公开(公告)号：KR101942015B1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：KR1020170139451

申请日：2017-10-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 설우석 ,  유현 ,  박상현 ,  김광희

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR101885766B1

公开(公告)日：2018-08-06

申请号：KR1020160057040

申请日：2016-05-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 배남호 ,  이석재 ,  이경균 ,  김광희 ,  유동은 ,  정순우 ,  이문근 ,  윤석오 ,  김용태

IPC: G01L1/22 ,  B81B7/02 ,  H01B1/02 ,  H01B3/12 ,  H01B3/30 ,  G01N3/08 ,  G01N3/04

Abstract: 본개시내용의구체예에따르면, 외력또는외부압력의작용시 3차원적구조를갖는센서자체의변형에따른저항변화를감지하는방식으로작동하여다양한분야, 예를들면세포의거동을모니터링을수반하는기술분야에효과적으로적용할수 있는스트레인센서및 이의제조방법이개시된다.

公开(公告)号：KR101622388B1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：KR1020150146787

申请日：2015-10-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 유동은 ,  김영수 ,  노길선 ,  김광희

IPC: A61M37/00 ,  G03F7/00

Abstract: 본발명은첨예도가높은오목부를가지는마이크로니들스탬프를구현하기위한제조방법으로서, 실리콘기판을준비하는단계; 상기실리콘기판상에하드마스크패턴을형성하는단계; 상기하드마스크패턴에노출된상기실리콘기판을식각하는단계로서, 상기실리콘기판내에제 1 내부공간을형성하도록상기실리콘기판을제 1 차식각하는단계; 및상기하드마스크패턴에노출된상기실리콘기판을식각하는단계로서, 상기제 1 내부공간의하부에상기제 1 내부공간보다횡단면적이좁은제 2 내부공간을형성하도록상기실리콘기판을제 2 차식각하는단계;를포함하되, 상기실리콘기판을제 1 차식각하는단계와상기실리콘기판을제 2 차식각하는단계는식각가스의상대적비율, 공정압력및 소스/바이어스파워중에서적어도어느하나의공정조건이서로다른것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及具有高峰度的凹部的微针印模的制造方法。 该方法包括以下步骤：制备硅衬底; 在硅衬底上产生硬掩模图案; 首先蚀刻硅衬底以在暴露于硬掩模图案的硅衬底中形成第一内部空间; 其次蚀刻暴露于硬掩模图案的硅衬底，以在第一内部空间的下侧形成具有比第一内部空间更窄的横截面面积的第二内部空间。 首先蚀刻硅衬底的步骤不同于关于蚀刻气体的相对比例，过程压力和源极/偏置功率之类的工艺条件中的至少一个的第二次蚀刻硅衬底的步骤。