-
公开(公告)号：KR101454878B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130109677
申请日：2013-09-12
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01Q3/36 , H01L2223/6677 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01Q3/24 , H01Q13/0283 , H01Q21/08 , H01Q21/20
Abstract: 본 발명은 유전체, 상기 유전체 내부에 적층되어 매립되는 중공된 사각 또는 원형의 복수의 금속 패턴, 상기 금속 패턴의 층간에 매립되어 상하로 연결하는 복수의 금속 비아 및 상기 유전체의 상부에 형성된 접지면을 포함하며, 상기 복수의 금속 패턴은 방사형으로 적층되어 전자기파가 집중되어 전파되는 웨이브가이드 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방사와 수직 방사의 선택적 이용이 가능한 매립형 혼 안테나에 관한 것이다.
본 발명에 따른 수평 방사와 수직 방사의 선택적 이용이 가능한 매립형 혼 안테나는 유전체 기판 내에 금속 패턴 및 비아를 통해 구현함으로써 상대적으로 작은 크기에 큰 이득을 갖는 효과를 얻을 수 있고 수평 방향과 수직 방향의 구성을 하나의 기판에 배치하여 선택적으로 이용이 가능하고 단순한 제조 공정의 제조방법을 제공할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种能够选择性地使用垂直和水平发射的埋地喇叭天线。 埋地喇叭天线包括： 多个正方形或圆形的中空金属图案，其层叠在电介质内并被埋置; 多个金属通孔，其被埋在金属图案的层之间并将其向上和向下连接; 以及形成在电介质的上侧的接地平面。 金属图案在各个方向上分层，形成电波集中和扩展的波导结构。 根据能够选择性地使用垂直和水平发射的埋地喇叭天线，通过在金属图案和通孔中形成在电介质基板中，可以获得具有小尺寸增益的效果，并且可以通过将组合物 在一个基板上的水平和垂直方向，并且可以提供简单制造工艺的制造方法。
-
公开(公告)号：KR101413527B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120134979
申请日：2012-11-27
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03L7/24 , H03B15/006 , H03C3/00 , H03L1/00
Abstract: 본 발명은 mxn 행렬의 스핀 발진기들로 구성된 스핀 어레이(m ≥ 1 , n ≥1); 동작 조건에 따라 상기 스핀 발진기들을 선택적으로 동작시키기 위한 선택제어수단; 및 상기 동작 조건의 변동에 따라 상기 스핀 발진기들의 위상 동기 동작을 조정하기 위한 mxn 위상 조정수단들로 구성된 위상조정 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 조정수단을 가진 스핀 변조기에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR1020130097502A
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020120019211
申请日：2012-02-24
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03F3/16 , G06F17/5072 , H03F1/0227
Abstract: PURPOSE: An efficiency-improved envelope amplifier using a dual switching amplifier and a designing method thereof are provided to reduce power consumption, thereby improving efficiency compared with an existing envelope amplifier. CONSTITUTION: An efficiency-improved envelope amplifier includes a linear amplifier (1) and a switching amplifier (2). The switching amplifier includes at least two switching stages (21,22) which are selectively actuated by the size of an envelope input signal. The switching stage comprises a p-channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an n-channel metal oxide semiconductor (NMOS). The envelop amplifier has a structure in which the linearity of the linear amplifier and the high efficiency of the switching amplifier. The linear amplifier is actuated by an independent voltage source amplifying the envelope input signal, and the switching amplifier is actuated by a dependent current source feeding most of an electric current required for the output of the switching amplifier. An output voltage is controlled by an input voltage, and an output current is a sum of the current of the linear amplifier and the current of the switching amplifier.
Abstract translation: 目的：提供一种使用双开关放大器的效率改进的包络放大器及其设计方法，以减少功耗，从而提高与现有的包络放大器相比的效率。 构成：效率改进的包络放大器包括线性放大器（1）和开关放大器（2）。 开关放大器包括至少两个切换级（21,22），其被包络输入信号的大小选择性地启动。 开关级包括p沟道金属氧化物半导体（PMOS）和n沟道金属氧化物半导体（NMOS）。 包络放大器具有其中线性放大器的线性度和开关放大器的高效率的结构。 线性放大器由放大包络输入信号的独立电压源驱动，并且开关放大器由依赖电流源驱动，馈送开关放大器的输出所需的大部分电流。 输出电压由输入电压控制，输出电流是线性放大器的电流与开关放大器的电流之和。
-
公开(公告)号：KR1020090079064A
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：KR1020080005011
申请日：2008-01-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: A resistive frequency mixer and a signal processing method using by the same are provided to improve the isolation of RF-IF through a resistivity frequency mixing unit. A resistive frequency mixer includes a first frequency mixer(304) and a secondary frequency mixer(308). The first frequency mixer has a source follower FET(M2), and a first frequency mixer comprises a first inductor. The first inductor is connected a drain of source follower FET to compensate capacitance generated between a gate-source and a drain-source while the second frequency mixer has a common source FET(M1).
