리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물의 코팅재및 그의 코팅방법

    公开(公告)号:KR100369445B1

    公开(公告)日:2003-01-24

    申请号:KR1020000020158

    申请日:2000-04-17

    CPC classification number: H01M4/525 H01M4/02 H01M4/366 H01M4/485 H01M4/505

    Abstract: 본 발명은 리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물의 코팅재 및 그의 코팅방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 리튬전이금속 산화물을 리튬망간계 산화물 표면에 코팅함으로써 고온전극수명 및 고속방전효율이 향상된 리튬망간계 산화물의 코팅재 및 그 코팅방법에 관한 것이다.
    본 발명의 리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물(LiMn
    2-X M
    X O
    4 : 0 2 , LiNiO
    2 , LiNi
    1-X Co
    X O
    2 , LiNi
    1-XY Co
    X M
    Y O
    2 , LiCo
    1-X M
    X O
    2 , LiNi
    1-X M
    X O
    2 , LiMn
    2-X M
    X O
    4 : 0

    Abstract translation: 公开了一种锂二次电池中的正极用锂锰氧化物的表面处理方法,更具体地说,涉及锂锰氧化物的表面被锂过渡金属氧化物覆盖的表面处理方法。 使用包覆的锂锰氧化物作为负极材料的锂二次电池不仅解决了常规锂二次电池在高温下电极寿命和排脂效率方面的问题,而且还替代了常规昂贵的钴酸锂 降低生产成本。

    리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물의 코팅재및 그의 코팅방법
    12.
    发明公开
    리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물의 코팅재및 그의 코팅방법 失效
    用于涂覆锂二氧化锰阳极氧化物的氧化铝材料及其涂覆方法

    公开(公告)号:KR1020010096191A

    公开(公告)日:2001-11-07

    申请号:KR1020000020158

    申请日:2000-04-17

    CPC classification number: H01M4/525 H01M4/02 H01M4/366 H01M4/485 H01M4/505

    Abstract: PURPOSE: Provided is a coating material for coating the surface of lithium manganese-based oxides which are used as an anode material for a lithium secondary battery, thereby, high temperature battery lifetime and high rate discharge efficiency can be improved. CONSTITUTION: The coating material is lithium transition metal oxides such as LiCoO2, LiNiO2, LiNi1-xCoxO2, LiNi1-x-yCoxMyO2, LiCo1-xMxO2, LiNi1-xMxO2, LiMn2-xMxO4, wherein M is one selected from Al, Fe, Mn, V, Cr, Cu, Ti, W, Ta, Mg, and Mo and 0

    Abstract translation: 目的:提供用作锂二次电池的负极材料的锂锰系氧化物的表面涂布用涂料,能够提高高温电池寿命,高效率的排出效率。 构成:涂层材料是LiCoO2,LiNiO2,LiNi1-xCoxO2,LiNi1-x-yCoxMyO2,LiCo1-xMxO2,LiNi1-xMxO2,LiMn2-xMxO4等锂过渡金属氧化物,其中M为选自Al,Fe,Mn, V,Cr,Cu,Ti,W,Ta,Mg和Mo,0

    저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
    13.
    发明公开
    저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 无效
    低温工艺制备非晶硅薄膜的结晶方法

    公开(公告)号:KR1019990050318A

    公开(公告)日:1999-07-05

    申请号:KR1019970069415

    申请日:1997-12-17

    Abstract: 본 발명은 액정표시장치의 구동소자인 박막트랜지스터에 사용되는 다결정질 실리콘 박막제조를 위한 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.
    본 발명은 비정질 실리콘 박막이나, 팔라듐등과 같이 결정화 반응을 촉진시키는 금속을 소량함유하는 비정질 실리콘 박막을 마이크로파 수소 프라즈마 분위기에서 결정화시킴으로써, 기존의 결정화 방법에 비하여 훨씬 낮은 온도와 짧은 시간에 양질의 다결정질 실리콘 박막의 제조가 가능하다.
    이 방법을 박막트랜지스터 소자 제작에 응용함으로써 공정온도의 감소나 공정시간의 단축은 물론 박막트랜지스터 소자 특성의 향상이 가능하다.

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