부처손 알코올 추출물을 유효성분으로 포함하는 화학요법제와의 병용투여를 위한 항암 조성물
    11.
    发明公开
    부처손 알코올 추출물을 유효성분으로 포함하는 화학요법제와의 병용투여를 위한 항암 조성물 有权
    一种与化学治疗剂联合使用的抗癌组合物,其中含有布氏(Buchoes)醇提取物作为活性成分

    公开(公告)号:KR1020170082812A

    公开(公告)日:2017-07-17

    申请号:KR1020160002037

    申请日:2016-01-07

    Abstract: 본명세서에는부처손유기용매추출물을유효성분으로포함하는항암조성물이개시된다. 일측면에서, 부처손알코올추출물을유효성분으로함유하는조성물은, 화학요법제와병용투여될때, 화학요법제의항암효과를증진시킬수 있다. 상기조성물을병용투여하면, 적은양의항암제를투여하여도우수한항암효과를얻을수 있다. 따라서, 암세포외에건강한세포에도세포독성이있는항암제의투여량을줄일수 있어, 암환자의건강을유지하면서효과적으로암을치료할수 있다.

    Abstract translation: 在本说明书中,公开了包含Buchucson有机溶剂提取物作为活性成分的抗癌组合物。 在一个方面,含有bucheoson醇提取物作为有效成分的组合物是化学疗法结合给药使用时,它sikilsu增强化疗提出的抗癌作用。 当上述组合物组合给药时,即使施用少量的抗癌剂也可以获得优异的抗癌效果。 因此,除了癌细胞之外,还可以将细胞毒性抗癌药物的剂量降低至健康细胞,从而有效治疗癌症,同时保持癌症患者的健康。

    사용자의 움직임과 모션 플랫폼 사이의 양방향 상호 작용을 기반으로 한 실감형 스노보드 장치 및 그 제어방법.
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101364594B1

    公开(公告)日:2014-02-20

    申请号:KR1020110111238

    申请日:2011-10-28

    Abstract: 본 발명은 사용자의 움직임에 따라 물리적 또는 시각적 피드백을 제공하는 실감형 스노보드 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명의 일실시예에 따른 실감형 스노보드 장치는 사용자의 신체에 부착되어 사용자의 움직임을 감지하는 모션 센서와, 사용자에게 실감형 인터랙션을 제공하기 위한 모션 플랫폼과, 사용자의 움직임에 대응되는 영상 정보를 제공하는 디스플레이부와, 상기 모션 센서에서 수신되는 사용자의 움직임 정보에 대응되는 인터랙션 움직임을 모션 플랫폼을 통해 사용자에게 제공하고, 가상 영장 정보 또는 실제 영상 정보를 디스플레이부를 통해 제공하는 제어부를 포함한다.

    금속을 포함하는 패시배이션 층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
    13.
    发明授权
    금속을 포함하는 패시배이션 층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
    具有包含金属的钝化层的薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101239231B1

    公开(公告)日:2013-03-11

    申请号:KR1020110072804

    申请日:2011-07-22

    Inventor: 이상렬 정유진

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: 박막 트랜지스터는, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션(passivation) 층을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 위치하는 채널층; 상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 채널층상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각과 이격하여 위치하며, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션 층을 포함할 수 있다. 상기 패시배이션 층을 이용하여 채널층에 대한 빛, 산소, 수분 및/또는 불순물의 투과를 차단할 수 있으며 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.

    동작 추적 방법.
    14.
    发明公开
    동작 추적 방법. 有权
    运动跟踪方法

    公开(公告)号:KR1020120131553A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:KR1020110049804

    申请日:2011-05-25

    Abstract: PURPOSE: A motion estimating method is provided to perform accurate motion tracking although an inertia sensor is adhered to the human body to an arbitrary direction. CONSTITUTION: A rotation matrix of a sensor coordinate system fixed in a gravity sensor is calculated in a gravity coordinate system by using a signal measured from an inertia sensor(S100). The rotation matrix of the sensor coordinate system is calculated in a skeleton coordinate system(S200). The rotation matrix of the skeleton coordinate system is calculated about the inertia sensor by using the rotation matrix of the sensor coordinate(S300). A joint variable is calculated about the inertia(S400). [Reference numerals] (S100) A sensor coordinate is measured; (S200) Rotation matrix of the sensor is converted; (S300) Skeleton coordinate is calculated; (S400) Joint variable is calculated

