-
公开(公告)号：KR101915219B1
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020170071827
申请日：2017-06-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0216
Abstract: 본발명의일 관점에따르면, 실리콘광전소자의기판상에스핀코팅공정으로도펀트물질을함유하는층을형성하고패터닝함으로써제 1 웰(well)을형성하기위한영역을덮는상기도펀트물질을함유하는패턴을형성하는제 1 단계; 상기기판및 상기도펀트물질을함유하는패턴을덮는제 1 캐핑막을형성하는제 2 단계; 및상기제 1 캐핑막을제거하지않은상태에서제 1 어닐링공정을수행함으로써, 상기도펀트물질을함유하는패턴으로부터도펀트가상기기판밖으로확산되었다가상기기판중에서상기제 1 웰을형성하기위한영역이외의영역으로다시들어가는것을방지하면서, 상기도펀트물질을함유하는패턴으로부터상기기판내로도펀트를확산시켜상기제 1 웰을형성하는제 3 단계;를포함하는, 실리콘광전소자의제조방법을제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020170126682A
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160057040
申请日：2016-05-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본개시내용의구체예에따르면, 외력또는외부압력의작용시 3차원적구조를갖는센서자체의변형에따른저항변화를감지하는방식으로작동하여다양한분야, 예를들면세포의거동을모니터링을수반하는기술분야에효과적으로적용할수 있는스트레인센서및 이의제조방법이개시된다.
Abstract translation: 根据本公开，外力或实施例，当外部压力作品通过感测传感器本身的应变的电阻变化的作用具有三维结构涉及各种领域中，例如，监测细胞的行为 公开了一种应变传感器及其制造方法。
-
-
公开(公告)号：KR1020170078296A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188666
申请日：2015-12-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/103 , H01L31/0216
Abstract: 광효율성능과잡음성능을개선할수 있는실리콘광증배소자가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광증배소자는기판에형성된복수개의아발란치포토다이오드(avalanche photodiode) 구조체; 및상기복수개의아발란치포토다이오드구조체사이에각각배치되어하나의아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하되아발란치포토다이오드의리셋(reset)을위한억제저항(quenching resistance)을제공할수 있는, 다크카운터저감및 억제저항통합구조체;를포함한다.
Abstract translation: 提供硅光声辐射器以提高光学效率和噪音性能。 根据本发明的实施例，一种硅光电二极管设置有形成在衬底上的多个雪崩光电二极管结构; 发生在结构雪崩光电二极管结构和但它们分别设置在一个雪崩光电二极管哦次级光移动到邻近自所述多个雪崩光电二极管结构块之间啊重置雪崩光电二极管（ 以及能够提供用于复位的抗猝灭性的暗计数器减少和抑制电阻集成结构。
-
公开(公告)号：KR1020120026670A
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020100088688
申请日：2010-09-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A radio frequency device and a method of fabricating the same are provided to reduce the contact resistance of a guard ring contact plug by forming an impurity doping region in the surface of the guard ring. CONSTITUTION: A substrate(102) comprises a first area(102a) and a second part(102b). A semiconductor layer(106) is formed on the first area of the substrate. A buried insulating layer(104) is formed between the substrate and the semiconductor layer. A plurality of inversion blocking layers(120a) is formed on the second region of the substrate. A field insulating layer(125) covers the side of the semiconductor layer and the top side of the inversion blocking layer.
Abstract translation: 目的：提供一种射频装置及其制造方法，以通过在保护环表面形成杂质掺杂区来减小保护环接触插塞的接触电阻。 构成：衬底（102）包括第一区域（102a）和第二部分（102b）。 半导体层（106）形成在基板的第一区域上。 在衬底和半导体层之间形成掩埋绝缘层（104）。 在基板的第二区域上形成多个反转阻挡层（120a）。 场绝缘层（125）覆盖半导体层的侧面和反转阻挡层的顶侧。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120015962A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020100078538
申请日：2010-08-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/265 , H01L21/28185 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/788
Abstract: PURPOSE: A tunnel insulating layer, a non-volatile memory device, and a manufacturing method thereof are provided to remarkably reduce a leakage current by forming an insulating layer separation area including silicon-nitrogen combination by annealing after injecting a nitrogen ion in the tunnel insulating layer. CONSTITUTION: An insulating layer consisting of silicon oxide is formed on the upper side of a substrate(S10). The insulating layer is formed by a low-pressure chemical vapor deposition, a wet oxidation method or a thermal oxidation method. An ion doping layer is formed in the inner side of the insulating layer by injecting an ion in the insulating layer(S20). An insulating layer separation area is formed in the inner side of the insulating layer by annealing the insulating layer in which the ion doping layer is formed(S30).
