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公开(公告)号：KR1020010086912A
公开(公告)日：2001-09-15
申请号：KR1020000010895
申请日：2000-03-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01B3/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/626
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a BaTiO3(Barium Titanate) group dielectric is provided to offer a BaTiO3(Barium Titanate) group dielectric having a high dielectric constant and a low dielectric loss by making a smaller average particle size and increasing a relative density. CONSTITUTION: A method for fabricating a BaTiO3(Barium Titanate) group dielectric performs a wet mixing operation on a powder over-mixed by a BaTiO3 powder and Tio2 by 0.4mol with a ZrO2 ball by means of an alcoholic solvent during 12-48 hours, and a dry grinding operation on it in 100°C-150°C during 6-36 hours, a grind sieving operation on it, pours out it into a metal mold, molds it, and performs a cold isostatic press(CIP) molding operation on it with a pressure of 170-230MPa. And the method for fabricating a BaTiO3(Barium Titanate) group dielectric performs an electrothermal process on it in a hydrogen(H2) atmosphere by 1220°C-1280°C or a dioxidizing atmosphere of a mixing gas which is hydrogen(H2):nitrogen(N)=5-100:0-95, during 2-15 hours, and then sinters it in 1320°C-1380°C during 2-100 hours, preferably during 5-48 hours, in air atmosphere.
Abstract translation: 目的：提供一种制造BaTiO 3（钛酸钡）基电介质的方法，通过使平均粒径更小并提高相对密度，提供具有高介电常数和低介电损耗的BaTiO3（钛酸钡）组电介质。 构成：制造BaTiO 3（钛酸钡）基团电介质的方法，通过BaTiO 3粉末和Tio2用ZrO 2球，通过醇溶剂在12-48小时内用0.4摩尔过度混合的粉末进行湿式混合操作， 并在6-36小时内在100℃-150℃下对其进行干式研磨操作，对其进行研磨操作，将其倒入金属模具中，对其进行成型，并进行冷等静压（CIP）成型操作 压力170-230MPa。 并且制备BaTiO 3（钛酸钡）基电介质的方法在氢（H 2）气氛中在1220℃-1280℃下进行电热处理，或者在氢气（H 2）：氮气混合气体的二氧化气氛中进行电热处理 （N）= 5-100:0-95，在2-15小时内，然后在空气气氛中在1320℃-1380℃下烧结2-100小时，优选5-48小时。
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公开(公告)号：KR1019990065017A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000039
申请日：1998-01-05
IPC: H01L21/20
Abstract: 기판재료와 서로 다른 종류의 재료를 격자의 연속성이 유지(coherent)되게 박막을 입히는 경우를 헤테로에피택시 박막이라 한다. 이와 같은 박막의 경우 두 재료 간의 격자상수 차이로 인하여 박막층에 정합탄성변형(choerent elastic strain)이 존재하며 이러한 탄성변형을 완화시키기 위해 박막의 표면은 굴곡이 지며 아일랜드 구조로 나타나기도 한다. 이러한 표면굴곡이나 아일랜드구조는 박막의 광전적 성질과 계면반응성에 악영향을 미치기 때문에 최대한 억제되어야 한다. 본 발명에서는 이러한 현상을 억제할 수 있는 방법으로 홈이 파이거나 굴곡을 만들어준 평평하지 않은 기판을 사용하는 방법을 개발하였다.
본 발명은 반도체와 다양한 전자부품에 대표적으로 이용되는 GaAs/Si이나 SiGe/Si계를 비롯하여 표면굴곡이나 아일랜드 구조를 보이는 모든 박막의 제조시에 적용이 가능하다.-
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15.发明公开지르코니아의 정방정으로부터 단사정으로의 상변태 촉진제로서의 MoO₂및 이를 사용한 지르코니아-알루미나 복합체의 표면 강화 방법 失效MoO 2作为四方晶相转变为单相氧化锆的相转变促进剂及使用该氧化锆氧化铝复合物的表面强化方法
公开(公告)号：KR1019940011364A
公开(公告)日：1994-06-21
申请号：KR1019920021431
申请日：1992-11-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C04B41/80
Abstract: 본 발명은 지르코니아(ZrO
2 )의 정방정으로부터 단사정으로의 상변태 촉진제로서 MoO
2 를 이용하는 방법을 개시하고 있다. ZrO
2 에 0.02 내지 2.0%의 MoO
2 를 혼합하여 열처리하면 세라믹 기지상내에서 단사정 ZrO
2 의 함량이 증가된 ZrO
2 -MoO
2 합금이 얻어지며, 이 MoO
2 분위기 존재하에서 지르코니아-알루미나 복합체를 열처리하면 표면 강화된 알루미나-지르코니아 복합체가 제공된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101048423B1
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：KR1020090095404
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/02
Abstract: 플렉서블 압전 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 압전 소자 제조방법은 희생기판 상에 압전소자층을 적층하는 단계; 상기 희생기판 상의 압전소자층을 고온처리 하는 단계; 상기 압전소자층을 패터닝하여, 압전소자를 형성하는 단계; 상기 희생기판을 식각하여, 상기 압전소자를 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 압전소자에 전사층을 접촉시킨 후, 이를 플렉서블 기판에 전사하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 압전 소자 제조방법은 플렉서블 기판상에 압전 소자 뿐만 아니라, 압전 소자에 의하여 발생한 전류를 안정적으로 정류할 수 있는 커패시터를 모두 구현한, 플렉서블 압전 소자를 가능하게 한다. 또한, 복수의 단위 압전 소자와 커패시터를 동일 플렉서블 기판에 전기적으로 상호 연결시키므로, 대면적 압전소자 구현이 가능하며, 본 발명에 따른 플렉서블 압전소자는 플렉서블한 기판의 휘는 특성에 따라 전기를 발생시킬 수 있다 또한, 상기 발생한 전기를 동일 소자 영역에 구비된 커패시터로 정류시킬 수 있으므로, 그 효과가 우수한다.Abstract translation: 提供柔性压电元件制造方法和由此制造的柔性压电元件。
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公开(公告)号：KR100285239B1
公开(公告)日：2001-04-02
申请号：KR1019980019747
申请日：1998-05-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01B3/00
Abstract: PURPOSE: Provided is a SrTiO3 based grain boundary barrier layer capacitor(GBBLC) which shows high dielectric constant and low dielectric loss factor, as well as stable temperature property. CONSTITUTION: The capacitor is produced by adding mixture of BaO and CaO to oxide forming secondary phase. In the mixture, the molecular ratio of BaO and CaO is 0.2CaO-0.8BaO to 0.7CaO-0.3BaO. The BaO and CaO are obtained from BaO precursor and CaO precursor, respectively. The SrTiO3 based grain boundary barrier layer capacitor shows high dielectric constant and low dielectric loss factor, as well as stable temperature profile, in which dielectric constant is not substantially changed according to temperature change.
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