公开(公告)号：KR100813177B1

公开(公告)日：2008-03-17

申请号：KR1020060099318

申请日：2006-10-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  최승훈 ,  정성윤

IPC: H01G4/12

Abstract: A composite dielectric film including a polymer and a high dielectric ceramic coated metallic particles and a capacitor having the same are provided to be used as a dielectric film of an embedded capacitor by increasing a dielectric constant of a dielectric substance and reducing a dielectric loss. A composite dielectric film including a polymer and a high dielectric ceramic coated metallic particles includes a polymer material(11) and a metallic particle(12a). The metallic particles are coated with a ceramic after being treated by a thiol compound. The thiol compound includes a hydrophilic functional group of -OH, -COOH, -NH3, -C=N, -SO2, and -NO2 in an end group. The metallic particle is Ag, Fe, Ni, Al, Au, Pt, Cu, Mo, Cr, Ti or Ta. The ceramic is ZrO2, TiO2, BaTiO3, Al2O3, Ta2O5, SrTiO3, (Ba,Sr)TiO3, (Pb,Zr)TiO3, Pb(Mg,Nb)O3-PbTiO3 or Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7. The metallic particle is 0.5-90% volume of a high polymer volume.

Abstract translation: 提供了包括聚合物和高电介质陶瓷涂覆的金属颗粒的复合电介质膜以及具有该复合电介质陶瓷的金属颗粒的电容器，以通过增加电介质的介电常数和降低介电损耗来用作嵌入式电容器的电介质膜。 包括聚合物和高电介质陶瓷涂覆的金属颗粒的复合电介质膜包括聚合物材料（11）和金属颗粒（12a）。 用硫醇化合物处理后，金属颗粒被陶瓷涂覆。 硫醇化合物包括端基中的-OH，-COOH，-NH 3，-C = N，-SO 2和-NO 2的亲水性官能团。 金属颗粒是Ag，Fe，Ni，Al，Au，Pt，Cu，Mo，Cr，Ti或Ta。 陶瓷为ZrO 2，TiO 2，BaTiO 3，Al 2 O 3，Ta 2 O 5，SrTiO 3，（Ba，Sr）TiO 3，（Pb，Zr）TiO 3，Pb（Mg，Nb）O 3 -PbTiO 3或Bi 1.5 Zn 1.0 Ni 1.5 1.5。 金属颗粒是高聚合物体积的0.5-90％体积。

公开(公告)号：KR101265093B1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：KR1020090086111

申请日：2009-09-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  최승훈

IPC: B82B3/00 ,  D01D5/00

CPC classification number: D01F9/08 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0025 ,  B29C47/0011 ,  B29C47/0016 ,  B82Y30/00 ,  C01G19/02 ,  C01G23/005 ,  C01G23/006 ,  C01G23/047 ,  C01G39/006 ,  C01G45/1242 ,  C01G53/006 ,  C01G55/00 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/62231 ,  C04B35/62259 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63444 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/81 ,  C09C1/00 ,  C09C1/36 ,  C09C1/62 ,  C09D11/00 ,  C09D11/03 ,  D01D5/0038 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/2913

Abstract: 본 발명은 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합체 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 형성할 수 있는 전구체 1종 이상을 포함하는 방사 용액을 방사하는 단계, 방사된 전구체를 결정화 또는 비정질화하여 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합체 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 나노 입자를 포함하는 나노 섬유를 생성하는 단계, 및 상기 나노 섬유를 분쇄하여 나노 입자, 나노 클러스터 또는 이들의 혼합물을 포함하는 나노 분말, 이를 포함하는 나노 잉크 및 마이크로 로드의 제조방법과, 금속, 비금속, 금속 산화물, 금속 화합물, 비금속 화합물 및 복합체 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 나노 입자들로 이루어진 나노 섬유로부터 분쇄된 나노 입자, 나노 클러스터 또는 이들의 혼합물을 포함하는 나노 분말, 이를 포함하는 나노 잉크 및 마이크로 로드에 관한 것이다.
나노 입자, 나노 클러스터, 나노 분말, 나노 잉크, 마이크로 로드, 전구체, 전기방사

公开(公告)号：KR101092571B1

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：KR1020090124299

申请日：2009-12-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  최승훈

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 본 발명은 나노섬유 복합체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 나노섬유 복합체는, i) 제1 금속산화물 나노섬유, 및 ii) 나노섬유에 부착된 제2 금속산화물 나노입자들을 포함한다.
나노섬유 복합체, 금속산화물, 나노입자, 전기방사, 고분자