Abstract translation: 提供了一种电阻式混频器及其使用的信号处理方法，以通过电阻率频率混频单元改善RF-IF的隔离。 电阻式混频器包括第一混频器（304）和次频混频器（308）。 第一混频器具有源极跟随器FET（M2），第一混频器包括第一电感器。 第一电感器连接源极跟随器FET的漏极以补偿在栅极 - 源极和漏极 - 源极之间产生的电容，而第二个混频器具有公共源极FET（M1）。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101766216B1
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020160015015
申请日：2016-02-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른배열안테나는, 적층된제1층, 제2층, 제3층을갖는유전체기판; 상기유전체기판의제1층에배치된접지면및 급전라인을포함하는도체영역; 상기유전체기판의제3층에배치되고, 상기급전라인과일부가도체비아를통해연결되는복수의단위안테나가배열된패치안테나; 및상기유전체기판의제2층에배치되어, 상기패치안테나와상기도체영역과의간섭을차단하는인공자기도체; 를포함하고, 상기인공자기도체는사전에설정된주파수에서공진을형성하도록복수의패턴형상이서로기설정간격만큼이격되어반복배치되는격자구조를가질수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的阵列天线包括：电介质基板，具有堆叠的第一层，第二层和第三层; 导体区域，包括设置在所述电介质基板的第一层中的接地平面和馈线; 贴片天线，设置在介质基片的第三层中，并具有多个通过导体过孔布置的单元天线; 以及人造磁导体，设置在所述介电基板的所述第二层上，以阻止所述贴片天线与所述导体区域之间的干扰; 并且人造磁导体可以具有格子结构，其中多个图案形状以预定间隔彼此重复地间隔开以便以预定频率形成共振。
-
公开(公告)号：KR101746640B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020160004432
申请日：2016-01-13
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은 4 채널 RF 빔형성장치로서, 제 1 채널내지제 4 채널에각각형성된제 1 위상천이기내지제 4 위상천이기를포함하고, 상기제 1 위상천이기내지제 4 위상천이기각각은입력된신호에대하여 2 가지위상만을선택적으로출력하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种四通道RF波束形成设备，其包括分别形成在第一至第四通道中的第一至第四移相器，其中第一至第四移相器中的每一个均包括输入 并且选择性地输出关于接收信号的两个相位。
-
公开(公告)号：KR101562905B1
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR1020140092962
申请日：2014-07-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은 USB 3.0 또는그 이상전송기술에밀리미터파또는서브테라헤르츠파대역을사용하는기가비트고속무선전송기술및 직렬데이터구조인 SATA 장치를결합하고, 직렬구조의데이터인터페이스를실현하여 USB 3.0 또는그 이상전송속도로대용량데이터를전송하는전력소모가적고휴대가가능한무선 USB를제공하는데있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种较少的功率消耗，以及便携式无线USB，其使用具有千兆比特无线发送技术的SATA设备，其使用的是毫米波波段或亚太赫兹波段，或者比传统技术更多，以及 数据结构系列; 并以USB 3.0的发送速度发送海量数据，或者通过串行执行数据接口结构的传输速度传输大量数据。
-
公开(公告)号：KR101548980B1
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020130111152
申请日：2013-09-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H03H9/66
CPC classification number: H03H7/0161 , H03H2240/00 , H03H2250/00
Abstract: 본발명은고역필터와저역필터를모두하나의칩에집적한위상천이기에있어서, 상기저역필터를구성하는직렬인덕터와병렬커패시터의사이의내부공간에상기고역필터를구성하는직렬커패시터와병렬인덕터를배치하여칩크기를감소시킨것을특징으로하는고집적필터형위상천이기에관한것이다. 또한본 발명은고역필터와저역필터를선택적으로동작시켜위상을천이시키는위상천이기에있어서, 상기고역필터와상기저역필터는입력신호를선택적으로전달받기위한스위칭부를각 필터마다적어도하나씩을구비하되, 상기스위칭부는, 트랜지스터, 상기트랜지스터의드레인단과소스단사이에병렬연결된인덕터및 상기트랜지스터의기판에연결된고저항을포함하여단극쌍투스위치를대체하여전체칩크기를감소시킨것을특징으로하는고집적필터형위상천이기에관한것이다.
-
公开(公告)号：KR1020150032370A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020130111152
申请日：2013-09-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H03H9/66
CPC classification number: H03H7/0161 , H03H2240/00 , H03H2250/00 , H03H9/66
Abstract: 본 발명은 고역필터와 저역필터를 모두 하나의 칩에 집적한 위상 천이기에 있어서, 상기 저역필터를 구성하는 직렬 인덕터와 병렬 커패시터의 사이의 내부 공간에 상기 고역필터를 구성하는 직렬 커패시터와 병렬 인덕터를 배치하여 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.
또한 본 발명은 고역필터와 저역필터를 선택적으로 동작시켜 위상을 천이시키는 위상 천이기에 있어서, 상기 고역필터와 상기 저역필터는 입력 신호를 선택적으로 전달받기 위한 스위칭부를 각 필터마다 적어도 하나씩을 구비하되, 상기 스위칭부는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 드레인단과 소스단 사이에 병렬 연결된 인덕터 및 상기 트랜지스터의 기판에 연결된 고저항을 포함하여 단극쌍투 스위치를 대체하여 전체 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明涉及一种高度集成的滤波型移相器，其集成了一个芯片中的所有高通滤波器和低通滤波器，其具有将构成高通滤波器的串联电容器和并联电感器布置在 串联电感和并联电容之间的内部空间。 构成低通滤波器以减小芯片的尺寸。 另外，本发明涉及一种高度集成的滤波型移相器，其选择性地驱动高通滤波器和低通滤波器来移位相位，其具有使每个高通滤波器和低通滤波器的特性在 用于选择性地接收输入信号的至少一个开关，其中所述开关部分包括晶体管，并联连接在所述晶体管的漏极端和源极端之间的电感器，以及连接到所述晶体管的基板的高电阻，由此降低整体 通过更换单刀双掷开关，芯片尺寸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
63
records
(took 0.023 seconds)
