Abstract:
본명세서에는부처손유기용매추출물을유효성분으로포함하는항암조성물이개시된다. 일측면에서, 부처손알코올추출물을유효성분으로함유하는조성물은, 화학요법제와병용투여될때, 화학요법제의항암효과를증진시킬수 있다. 상기조성물을병용투여하면, 적은양의항암제를투여하여도우수한항암효과를얻을수 있다. 따라서, 암세포외에건강한세포에도세포독성이있는항암제의투여량을줄일수 있어, 암환자의건강을유지하면서효과적으로암을치료할수 있다.
Abstract:
본 발명은 사용자의 움직임에 따라 물리적 또는 시각적 피드백을 제공하는 실감형 스노보드 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명의 일실시예에 따른 실감형 스노보드 장치는 사용자의 신체에 부착되어 사용자의 움직임을 감지하는 모션 센서와, 사용자에게 실감형 인터랙션을 제공하기 위한 모션 플랫폼과, 사용자의 움직임에 대응되는 영상 정보를 제공하는 디스플레이부와, 상기 모션 센서에서 수신되는 사용자의 움직임 정보에 대응되는 인터랙션 움직임을 모션 플랫폼을 통해 사용자에게 제공하고, 가상 영장 정보 또는 실제 영상 정보를 디스플레이부를 통해 제공하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
박막 트랜지스터는, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션(passivation) 층을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 위치하는 채널층; 상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 채널층상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각과 이격하여 위치하며, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션 층을 포함할 수 있다. 상기 패시배이션 층을 이용하여 채널층에 대한 빛, 산소, 수분 및/또는 불순물의 투과를 차단할 수 있으며 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A motion estimating method is provided to perform accurate motion tracking although an inertia sensor is adhered to the human body to an arbitrary direction. CONSTITUTION: A rotation matrix of a sensor coordinate system fixed in a gravity sensor is calculated in a gravity coordinate system by using a signal measured from an inertia sensor(S100). The rotation matrix of the sensor coordinate system is calculated in a skeleton coordinate system(S200). The rotation matrix of the skeleton coordinate system is calculated about the inertia sensor by using the rotation matrix of the sensor coordinate(S300). A joint variable is calculated about the inertia(S400). [Reference numerals] (S100) A sensor coordinate is measured; (S200) Rotation matrix of the sensor is converted; (S300) Skeleton coordinate is calculated; (S400) Joint variable is calculated
Abstract:
PURPOSE: An oxide semiconductor thin film transistor with silicon is provided to have a light transmitting feature which is larger than 80% in a visible light area, thereby using the transistor as a switching device, a driving device, or an electrode device. CONSTITUTION: A gate electrode(11) is located on a substrate(100). A gate insulating layer(12) is located on the gate electrode. A channel layer(13) is located on the gate insulating layer. The channel layer forms a mobile channel of electrons between a source electrode(14a) and a drain electrode(14b). The channel layer is made of an oxide semiconductor with silicon.
Abstract:
박막 트랜지스터는, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 제1 층, 및 상기 제1 층을 적어도 부분적으로 둘러싸고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2 층을 포함하는 채널층; 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막과 접촉하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 이때 상기 제1 층의 저항은 상기 제2 층의 저항 이하일 수 있다. 또한, 상기 제1 층의 캐리어 농도는 상기 제2 층의 캐리어 농도 이상일 수 있다. 이와 같이 구성된 박막 트랜지스터는 향상된 구동 특성을 가지며, 제조 과정에서 추가적인 열처리 공정을 필요로 하지 않으므로 저온 공정이 용이하다. 박막 트랜지스터, 매설층, 이중 채널, 이중층, 2단 채널층, 갈륨 도핑, 갈륨아연산화물, 산화물 반도체
Abstract:
PURPOSE: A thin film transistor applying an asymmetric electrode structure and a manufacturing method thereof are provided to form a channel at a low resistance state by asymmetrically forming a source electrode and a drain electrode around a channel layer. CONSTITUTION: A gate insulation layer(12) is located on a gate electrode(11). A source electrode(14a), a channel layer(13), and a drain electrode(14b) are located on the gate insulation layer. The source electrode and the drain electrode are asymmetrically formed around the channel layer. The channel layer includes a first surface and a second surface. The source electrode and the drain electrode are contacted with both ends of the channel layer.