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公开(公告)号：KR1019980083268A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970018515
申请日：1997-05-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H03H9/68
Abstract: 본 발명에서는 스퍼터링방법을 이용하여 실리콘 기판 위에 250W의 RF전원, 8mTorr의 증착압력, 12sccm의 총기체유량, 상온증착이며, 질화알루미늄 박막을 증착할 때는 아르곤과 질소기체의 유량은 모두 6sccm이고 산화아연 박막을 증착할 때 아르곤과 질소기체의 유량은 각각 4sccm, 8sccm의 증착조건에서 연속적으로 제조한 산화아연/질화알루미늄 2층 박막을 이용하여 탄성표면파필터를 제조하였다. 이때 두 박막은 모두 c축 배향성(c-axis preferred orientation)을 가졌다. 최적의 탄성표면파 필터 특성을 나타내는 산화아연 박막의 두께는 8.4㎛(kH=1.0, k=2π/λ)이고 질화알루미늄 박막의 두께는 4.2㎛(kH=0.5)이다. 이렇게 제조한 산화아연/질화알루미늄 2층 박막으로 구성된 탄성표면파필터는 탄성표면파 속도가 4224m/s이고 전기기계 결함계수는 3.23%이었다.
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公开(公告)号：KR100372750B1
公开(公告)日：2003-02-17
申请号：KR1019990048652
申请日：1999-11-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/321
CPC classification number: C23C14/5826 , C23C14/0617 , C23C14/58 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L21/318
Abstract: 본 발명은 질화알루미늄 박막을 질소 플라즈마 처리를 하여, 낮은 공정온도에서도 표면 평탄도와 박막내의 화학적, 전기적 특성이 크게 향상된 질화알루미늄 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 기존의 방법보다 더욱 낮은 온도와 짧은 시간에, 박막의 평탄도, 화학적, 전기적 안정성을 뛰어나게 개선시킬 수 있어 표면탄성파 소자 제작시 압전기판재료로서 질화알루미늄의 조건을 만족시킬 수 있으며, 또한 질화갈륨의 완충층으로서 사용될 때도 뛰어난 기능을 할 수 있으리라 본다. 그리고 광학소자로 이용될 때에도 표면이 평탄해 짐에 따라 빛의 산란을 방지할 수 있을 것이며, 화학적 안정성 증가에 따라 실제 보호피막으로 사용될 때에도 부식방지에도 큰 역할을 하게 될 것으로 기대한다.Abstract translation: 氮化铝薄层的制造包括在沉积之后使薄层经受微波等离子体。 优选特征：使用选自气态氮，氢和氨的化学反应气体进行等离子体处理。 气体用于将离子加速到薄层上以实现蚀刻效果。 气体可以是氩气，氦气，氖气，氪气或氙气。
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公开(公告)号：KR1020010088037A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1020000012023
申请日：2000-03-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C4/10
CPC classification number: C23C14/5826 , C23C14/0617 , C23C14/5846
Abstract: PURPOSE: A method for stabilizing an aluminum nitride thin film using plasma treatment is provided to solve the biggest problem of the hydrogen addition, chemical stability, by using microwave plasma treatment, and obtain a high quality aluminum nitride thin film displaying a very high surface flatness by plasma treating a surface flatness improved aluminum nitride thin film. CONSTITUTION: In a process for treating an aluminum nitride thin film, the method for stabilizing an aluminum nitride thin film using plasma treatment comprises the process of performing of plasma treatment after the process of adding hydrogen to the aluminum nitride thin film so as to improve the surface elasticity and stability of the aluminum nitride thin film, wherein a gas used in the plasma treatment is an inert gas selected from nitrogen, argon, helium, neon, krypton or xenon, or a mixed gas in which a gas used in the plasma treatment is an inert gas selected from nitrogen, argon, helium, neon, krypton or xenon is mixed in a volume ratio of nitrogen:inert gas=0.1:0.9 9 - 0.99:0.1, and wherein the conditions of the plasma treatment include 50 to 100 sccm of gas flow used in the plasma treatment, a pressure of 0.5 to 10 Torr, and a reaction time of 1 to 20 minutes.