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公开(公告)号：KR1020130025010A
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020110088045
申请日：2011-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H05K1/028
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flexible memory device and the flexible memory device manufactured by the same are provided to implement a memory array on a flexible substrate by one switching device and one memory structure. CONSTITUTION: A polycrystalline or signal crystalline silicon switching device with high performance is formed on a flexible substrate. A memory device including the switching device is manufactured. The silicon switching device is transferred after the silicon switching device is manufactured on the silicon substrate. The silicon switching device is crystallized from amorphous silicon to polycrystalline or single crystalline silicon on the flexible substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造柔性存储器件的方法和由其制造的柔性存储器件，以通过一个开关器件和一个存储器结构在柔性基板上实现存储器阵列。 构成：在柔性基板上形成具有高性能的多晶或信号晶体硅开关器件。 制造包括切换装置的存储装置。 在硅基板上制造硅开关器件之后，转移硅开关器件。 硅开关器件从非晶硅结晶到柔性衬底上的多晶或单晶硅。
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公开(公告)号：KR101113692B1
公开(公告)日：2012-02-27
申请号：KR1020090087818
申请日：2009-09-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L31/1856 , H01L31/0304 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/0725 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: GaN 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 GaN 태양전지가 제공된다.
본 발명에 따른 GaN 태양전지 제조방법은 (a) 희생 기판상에 InGaN를 포함하는 태양전지 소자층을 적층하는 단계; (b) 상기 소자층을 식각하여 상기 희생 기판을 노출시킴으로써, 상기 태양전지 소자층을 포함하는 하나 이상의 태양전지 소자를 형성하는 단계; (c) 상기 노출된 희생 기판을 비등방식각하여, 소정 간격으로 이격된 상기 하나 이상의 태양전지 소자를 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계; (d) 상기 분리된 하나 이상의 태양전지 소자를 PDMS에 접촉시키는 단계; 및 (e) 상기 PDMS에 접촉된 태양전지 소자를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 고온의 반도체 공정을 실리콘 기판에 진행한 후, 플렉서블 기판에 전사시키는 방식이므로, 플렉서블 태양전지의 제조가 가능하다. 더 나아가, 대면적에서 많은 수의 태양전지를 우수한 정렬도로 구현, 제조할 수 있으므로, 경제성이 우수하다.-
公开(公告)号：KR1020110038210A
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR1020090095404
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/02
CPC classification number: H01L41/0815 , C04B35/491 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/311 , H01L41/39
Abstract: PURPOSE: A flexible piezoelectric device and a manufacturing method thereof are provided to stably rectify a current property by electrically connecting a plurality of unit piezoelectric devices and a capacitor to the same flexible substrate. CONSTITUTION: A piezoelectric device layer is laminated on a sacrificial substrate. The piezoelectric device layer is processed on the sacrificial substrate at a high temperature. A piezoelectric device(551) is formed by patterning the piezoelectric device layer. The piezoelectric device is separated from the sacrificial substrate by etching the sacrificial substrate. After the piezoelectric device is connected to a transfer layer, the piezoelectric device is transferred to the flexible substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种柔性压电器件及其制造方法，以通过将多个单元压电器件和电容器电连接到相同的柔性衬底来稳定地校正电流特性。 构成：在牺牲基板上层压压电器件层。 压电器件层在高温下在牺牲基片上进行处理。 通过图案化压电元件层形成压电元件（551）。 通过蚀刻牺牲衬底将压电器件与牺牲衬底分离。 在将压电元件连接到转印层之后，将压电元件转印到柔性基板上。
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公开(公告)号：KR1020110029936A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：KR1020090087818
申请日：2009-09-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L31/1856 , H01L31/0304 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/0725 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a solar cell and a solar cell manufactured by the same are provided to align a lot of solar cells on a large area, thereby increasing profitability. CONSTITUTION: A solar cell device layer with InGaN is stacked on a sacrificial substrate. The sacrificial substrate is exposed by etching the device layer to form a solar cell device including the solar cell device layer. The solar cell device is separated from the sacrificial substrate. At least one separated solar cell device contacts a PDMS. The solar cell device contacting PDMS is transferred on a flexible substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池的制造方法以及由该太阳能电池制造的太阳能电池，以便在大面积上排列大量太阳能电池，从而提高盈利能力。 构成：具有InGaN的太阳能电池器件层堆叠在牺牲衬底上。 通过蚀刻器件层来暴露牺牲衬底，以形成包括太阳能电池器件层的太阳能电池器件。 太阳能电池器件与牺牲衬底分离。 至少一个分离的太阳能电池装置接触PDMS。 接触PDMS的太阳能电池器件被转移到柔性基板上。
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公开(公告)号：KR1020110029677A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：KR1020090087458
申请日：2009-09-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7842 , H01L21/02225 , H01L21/47573 , H01L29/41725