公开(公告)号：KR101087506B1

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：KR1020090111596

申请日：2009-11-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  김동훈 ,  최승훈

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02266 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 게이트 절연층과 유기 보호층 고분자 박막을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 폴리메타크릴산(폴리메틸메타크릴레이트 유도체) 박막을 포함하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 채널층, 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 형성된 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 유기 보호층을 포함하는 트랜지스터에 관한 것이다. 또한, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 폴리메타크릴산 박막의 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 채널층을 형성하는 단계, 상기 채널층 상에 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 폴리메타크릴산 박막의 유기 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
스퍼터링, 고분자 박막, 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리메타크릴산, 게이트 절연층, 유기 보호층, 트랜지스터

公开(公告)号：KR100977189B1

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020080023654

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  최승훈

IPC: H01L29/78 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 다결정 금속산화물 반도체층을 이용한 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것으로서, 고분자와 금속염 전구체를 포함하는 혼합 용액을 방사하여 생성한 개별 복합 나노선(나노섬유) 또는 복합 나노선 네트워크를 열압착하거나 열가압한 뒤 고분자 제거 및 금속염의 산화를 위한 열처리를 실시하여 나노벨트 구조 또는 나노벨트 네트워크(매트) 구조의 금속산화물 박층을 형성하고 이 나노벨트 구조 또는 나노벨트 네트워크 구조의 금속산화물 박층을 활성층(active channel, 반도체층)으로 이용할 수 있도록 구성됨으로써, 전기적 안정성이 우수하고, 활성층의 비표면적이 크게 증대되어 반응성이 뛰어난 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것이다.
전계효과 트랜지스터, 다결정, 금속산화물, 반도체층, 활성층, 나노벨트, 나노벨트 네트워크, 금속염, 고분자, 방사, 전기방사, 폴리머, 나노선, 나노선 네트워크, 열압착, 열처리

公开(公告)号：KR1020090098341A

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：KR1020080023654

申请日：2008-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김일두 ,  홍재민 ,  최승훈

IPC: H01L29/78 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0669

Abstract: A field effect transistor using a polycrystalline metal oxide semiconductor layer and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical reliability and reactivity by using a thin metal-oxide layer as an active layer. A gate electrode(12), a gate insulating layer(13), a metal oxide semiconductor layer, a source electrode(15a) and a drain electrode(15b) are formed on a substrate(11). The metal oxide semiconductor layer has a poly-crystal nano belt structure or a poly-crystal nano belt network structure in which a nano wire network is compressed. The metal oxide semiconductor layer has the width of 0.5~3 micron and the thickness of 20 ~ 100 nm. The metal oxide semiconductor layer is made of the nano grain or the nano particle of 5 ~ 20 nm size. The metal oxide semiconductor layer includes ZnO. The metal oxide semiconductor layer includes SnO2.

Abstract translation: 提供使用多晶金属氧化物半导体层的场效应晶体管及其制造方法，以通过使用薄金属氧化物层作为有源层来提高电可靠性和反应性。 在基板（11）上形成栅电极（12），栅极绝缘层（13），金属氧化物半导体层，源电极（15a）和漏电极（15b）。 金属氧化物半导体层具有纳米线网络被压缩的多晶纳米带结构或多晶纳米带网络结构。 金属氧化物半导体层的宽度为0.5〜3微米，厚度为20〜100nm。 金属氧化物半导体层由纳米颗粒或5〜20nm大小的纳米颗粒制成。 金属氧化物半导体层包括ZnO。 金属氧化物半导体层包括SnO 2。

公开(公告)号：KR1020040099885A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030032015

申请日：2003-05-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 권오승 ,  김은영 ,  심범상 ,  최승훈

IPC: G01N30/28

Abstract: PURPOSE: A method is provided to analyze contents of curcumin and glycyrrhizin as main components of Kamijadowhan at the same time by using a high performance liquid chromatography. CONSTITUTION: The method contains the steps of: extracting the Kamijadowhan by using an alcohol to prepare a sample for analyzing, wherein the alcohol is 60-90% methanol; injecting the sample into the high performance liquid chromatography by using 0.02-0.04% phosphoric acid/acetonitrile as a moving phase solvent and then measuring the absorbance of the sample by using a wavelength of 190-450nm.

Abstract translation: 目的：通过高效液相色谱法同时分析姜黄素和甘草甜素作为Kamijadowhan主要成分的含量。 方法：该方法包括以下步骤：使用酒精提取Kamijadowhan，制备样品进行分析，其中酒精为60-90％甲醇; 通过使用0.02-0.04％磷酸/乙腈作为移动相溶剂将样品注入高效液相色谱，然后通过使用190-450nm的波长测量样品的吸光度。