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体处理来稳定氮化铝薄膜的方法，以解决通过使用微波等离子体处理的氢添加，化学稳定性的最大问题，并获得显示非常高的表面平坦度的高品质氮化铝薄膜 通过等离子体处理表面平整度改善了氮化铝薄膜。 构成：在用于处理氮化铝薄膜的方法中，使用等离子体处理来稳定氮化铝薄膜的方法包括在向氮化铝薄膜添加氢之后进行等离子体处理的方法，以改善 氮化铝薄膜的表面弹性和稳定性，其中在等离子体处理中使用的气体是选自氮，氩，氦，氖，氪或氙的惰性气体，或其中在等离子体处理中使用的气体的混合气体 是选自氮气，氩气，氦气，氖气，氪气或氙气的惰性气体以体积比的氮气：惰性气体= 0.1:0.99-0.99:0.1进行混合，并且其中等离子体处理的条件包括50至100 在等离子体处理中使用的气体流量sccm，压力为0.5〜10托，反应时间为1〜20分钟。
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公开(公告)号：KR1020010045209A
公开(公告)日：2001-06-05
申请号：KR1019990048415
申请日：1999-11-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M4/32
Abstract: PURPOSE: Provided is a lithium-nickel-based oxide composition for a positive electrode of a lithium ion secondary battery, of which the nickel is substituted partially by iron and cobalt, therefore, electrode life-time and fast discharge efficiency is improved. CONSTITUTION: The lithium-nickel-based oxide composition represented by the formula: LiNi(1-x-y)Fe(x)Co(y)O2 is produced by a process comprising the steps of: mixing carbonate, hydroxide, or nitrate of each of the lithium, the nickel, the iron, and the cobalt; grinding and pelletizing the mixture and then primarily heat-treating at a temperature of 650-850 for 6-48 hours under oxygen; regrinding and pelletizing the primarily heat-treated pellet and then secondarily heat-treating at 650-850 for 6-48 hours under oxygen; regrinding the secondarily heat-treated pellet and selecting powdery active material having an average particle size of less than 45micrometer. In the formula, each of x and y is an atom fraction, wherein 0
Abstract translation: 目的：提供一种用于锂离子二次电池正极的锂镍氧化物组合物，其中镍被铁和钴部分取代，因此电极寿命和快速放电效率得到改善。 构成：由LiNi（1-xy）Fe（x）Co（y）O 2表示的锂镍氧化物组合物通过包括以下步骤的方法制备：将碳酸锂，氢氧化物或硝酸盐各自混合 锂，镍，铁和钴; 研磨并造粒混合物，然后在650-850℃的温度下在氧气下进行6-48小时的热处理。 重新研磨和造粒主要经热处理的颗粒，然后在氧气下在650-850℃下二次热处理6-48小时; 重新研磨二次热处理的颗粒并选择平均粒度小于45微米的粉末状活性物质。 在该式中，x和y各自为原子级分，其中0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100269514B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019980001204
申请日：1998-01-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M4/96
Abstract: PURPOSE: A carboneous material used as cathode active material of rechargeable lithium ion battery is provided for having remarkably higher recharge/discharge capacity than typical graphite carboneous material. CONSTITUTION: The carboneous material for cathodes of rechargeable lithium ion battery is produced by the vapor-phase deposit method comprising introducing argon gas at 1.0-1.4 l/min and providing 10-100% liquid propane gas as the reaction gas when the temperature reaches 800-1300 deg.C; after the reaction time of 1-5 hours, stopping the introduction of liquid propane gas and maintaining the temperature until the propane gas is completed removed in the reaction pipe; then further introducing argon gas, cooling the pipe, and producing soot as the carboneous material of cathode of the rechargeable battery.
