公开(公告)号：KR1020120080815A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：KR1020110002240

申请日：2011-01-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  김경원

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B01J19/08

CPC classification number: B82B3/0004 ,  B01J19/121 ,  B82B3/0028 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/3485

Abstract: PURPOSE: A nanostructure synthesizer using a target-rotating type hot-walled pulse laser deposition and a method thereof are provided to obtain uniform nanostructures by revolving the target object and irradiating laser thereof. CONSTITUTION: A nanostructure synthesizer using a target-rotating type hot-walled pulse laser deposition comprises a chamber(10), supporting parts(20,30), heaters(40) and a laser generator(50). The chamber accepts a substrate(3) and a target material(2). The supporting parts are located in the inside of the chamber and supports and revolves the target material. The heater is located outside the chamber. The chamber is heated so that the inner temperature of the chamber becomes over 600 deg. Celsius. The laser generator irradiates laser on the target material and decomposes thereof so that the nanostructure is formed on the substrate from the decomposed target material.

Abstract translation: 目的：提供使用目标旋转型热壁脉冲激光沉积的纳米结构合成器及其方法，以通过旋转目标物体并照射其激光来获得均匀的纳米结构。 构成：使用目标旋转型热壁脉冲激光沉积的纳米结构合成器包括室（10），支撑部件（20,30），加热器（40）和激光发生器（50）。 该室接受基板（3）和目标材料（2）。 支撑部件位于腔室的内部并支撑并旋转靶材料。 加热器位于室外。 加热室，使得室的内部温度超过600度。 摄氏度。 激光发生器将激光照射在目标材料上并将其分解，使得纳米结构从分解的靶材形成在基板上。

公开(公告)号：KR101097203B1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：KR1020090128764

申请日：2009-12-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  이득희 ,  조경철

IPC: H01L29/786

Abstract: 박막트랜지스터의제조방법은, 게이트전극및 상기게이트전극과접촉하는절연막을형성하는단계; 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은및 금으로이루어지는그룹으로부터선택되는어느하나와스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨및 인듐으로이루어지는그룹으로부터선택되는어느하나의조합및 아연이포함된산화물을포함하여이루어지는채널층을형성하는단계; 및상기채널층과접촉하며, 서로이격된소스전극및 드레인전극을형성하는단계를포함할수 있다. 상기박막트랜지스터의제조방법은, 상기채널층내의산소공공을감소시키기위하여, 기체분위기에서상기채널층을가열하는단계를더 포함할수 있다. 박막트랜지스터는, 상호도핑된아연이포함된산화물을포함하여이루어지는채널층을가질수 있다.

公开(公告)号：KR1020110056858A

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：KR1020090113347

申请日：2009-11-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이득희 ,  조경철 ,  이상렬

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: An Ag-doped Zno thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to use a switch element on a transparent display by having high permeability in visible rays region. CONSTITUTION: A gate electrode(11) is comprised of a silicone compound. A gate insulating layer(12) is arranged on the gate electrode. A channel layer(13) is arranged on the gate insulating layer. The channel layer includes an Ag -doped zinc oxide the silver. A source electrode and a drain electrode are separated from each other while having the channel layer between them.

Abstract translation: 目的：提供Ag掺杂的ZnO薄膜晶体管及其制造方法，通过在可见光区域具有高磁导率，在透明显示器上使用开关元件。 构成：栅电极（11）由硅氧烷化合物构成。 栅极绝缘层（12）设置在栅电极上。 沟道层（13）布置在栅极绝缘层上。 沟道层包括Ag掺杂的氧化锌。 源电极和漏极彼此分离，同时在它们之间具有沟道层。

公开(公告)号：KR1020110027233A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020090085229

申请日：2009-09-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  박동훈 ,  김경원

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4232

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor including an Ag doped ZnO nano wire and a manufacturing method thereof are provided to obtain high electric property by controlling the doping and composition of a nano wire. CONSTITUTION: A gate insulation layer(12) is formed on a substrate(11). A source electrode(14) and a drain electrode(15) are positioned on the gate insulation layer. The source electrode and the drain electrode include a first layer made of titanium and a second layer made of conductive materials. A nano wire(13) is positioned between the source electrode and the drain electrode. The nano wire includes Ag doped ZnO.

Abstract translation: 目的：提供一种包括Ag掺杂ZnO纳米线的场效应晶体管及其制造方法，以通过控制纳米线的掺杂和组成来获得高电性能。 构成：在基板（11）上形成栅绝缘层（12）。 源电极（14）和漏电极（15）位于栅极绝缘层上。 源电极和漏电极包括由钛制成的第一层和由导电材料制成的第二层。 纳米线（13）位于源电极和漏电极之间。 纳米线包括Ag掺杂的ZnO。

公开(公告)号：KR100986173B1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：KR1020080088905

申请日：2008-09-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  장성필

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 전자이동도를 향상시킴과 함께 트랩에 의한 이력 현상의 발생을 최소화할 수 있는 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 채널층 및 게이트절연막을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 산화물 반도체로 구성되며, 상기 게이트절연막은 하나 이상의 제 1 유전막 및 제 2 유전막을 포함하고, 상기 제 1 유전막의 유전율은 상기 제 2 유전막의 유전율과 상이한 것을 특징으로 한다.
박막트랜지스터, 산화물반도체, 채널층, 게이트절연막, 3중층

公开(公告)号：KR1020120100536A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020110019510

申请日：2011-03-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  김경원

IPC: G01N27/407 ,  G01N27/26 ,  B82Y15/00

Abstract: PURPOSE: A gas sensor having a silver-doped zinc oxide nano wire and a method for manufacturing the same are provided to differentiate gas sensing sensitivity because a change of electrical properties is induced by doping silver, thereby selectively sensing various harmful gases. CONSTITUTION: A gas sensor comprises a substrate(11), an insulation film(12), azinc oxide nano wire(13), and a plurality of electrodes(14). The insulation film is formed on the substrate. The zinc oxide nano wire is arranged on the insulation film and silver is doped. The electrodes are arranged on the insulation film by being spaced from each other and electrically connected to the nano wire.

