of an InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulator having high phase modulation efficiency is provided to reduce the manufacturing cost and enhance the reliability by using a semiconductor including chemical compounds of a third and a fourth group. CONSTITUTION: A first cladding layer(20) of N-InP is formed on an N¬+-Inp substrate(10). A first waveguide layer(30) of n-InGaAsP and a second waveguide layer(40) of p-InGaAsP are formed on the first cladding layer sequentially. A second cladding layer(50) of P-InP and a third cladding layer(60) of P-InP are sequentially formed on the second waveguide layer. A p+-InGaAs electrode layer(70) is formed on the third cladding layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有高相位调制效率的InGaAsP / InP脊波导相位调制器的外延层的方法，以通过使用包括第三和第四组的化合物的半导体来降低制造成本并提高可靠性。 构成：N-InP衬底（10）上形成N-InP的第一覆层（20）。 n-InGaAsP的第一波导层（30）和p-InGaAsP的第二波导层（40）依次形成在第一覆层上。 P-InP的第二包层（50）和P-InP的第三包层（60）依次形成在第二波导层上。 在第三包覆层上形成p + -InGaAs电极层（70）。
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公开(公告)号：KR100537039B1
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：KR1020030064638
申请日：2003-09-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화현상 특성을 가지는 인버터 원리를 이용하여 전광 AND 논리소자를 구현하는 방법에 관한 것으로서, 하나의 반도체 광증폭기(SOA2)에는 일정한 주기의 클락신호(CLOCK)가 제1 조사신호로서 제1 펌프신호( )와 함께 입사되어 이득변조된 출력값(부울리안 )이 얻어지고, 다른 하나의 반도체 광증폭기(SOA1)에는 제2 조사신호( )와 함께 상기 이득변조된 출력값(부울리안 )이 제2 펌프신호로서 입사되어 AND 신호(
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公开(公告)号：KR101571311B1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：KR1020140089684
申请日：2014-07-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F1/0126 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02F2203/10 , Y10S977/834 , G02B6/10 , G02B26/00
Abstract: 플라즈모닉전광스위치는, 그래핀층; 상기그래핀층상에위치하는제1 유전체층; 상기제1 유전체층상에위치하는나노안테나; 및상기나노안테나상에위치하는제2 유전체층을포함하되, 상기그래핀층과상기제1 유전체층사이의계면에생성되는표면플라즈몬파를통해입사빔을전파시키며, 상기나노안테나에입사되는펌프빔에의해상기나노안테나와제2 유전체층사이의계면에국소표면플라즈몬공명을발생시켜상기입사빔의세기를선택적으로감소시키도록구성될수 있다. 상기플라즈모닉전광스위치는전기적인방식을전혀사용하지않고적은광 에너지만으로도초고속으로구동이가능하여, 이를전광트랜지스터등에응용함으로써통신 IT 기기의전력소모를크게줄일수 있고, 소자속도를증가시킬수 있다.
Abstract translation: 等离子体激元光电开关包括：石墨烯层; 布置在所述石墨烯层上的第一介电层; 布置在所述第一介电层上的纳米天线; 以及布置在纳米天线上的第二电介质层。 事件豆通过在石墨烯层和第一介电层之间的界面上产生的表面等离子体波传播。 通过进入纳米天线的泵豆在纳米天线和第二介质层的界面上产生局部表面等离子体共振，从而选择性地降低了入射鲷的强度。 等离子体激光光电开关只能在没有使用电气方法的情况下以高速度运行。 等离子体激光光电开关也可以用作光电晶体管，以显着降低IT设备的功耗，同时提高设备速度。
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公开(公告)号：KR101518242B1
公开(公告)日：2015-05-12
申请号：KR1020140005506
申请日：2014-01-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J1/0407 , G01J1/0488 , G01J1/42
Abstract: 본명세서에서는서로이격되어배치된제1전극및 제2전극, 상기제1전극과제2전극사이에배치된하나이상의나노구조체를포함하는신호전달부-상기제1전극은신호발생부로부터신호를입력받음-, 광자를수신하고, 수신된광자를상기제1전극으로유도하기위한광 도파로를포함하는광결정격자구조부-상기광 도파로는복수의유전체구조물에의해형성됨-, 및상기제2전극으로출력되는신호를분석하여광자를검출하는단일광자검출부를포함하는상온에서이용가능한단일광자검출장치및 이단일광자검출장치를이용한단일광자검출방법이개시된다.
Abstract translation: 公开了一种用于在室温下检测单个光子的装置及其方法。 该装置和方法包括：彼此分离的第一电极和第二电极; 信号中继单元，其具有设置在所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个纳米结构，其中所述第一电极从信号产生单元接收信号; 光学晶格结构单元，其接收光子并具有由多个介电结构构成的光波导，用于将接收的光子引导到第一电极; 以及用于分析输出到第二电极的信号以检测光子的单个光子检测单元。
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公开(公告)号：KR100570799B1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020030093617
申请日：2003-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F7/50
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 전광 가산기를 구현할 수 있는 기술로서, 전광 가산기의 SUM과 CARRY의 동작에는 각각 2개의 전광 XOR 논리소자와 4개의 전광 NOR 논리소자가 이용되었으며, 두 연산이 동시에 구현되었다.
전광 가산기, XOR 논리소자, NOR 논리소자, 반도체 광증폭기, SUM, CARRY
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