Abstract translation: 目的：提供用作可再充电锂离子电池的阴极活性材料的碳材料，其具有比典型的石墨碳质材料显着更高的再充电/放电容量。 构成：可再充电锂离子电池阴极用碳材料是通过气相沉积法制备的，包括以1.0-1.4升/分钟的氩气导入，当温度达到800℃时，提供10-100％的液体丙烷气体作为反应气体 -1300℃; 反应时间为1-5小时后，停止引入液体丙烷气体并保持温度，直到丙烷气体完成在反应管中除去; 然后进一步引入氩气，冷却管道，并产生烟炱作为可再充电电池的阴极的碳质材料。
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公开(公告)号：KR100353620B1
公开(公告)日：2002-09-26
申请号：KR1019990048415
申请日：1999-11-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M4/32
Abstract: 본발명은리튬이온이차전지의양극전극용리튬니켈계산화조성물및 그제조방법에관한것으로좀더상세하게는원소치환에의하여고속방전효율및 전극수명이향상된리튬니켈코발트산화물조성물및 그제조방법에관한것이다. 본발명의리튬이차전지의양극전극용리튬니켈계산화물은니켈대신철과코발트가치환되어진것 (LiNiFeCoOx, y는각각산화물조성원소들의원자분율로서 0.05≤ x ≤ 0.1, 0.05 ≤ y ≤ 0.3)으로서, 상기산화물을활물질로하여제조된리튬이온이차전지는기존에상용화되어있는고가의리튬코발트계산화물을대체함으로써제조단가를낮출수 있을뿐만아니라, 기존의리튬이차전지의성능및 에너지밀도를향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010045383A
公开(公告)日：2001-06-05
申请号：KR1019990048652
申请日：1999-11-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/321
CPC classification number: C23C14/5826 , C23C14/0617 , C23C14/58 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L21/318
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an aluminum nitride thin film having an improved surface and combination characteristic is provided to improve a surface planarization at a low process temperature and a chemical and electrical characteristic of the thin film, by processing the aluminum nitride thin film deposited by a low temperature process while using microwave plasma. CONSTITUTION: An aluminum nitride thin film is deposited. A microwave plasma process as a subsequent process of the aluminum nitride thin film is carried out. One of nitrogen gas, hydrogen gas and ammonia gas is selected as chemical reaction gas used in the plasma process.
Abstract translation: 目的：提供一种具有改进的表面和组合特性的制造氮化铝薄膜的方法，以通过加工沉积的氮化铝薄膜来改善薄膜的低温处理温度和化学和电学特性的表面平坦化， 使用微波等离子体时的低温过程。 构成：沉积氮化铝薄膜。 进行作为氮化铝薄膜的后续工艺的微波等离子体处理。 选择氮气，氢气和氨气中的一种作为等离子体处理中使用的化学反应气体。
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8.发明公开
公开(公告)号：KR1019990065769A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980001204
申请日：1998-01-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M4/96
Abstract: 본 발명은 리튬이온 2차전지의 음극활물질용 탄소재개발에 관한 것이다. 보다 상세하게는 전구체로써 액화프로판가스(LPG)를 사용하여 고온에서 열분해할 때 다량으로 얻어지는 검뎅(soot)은 약 0.5~5.0㎛의 크기를 갖는 작은 입자들로 구성되어 있으며 다량의 미결정성탄소(unorganized carbon)를 함유하는 저결정성 탄소재(disordered carbon, amorphous carbon)로써 아주 작은 크기의 결정크기(crystallite size ; L
a , L
c ≤30Å)를 갖는다. 또한 리튬이온 2차전지의 음극활물질로 사용될 경우 우수한 전극특성을 나타낼 뿐 아니라 기존에 주로 사용되고 있는 흑연계 탄소재에 비하여 훨씬 큰 충방전용량, 즉 가역용량(reversible capacirty, specific capacity)을 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019990050318A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069415
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 액정표시장치의 구동소자인 박막트랜지스터에 사용되는 다결정질 실리콘 박막제조를 위한 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.
본 발명은 비정질 실리콘 박막이나, 팔라듐등과 같이 결정화 반응을 촉진시키는 금속을 소량함유하는 비정질 실리콘 박막을 마이크로파 수소 프라즈마 분위기에서 결정화시킴으로써, 기존의 결정화 방법에 비하여 훨씬 낮은 온도와 짧은 시간에 양질의 다결정질 실리콘 박막의 제조가 가능하다.
이 방법을 박막트랜지스터 소자 제작에 응용함으로써 공정온도의 감소나 공정시간의 단축은 물론 박막트랜지스터 소자 특성의 향상이 가능하다.
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