선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법
    11.
    发明授权
    선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법 失效
    선택적다마신을이용한반도체금속배선의형성방

    公开(公告)号:KR100639073B1

    公开(公告)日:2006-10-30

    申请号:KR1020050038722

    申请日:2005-05-10

    Abstract: A method for forming a semiconductor metal line is provided to reduce fabrication costs by performing a selective damascene process using an insulating material. A first insulating layer(302) with a via(303) and a trench(304) is formed on a semiconductor substrate(301). A metal seed layer(305) is formed along an upper surface of the resultant structure. A second insulating layer(306) is formed on the resultant structure by selectively printing an insulating material on the metal seed layer. The via and trench are filled with a predetermined metal by performing an electroplating process on the metal seed layer. The second insulating layer is removed therefrom. The metal seed layer is removed from a predetermined portion under the second insulating layer.

    Abstract translation: 提供一种用于形成半导体金属线的方法,以通过使用绝缘材料执行选择性镶嵌工艺来降低制造成本。 具有通孔(303)和沟槽(304)的第一绝缘层(302)形成在半导体衬底(301)上。 沿着所得结构的上表面形成金属种子层(305)。 通过在金属种子层上选择性地印刷绝缘材料而在所得结构上形成第二绝缘层(306)。 通过在金属种子层上执行电镀工艺,通孔和沟槽被预定金属填充。 第二绝缘层从其上移除。 从第二绝缘层下方的预定部分去除金属种子层。

    가변 커패시터 및 가변 인덕터
    12.
    发明授权
    가변 커패시터 및 가변 인덕터 失效
    可变电容器和电感器

    公开(公告)号:KR101086680B1

    公开(公告)日:2011-11-25

    申请号:KR1020090123031

    申请日:2009-12-11

    Abstract: 본 발명은 가변 커패시터 및 가변 인덕터에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 가변 커패시터는 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 정전 구동방식을 이용하여 커패시턴스를 연속적으로 가변하는 제1 가변 커패시터부, 및 제1 가변 커패시터부와 각각 병렬 접속된 복수의 단위 가변부를 포함하는 제2 가변 커패시터부를 포함하고, 단위 가변부는 서로 직렬 접속된 단위 커패시터와 단위 스위치를 포함하고, 단위 스위치들의 동작에 따라 초기 커패시턴스를 결정하고, 제1 가변 커패시터부의 동작에 따라 초기 커패시턴스를 제1 가변 커패시터부의 가변 범위 내에서 연속적으로 가변하는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따르면, 연속적인 가변 범위를 갖는 가변 소자와, 불연속적인 가변 범위를 갖는 가변 소자를 효율적으로 결합함으로써 연속적인 가변 범위를 확장시킬 수 있으므로, 기존의 가변 소자에 비해 매우 넓고 연속적인 가변 범위를 제공할 수 있다.
    MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 가변 커패시터(variable capacitor), 가변 인덕터(variable inductor)

    인덕턴스와 커패시턴스가 동시에 변화하는 가변 수동 소자
    13.
    发明公开
    인덕턴스와 커패시턴스가 동시에 변화하는 가변 수동 소자 有权
    可变的被动设备调谐电感和电容模拟

    公开(公告)号:KR1020110030516A

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:KR1020110009427

    申请日:2011-01-31

    Abstract: PURPOSE: A variable passive device capable of tuning inductance and capacitance simultaneously is provided to reduce the manufacturing cost by minimizing the required area by changing the inductance and the capacitance simultaneously as one element. CONSTITUTION: A solenoid-type inductor(910) is formed on an insulating substrate(900). A fixed comb-typed electrode part(920) is formed on the insulating substrate. A flow comb-typed electrode part(930) is formed between the solenoid-type inductor and the fixed comb-typed electrode part. The flow comb-typed electrode part comprises a plurality of first flow comb-typed electrodes(931a), a plurality of second flow comb-typed electrodes(931b), and an elastic member.

    Abstract translation: 目的:提供能够同时调谐电感和电容的可变无源器件,以通过将电感和电容同时改变为一个元件来最小化所需面积来降低制造成本。 构成:在绝缘基板(900)上形成螺线管型电感(910)。 在绝缘基板上形成固定梳状电极部(920)。 在螺线管型电感器和固定梳型电极部件之间形成流动梳状电极部件(930)。 流动梳状电极部分包括多个第一流动梳状电极(931a),多个第二流动梳状电极(931b)和弹性部件。

    폴리머 패턴
    16.
    发明公开
    폴리머 패턴 有权
    聚合物图案和金属薄膜图案,金属图案,使用其的塑料模具及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020060029125A

    公开(公告)日:2006-04-04

    申请号:KR1020050009815

    申请日:2005-02-03

    Abstract: 본 발명은 종래 리소그래피 공정에 따른 수단 및 방법을 달리하여 다양한 형상을 갖는 폴리머 패턴, 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴 및 플라스틱 몰드구조, 그의 형성방법에 관한 것이다.
    이와 같은 본 발명의 다양한 형상을 갖는 폴리머 패턴의 형성방법은 (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머를 도포하여 막을 형성하는 단계; (b) 상기 폴리머 막 상에 포토마스크를 위치하는 단계; 및 (c) 상기 포토마스크 상에서 임의의 방향으로 진행하는 광을 이용하여 상기 폴리머 막에 조사하여, 상기 폴리머 패턴의 표면으로부터 기판과 수직방향으로 오목한 패턴으로 형성하고 기판과 수평방향으로 연장되도록 하나 이상의 패턴을 형성하 는 단계;를 포함하며, 본 발명의 폴리머 패턴은 상기 폴리머 패턴의 표면으로부터 기판과 수직방향으로 오목한 패턴으로 형성되고, 상기 기판과 수평방향으로 연장되는 하나 이상의 패턴을 가지며, 상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖도록 형성된다.
    둥근 단면, 커브드(curved), 폴리머 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드, 디퓨저, 칸틸레버 빔(cantilever beam), 마이크로렌즈(microlens), 마이크로 플루이틱 채널(micro fluidic channel)

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