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flexible device and a flexible device manufactured by the same are provided to use a spacer on a side of a device, thereby accurately and freely performing an anisotropic etching process. CONSTITUTION: An insulating film(205) is stacked on a silicon substrate(200) including source and drain regions. The insulating film is selectively etched so that the silicon substrate is exposed. The silicon substrate is anisotropically etched. An area where the anisotropically etched device is formed is transferred to a flexible substrate from the silicon substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造柔性装置的方法和由其制造的柔性装置，以在装置的侧面上使用间隔件，由此精确且自由地执行各向异性蚀刻工艺。 构成：在包括源区和漏区的硅衬底（200）上堆叠绝缘膜（205）。 选择性地蚀刻绝缘膜，使得硅衬底露出。 硅衬底被各向异性蚀刻。 形成各向异性蚀刻的器件的区域从硅衬底转移到柔性衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101224268B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020120025179
申请日：2012-03-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8229
Abstract: ＬＣＰ를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 전자소자 제조방법은 희생기판 상에서 전자소자를 제조하는 단계; 상기 제조된 전자소자를 LCP 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 전자소자 상에 LCP 코팅층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며,본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법은 소자의 하부 기판 및 상부 코팅층으로 LCP를 사용한다. 따라서, 한 번의 고온 과정을 통하여 하부 기판과 상부 코팅층이 동시에 소자의 상, 하부와 접합되므로, 공정 경제적이다. 더 나아가, 코팅층으로 사용된 LCP의 우수한 방수성에 따라 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자는 인체 내와 같은 용액 환경에서도 효과적으로 구동할 수 있다. 더 나아가 본 발명에 따라 제조된 플렉서블 소자는 높은 항복 전압 등의 우수한 전기적 특성을 나타낸다.-
公开(公告)号：KR1020120092891A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：KR1020110012806
申请日：2011-02-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8229 , H01L27/12 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/8229 , G03F1/60 , G03F7/16 , G03F7/2022 , H01L21/0274 , H01L27/1203
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flexible electronic device and a method for manufacturing a flexible memory device using the same are provided to reduce manufacturing costs by welding a bottom substrate and a top coating layer to the top and bottom of a device through one high temperature process. CONSTITUTION: An electronic material layer of an electronic device is formed on a sacrificial substrate. The electronic material layer of the electronic device is transferred on an LCP(Liquid Crystal Polymer) substrate(210). The electronic device is formed on the electronic material layer. The electronic device is a memory device. An LCP coating layer(320) is formed on the electronic device. The LCP substrate and the LCP coating layer are heat-treated.
Abstract translation: 目的：提供一种柔性电子器件的制造方法和使用该柔性电子器件的柔性存储器件的制造方法，以通过将底部基板和顶部涂层通过一个高温焊接到器件的顶部和底部来降低制造成本 处理。 构成：在牺牲基板上形成电子器件的电子材料层。 电子器件的电子材料层在LCP（液晶聚合物）衬底（210）上转印。 电子器件形成在电子材料层上。 电子设备是存储设备。 在电子设备上形成LCP涂层（320）。 LCP底物和LCP涂层进行热处理。
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公开(公告)号：KR101098560B1
公开(公告)日：2011-12-26
申请号：KR1020090087458
申请日：2009-09-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본발명에따른플렉서블소자제조방법은상기방법은복수의소스, 드레인영역을포함하는실리콘기판상에절연막을적층하는단계; 상기절연막을선택적으로식각하여, 상기실리콘기판을노출시킴으로써상기소스, 드레인영역을포함하는소자형성영역을정의하는단계; 상기절연막을통하여노출된실리콘기판을비등방식각하는단계; 및상기실리콘기판으로부터상기비등방식각된소자형성영역을 PDMS에의하여플렉서블기판으로전사시키는단계를포함하며, 여기에서상기소자형성영역상의절연막너비를달리함으로써, 상기소자형성영역을상기플렉서블기판에선택적으로전사시키며, 요철모양, 즉일정한단차가있는 PDMS를별도로제조, 사용한종래기술과달리평탄한 PDMS를사용하여선택적전사를함으로써기존기술의단점, 예를들면 PDMS의새깅효과, 원하지않는반도체소자의전사, 낮은정렬도등을효과적으로극복할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110117282A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100036651
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N33/52 , H01L29/786 , G01N33/00
CPC classification number: G01N27/414 , G01N33/52 , H01L21/02675
Abstract: 레이저를 이용한 플렉서블 바이오센서 및 이를 이용한 검출방법이 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 바이오센서는 플렉서블 하부 기판;
상기 플렉서블 하부 기판의 상부에 적층되며, 제 1형 불순물이 도핑된 소스 및 드레인 영역이 소정 간격으로 이격되어 형성된 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판에 적층된 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하며, 여기에서 상기 게이트 전극에는 생물학적 활성 물질을 검출하는 검출 물질이 고정화되며, 상기 실리콘 기판은 레이저에 의하여 결정화된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 바이오센서는 플렉서블 기판상에 직접 구현되므로, 실리콘 기판에서 소자 기판을 제조한 후, 플렉서블 기판으로 전사시키는 종래 기술에 비하여 경제성이 우수하다.-
公开(公告)号：KR1020110117280A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100036649
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N33/50 , G01N27/26 , G01N33/553 , C07K19/00
Abstract: 금 결합물질을 이용한 플렉서블 바이오 센서 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 바이오 센서는 플렉서블 기판;
상기 플렉서블 기판 상에 적층되며, 제 1형 불순물이 도핑된 소스 및 드레인 영역이 소정 간격으로 이격되어 형성된 실리콘 기판; 및
상기 실리콘 기판에 적층된 금으로 이루어진 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하며, 여기에서 상기 게이트 전극에는 금과 특이적으로 결합하는 금 결합물질이 융합된 융합단백질이 고정된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 바이오센서는 플렉서블 기판상에 구현되므로, 종래의 실리콘 기판상에 구현된 바이오센서가 가지는 기판의 한계를 효과적으로 극복할 수 있다.
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