환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법
    14.
    发明授权
    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법 有权
    使用环硅氧烷的基于硅氧烷的低介电常数薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR101224514B1

    公开(公告)日:2013-01-22

    申请号:KR1020100064332

    申请日:2010-07-05

    CPC classification number: C08L83/06 C08G77/16

    Abstract: 본 발명은 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스를 전구체로 하여 제조된 저유전막으로서, 상기 실세스퀴옥산 중합체 매트릭스는 알콕시실란에 다반응성 환형 실록산의 입체 이성질체를 첨가하여 제조된 실세스퀴옥산 졸(sol)인 것을 특징으로 하는 저유전막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 저유전막은 ~500℃의 경화온도에서도 열에 의해 분해되지 않고 안정된 도막 상태를 유지하며, 도막 표면의 굴곡 정도가 작아 매우 균일한 표면 특성을 나타낼 뿐 아니라, 500nm 이상의 두께에서도 균열 현상없이 매끄럽게 코팅될 수 있어 코팅성이 매우 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 저유전막은 높은 표면 모듈러스 및 경도를 가지면서도, 우수한 저유전 특성을 발휘할 수 있다.

    전기방사를 이용한 유무기 하이브리드 폴리실세스퀴옥산 미세섬유 및 그 제조방법
    16.
    发明公开
    전기방사를 이용한 유무기 하이브리드 폴리실세스퀴옥산 미세섬유 및 그 제조방법 有权
    有机/无机混合聚对苯二甲酸乙二醇酯微电极及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120124594A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:KR1020110042326

    申请日:2011-05-04

    Abstract: PURPOSE: A polysilsesquioxane microfiber of a ladder type using electrospinning and a method for fabricating the same are provided to ensure excellent thermal resistance and chemical resistance. CONSTITUTION: A polysilsequioxane microfiber of a ladder type contains polysilsesquioxane of chemical formula 1. In chemical formula 1, R is selected from the group consisting of organic functional groups. The polysilsesquioxane is denoted by chemical formula 2 or 3. The thickness of the microfiber is 1-10 um. A method for fabricating the microfiber comprises a step of electrospinning a solution containing polysilsesquioxane and a step of irradiating UV ray. A solvent used in the solution is tetrahydrofurane, dimethyl formamide, dimehtyl acetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexane, cyclohexane, toluene, xylene, cresol, chloroform, dimethyl benzene, trimethyl benzene, pyridine, methyl naphthalene, nitromethane, acrnitrile, methylene chloride, aniline, dimethyl sulfoxide, or benzyl alcohol.

    Abstract translation: 目的:提供使用静电纺丝的梯形型聚倍半硅氧烷超细纤维及其制造方法,以确保优异的耐热性和耐化学性。 构成:梯型的聚硅氧烷超细纤维含有化学式1的聚倍半硅氧烷。在化学式1中,R选自有机官能团。 聚倍半硅氧烷由化学式2或3表示。超细纤维的厚度为1-10μm。 制造超细纤维的方法包括电纺丝含有聚倍半硅氧烷的溶液的步骤和照射紫外线的步骤。 溶液中使用的溶剂是四氢呋喃,二甲基甲酰胺,二甲基乙酰胺,N-甲基-2-吡咯烷酮,己烷,环己烷,甲苯,二甲苯,甲酚,氯仿,二甲基苯,三甲基苯,吡啶,甲基萘,硝基甲烷, 二氯甲烷,苯胺,二甲基亚砜或苄醇。

    선택적으로 구조가 제어된 폴리실세스퀴옥산의 제조방법 및 이로부터 제조된 폴리실세스퀴옥산
    19.
    发明公开
    선택적으로 구조가 제어된 폴리실세스퀴옥산의 제조방법 및 이로부터 제조된 폴리실세스퀴옥산 有权
    一种制备多晶硅烷和其制备的多晶硅烷的控制结构的方法

    公开(公告)号:KR1020120017133A

    公开(公告)日:2012-02-28

    申请号:KR1020100079633

    申请日:2010-08-18

    CPC classification number: C08G77/08 C08G77/06

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of polysilsesquioxane is provided to easily polymerizing polysilsesquioxane of high regularity at room temperature, without the transfer of the reactor of 2-3 steps, dehydrating process, and molecular weight control using high temperature. CONSTITUTION: A manufacturing method of polysilsesquioxane comprise: a step of manufacturing water-containing organic solution comprising a monomer in chemical formula 1, organic solvent, water, and a catalyst; and a step of manufacturing basket type polysilsesquioxane in chemical formula 2, or ladder type polysilsesquioxane in chemical formula 3, selectively. In chemical formulas, R1 is C1-20 alkoxy group, R2 and R3 is respectively substituted or non-substituted aliphatic organic functional group, alkyl, aryl, vinyl, an amine group, an acryl group, halogen or alkylhalogen, and n is 2-100,000.

    Abstract translation: 目的:提供聚倍半硅氧烷的制备方法,在室温下容易聚合高倍数倍的聚倍半硅氧烷,不用2-3步反应器的转移,脱水过程和使用高温的分子量控制。 构成:聚倍半硅氧烷的制造方法包括:制造含有化学式1的单体,有机溶剂,水和催化剂的含水有机溶液的工序; 选择性地制备化学式2中的筐型聚倍半硅氧烷,或化学式3中的梯型聚倍半硅氧烷的步骤。 在化学式中,R1为C1-20烷氧基,R2和R3分别为取代或未取代的脂族有机官能团,烷基,芳基,乙烯基,胺基,丙烯酰基,卤素或烷基卤素,n为2- 100,000。

    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법
    20.
    发明公开
    환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법 有权
    使用环硅氧烷的基于硅氧烷的低介电常数薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120003624A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:KR1020100064332

    申请日:2010-07-05

    CPC classification number: C08L83/06 C08G77/16

    Abstract: PURPOSE: A Siloxane based-low dielectric film using cyclic silsesquioxane is provided to have excellent physical property, thermal stability and crack resistance, and to have high modulus and hardness maintaining excellent low dielectric property. CONSTITUTION: A Siloxane based-low dielectric film using cyclic silsesquioxane comprises a step of manufacturing silsesquioxane sol by sol-gel method by adding the stereoisomer of multi-reactive cyclic silsesquioxane into alkoxy siloxane; a step of manufacturing coating liquid containing the silsesquioxane sol and solvent; and a step of spreading the coating liquid and hardening. The silsesquioxane polymer matrix uses as a precursor for the manufacturing of the dielectric film. The silsesquioxane polymer matrix is the silsesquioxane sol manufactured by the adding of the multi-reactive cyclic silsesquioxane into the alkoxysilane.

    Abstract translation: 目的:提供使用环状倍半硅氧烷的硅氧烷低介电膜,具有优异的物理性能,热稳定性和抗裂性,并且具有高模量和硬度,保持优异的低介电性能。 构成:使用环状倍半硅氧烷的硅氧烷低介电膜包括通过溶剂 - 凝胶法制备倍半硅氧烷溶胶的步骤,通过将多反应性环状倍半硅氧烷的立体异构体加入到烷氧基硅氧烷中; 制造含有倍半硅氧烷溶胶和溶剂的涂布液的步骤; 以及涂布液的扩散和硬化的步骤。 倍半硅氧烷聚合物基体用作制造电介质膜的前体。 倍半硅氧烷聚合物基体是通过将多反应性环状倍半硅氧烷加入烷氧基硅烷而制造的倍半硅氧烷溶胶。

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