    Abstract translation: 目的:提供一种运动估计方法来执行精确的运动跟踪,尽管惯性传感器被附着到人体任意方向。 构成:通过使用从惯性传感器测量的信号,在重力坐标系中计算固定在重力传感器中的传感器坐标系的旋转矩阵(S100)。 在骨架坐标系中计算传感器坐标系的旋转矩阵(S200)。 通过使用传感器坐标的旋转矩阵,计算关于惯性传感器的骨架坐标系的旋转矩阵(S300)。 关于惯性计算关节变量(S400)。 (附图标记)(S100)测量传感器坐标; (S200)转换传感器的旋转矩阵; (S300)计算骨架坐标; (S400)计算联合变量

    실리콘을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터
    15.
    发明公开
    실리콘을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 无效
    具有包含硅的氧化物半导体的薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1020110133317A

    公开(公告)日:2011-12-12

    申请号:KR1020100052976

    申请日:2010-06-04

    Inventor: 이상렬 정유진

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/26

    Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor thin film transistor with silicon is provided to have a light transmitting feature which is larger than 80% in a visible light area, thereby using the transistor as a switching device, a driving device, or an electrode device. CONSTITUTION: A gate electrode(11) is located on a substrate(100). A gate insulating layer(12) is located on the gate electrode. A channel layer(13) is located on the gate insulating layer. The channel layer forms a mobile channel of electrons between a source electrode(14a) and a drain electrode(14b). The channel layer is made of an oxide semiconductor with silicon.

    Abstract translation: 目的:提供具有硅的氧化物半导体薄膜晶体管,以在可见光区域具有大于80%的透光特征,从而使用晶体管作为开关器件,驱动器件或电极器件。 构成:栅电极(11)位于基板(100)上。 栅极绝缘层(12)位于栅电极上。 沟道层(13)位于栅极绝缘层上。 沟道层在源电极(14a)和漏电极(14b)之间形成电子的移动通道。 沟道层由具有硅的氧化物半导体制成。

    매설층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
    16.
    发明授权
    매설층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 失效
    带薄膜层的薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101088366B1

    公开(公告)日:2011-12-01

    申请号:KR1020090105417

    申请日:2009-11-03

    Abstract: 박막 트랜지스터는, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 제1 층, 및 상기 제1 층을 적어도 부분적으로 둘러싸고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2 층을 포함하는 채널층; 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막과 접촉하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 이때 상기 제1 층의 저항은 상기 제2 층의 저항 이하일 수 있다. 또한, 상기 제1 층의 캐리어 농도는 상기 제2 층의 캐리어 농도 이상일 수 있다. 이와 같이 구성된 박막 트랜지스터는 향상된 구동 특성을 가지며, 제조 과정에서 추가적인 열처리 공정을 필요로 하지 않으므로 저온 공정이 용이하다.
    박막 트랜지스터, 매설층, 이중 채널, 이중층, 2단 채널층, 갈륨 도핑, 갈륨아연산화물, 산화물 반도체

    비대칭 전극 구조를 적용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
    17.
    发明授权
    비대칭 전극 구조를 적용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 失效
    具有非对称STAGGERED电极结构的薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101040137B1

    公开(公告)日:2011-06-10

    申请号:KR1020090121015

    申请日:2009-12-08

    CPC classification number: H01L29/78696 H01L29/41733

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor applying an asymmetric electrode structure and a manufacturing method thereof are provided to form a channel at a low resistance state by asymmetrically forming a source electrode and a drain electrode around a channel layer. CONSTITUTION: A gate insulation layer(12) is located on a gate electrode(11). A source electrode(14a), a channel layer(13), and a drain electrode(14b) are located on the gate insulation layer. The source electrode and the drain electrode are asymmetrically formed around the channel layer. The channel layer includes a first surface and a second surface. The source electrode and the drain electrode are contacted with both ends of the channel layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种施加不对称电极结构的薄膜晶体及其制造方法,以通过在沟道层周围不对称地形成源电极和漏极来形成低电阻状态的沟道。 构成:栅极绝缘层(12)位于栅电极(11)上。 源极电极(14a),沟道层(13)和漏电极(14b)位于栅极绝缘层上。 源电极和漏电极围绕通道层不对称地形成。 沟道层包括第一表面和第二表面。 源电极和漏电极与沟道层的两端接触。

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