Abstract translation: 目的：提供一种具有银掺杂氧化锌纳米线的气体传感器及其制造方法，以区别气体感测灵敏度，因为通过掺杂银诱导电性能的变化，从而选择性地感测各种有害气体。 构成：气体传感器包括基板（11），绝缘膜（12），氧化锌纳米线（13）和多个电极（14）。 绝缘膜形成在基板上。 氧化锌纳米线布置在绝缘膜上，并且掺杂银。 电极通过彼此间隔并且电连接到纳米线布置在绝缘膜上。

公开(公告)号：KR1020110069403A

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：KR1020090126122

申请日：2009-12-17

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  조경철 ,  정유진

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor applying a dual electrode structure and a manufacturing method thereof are provided to output large currents by the same gate voltage or drain voltage by applying the dual electrode structure to a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: A gate electrode(11) is formed on a substrate(100). A gate insulation layer(12) covers the gate electrode. A first source electrode(13a) is separated from a first drain electrode(13b) on the gate insulation layer with a first distance. A channel layer(14) is located on the first source electrode, the gate insulation layer, and the first drain electrode. A second source electrode(15a) and a second drain electrode(15b) are located on the first source electrode, the channel layer, and the first drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种施加双电极结构的薄膜晶体及其制造方法，通过将双电极结构施加到源极和漏极来输出相同栅极电压或漏极电压的大电流。 构成：在基板（100）上形成栅电极（11）。 栅极绝缘层（12）覆盖栅电极。 第一源电极（13a）以栅极绝缘层上的第一距离与第一漏电极（13b）分离。 沟道层（14）位于第一源极，栅极绝缘层和第一漏极电极上。 第二源电极（15a）和第二漏电极（15b）位于第一源电极，沟道层和第一漏电极上。

公开(公告)号：KR1020100131691A

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：KR1020090050410

申请日：2009-06-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  송용원 ,  김경원

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16 ,  C23C16/0263 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: Apparatus and method for fabricating a nanowire co-doped with silver and group III elements are provided to lower activation energy of the nanowire by aluminum co-doped with silver. CONSTITUTION: A nanowire comprises zinc oxide doped with silver and group III elements. An apparatus for fabricating the nanowire includes a chamber(10), a substrate(20) positioned within the chamber, a target material(30) doped with silver and group III elements, a heater(40) heating the chamber, and a laser generator(50) for irradiating laser to the target material.

Abstract translation: 目的：提供与银和III族元素共同掺杂的纳米线的制备装置和方法，以通过与银共同掺杂的铝来降低纳米线的活化能。 构成：纳米线包含掺杂有银和III族元素的氧化锌。 一种用于制造纳米线的装置包括：腔室（10），位于腔室内的衬底（20），掺杂有银和III族元素的靶材料（30），加热室的加热器（40）和激光发生器 （50），用于向目标材料照射激光。

公开(公告)号：KR100999013B1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：KR1020080067793

申请日：2008-07-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  임재현

IPC: C23C14/28

Abstract: 본 발명은 금속 산화물 반도체 박막 등을 성장시킴에 있어서 활성 상태의 질소 원자를 불순물 공급원으로 제공함으로써 불순물 도핑 효율을 극대화시킬 수 있는 유전체 장벽 방전을 이용한 펄스 레이저 증착장치 및 방법 그리고 이에 의해 형성된 금속 산화물 박막에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유전체 장벽 방전을 이용한 펄스 레이저 증착장치는 유전체 장벽 방전장치 및 펄스 레이저 증착기의 조합으로 이루어지며, 상기 유전체 장벽 방전장치는, 마이크로 방전이 일어나는 공간을 제공하는 유전체 장벽 튜브와, 상기 유전체 장벽 튜브 내에 구비되며, 상기 유전체 장벽 튜브와 일정 거리 이격된 위치에 배치되는 금속 전극과, 상기 유전체 방전 튜브에 해리하고자 하는 기체를 공급하는 기체 공급부 및 상기 금속 전극에 전원을 인가하는 RF 발생수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
펄스레이저증착, PLD, 유전체, 방전

公开(公告)号：KR1020130011566A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：KR1020110072804

申请日：2011-07-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  정유진

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor having passivation layer comprising metal and a method for fabricating the same are provided to prevent oxygen, moisture or impurity from being penetrated to a channel layer by using the passivation layer. CONSTITUTION: A gate insulating layer(20) is located on the surface of a gate electrode. A channel layer(30) is located on the surface of the gate insulating layer. A source electrode and a drain electrode are separated from each other and touch the channel layer. A passivation layer(40) is separated from the source and the drain electrode and having conducting material including metal.

Abstract translation: 目的：提供一种具有包含金属的钝化层的薄膜晶体管及其制造方法，以通过使用钝化层来防止氧气，水分或杂质渗入沟道层。 构成：栅绝缘层（20）位于栅电极的表面上。 沟道层（30）位于栅极绝缘层的表面上。 源电极和漏极彼此分离并接触沟道层。 钝化层（40）从源极和漏极分离并且具有包括金属的导电材料。