Abstract translation: 目的：提供隧道绝缘层，非易失性存储器件及其制造方法，通过在隧道绝缘中注入氮离子之后通过退火形成包含硅 - 氮组合的绝缘层分离区，显着降低漏电流 层。 构成：在基板的上侧形成由氧化硅构成的绝缘层（S10）。 绝缘层通过低压化学气相沉积，湿式氧化法或热氧化法形成。 通过在绝缘层中注入离子，在绝缘层的内侧形成离子掺杂层（S20）。 通过使形成有离子掺杂层的绝缘层退火，在绝缘层的内侧形成绝缘层分离区域（S30）。
-
公开(公告)号：KR101763865B1
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020150188666
申请日：2015-12-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/103 , H01L31/0216
Abstract: 광효율성능과잡음성능을개선할수 있는실리콘광증배소자가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광증배소자는기판에형성된복수개의아발란치포토다이오드(avalanche photodiode) 구조체; 및상기복수개의아발란치포토다이오드구조체사이에각각배치되어하나의아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하되아발란치포토다이오드의리셋(reset)을위한억제저항(quenching resistance)을제공할수 있는, 다크카운터저감및 억제저항통합구조체;를포함한다.
-
公开(公告)号：KR101547533B1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：KR1020130141902
申请日：2013-11-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B29C59/02
Abstract: 본발명은미세패턴이형성된구조체를제조하는방법에관한것으로서, 더욱상세하게는고분자몰드를이용한생산성이향상된미세패턴이형성된구조체의제조방법에관한것이다. 본발명에따른미세패턴이형성된구조체의제조방법은, (ㄱ) 표면에패턴이형성된고분자몰드를제조하는단계와, (ㄴ) 상기고분자몰드의패턴내에유동성재료를도포하는단계와, (ㄹ) 2차구조체지지기판을상기고분자몰드의패턴위에배치하는단계와, (ㅁ) 상기유동성재료를경화시켜상기 2차구조체지지기판에부착하는단계와, (ㅂ) 상기 2차구조체지지기판과상기고분자몰드를분리시켜, 상기유동성재료가경화되면서형성된유동성재료경화구조체가부착된 2차구조체지지기판을얻는단계를포함한다. 본발명에따른미세패턴이형성된구조체의제조방법은기포등에의한패턴결함이발생할확률이낮다는장점이있다. 따라서구조의미세화와고밀도화에유리하며수율이높다.
-
公开(公告)号：KR1020150059190A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130141902
申请日：2013-11-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B29C59/02
CPC classification number: B29C59/022 , B29C41/22 , B29C59/046 , B29C2059/023 , G03F7/0002
Abstract: 본발명은미세패턴이형성된구조체를제조하는방법에관한것으로서, 더욱상세하게는고분자몰드를이용한생산성이향상된미세패턴이형성된구조체의제조방법에관한것이다. 본발명에따른미세패턴이형성된구조체의제조방법은, (ㄱ) 표면에패턴이형성된고분자몰드를제조하는단계와, (ㄴ) 상기고분자몰드의패턴내에유동성재료를도포하는단계와, (ㄹ) 2차구조체지지기판을상기고분자몰드의패턴위에배치하는단계와, (ㅁ) 상기유동성재료를경화시켜상기 2차구조체지지기판에부착하는단계와, (ㅂ) 상기 2차구조체지지기판과상기고분자몰드를분리시켜, 상기유동성재료가경화되면서형성된유동성재료경화구조체가부착된 2차구조체지지기판을얻는단계를포함한다. 본발명에따른미세패턴이형성된구조체의제조방법은기포등에의한패턴결함이발생할확률이낮다는장점이있다. 따라서구조의미세화와고밀도화에유리하며수율이높다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有精细图案的结构的方法，更具体地说，涉及使用聚合物模具提高生产率的精细图案的结构的制造方法，包括以下步骤：（a）制造聚合物模具， 表面有图案; （b）用流体材料在聚合物模具上涂布图案; （d）在所述聚合物模具上设置辅助结构支撑基板; （e）将固化的流体材料附着到二级结构支撑基底; 和（f）将聚合物模具与二级结构支撑基材分离，从而获得附着有通过固化流体材料形成的流体材料的固化结构的第二结构支撑基底，从而具有高产率，同时具有较低的图案可能性 气泡造成的故障，有利于制作微结构和高密度。
-
公开(公告)号：KR101186978B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020100115846
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조방법에 따르면, 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공한다. 상기 매몰 절연층 및 상기 반도체층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.019 seconds)
