Abstract:
A method for forming a semiconductor metal line is provided to reduce fabrication costs by performing a selective damascene process using an insulating material. A first insulating layer(302) with a via(303) and a trench(304) is formed on a semiconductor substrate(301). A metal seed layer(305) is formed along an upper surface of the resultant structure. A second insulating layer(306) is formed on the resultant structure by selectively printing an insulating material on the metal seed layer. The via and trench are filled with a predetermined metal by performing an electroplating process on the metal seed layer. The second insulating layer is removed therefrom. The metal seed layer is removed from a predetermined portion under the second insulating layer.
Abstract:
본 발명은 가변 커패시터 및 가변 인덕터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가변 커패시터는 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 정전 구동방식을 이용하여 커패시턴스를 연속적으로 가변하는 제1 가변 커패시터부, 및 제1 가변 커패시터부와 각각 병렬 접속된 복수의 단위 가변부를 포함하는 제2 가변 커패시터부를 포함하고, 단위 가변부는 서로 직렬 접속된 단위 커패시터와 단위 스위치를 포함하고, 단위 스위치들의 동작에 따라 초기 커패시턴스를 결정하고, 제1 가변 커패시터부의 동작에 따라 초기 커패시턴스를 제1 가변 커패시터부의 가변 범위 내에서 연속적으로 가변하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 연속적인 가변 범위를 갖는 가변 소자와, 불연속적인 가변 범위를 갖는 가변 소자를 효율적으로 결합함으로써 연속적인 가변 범위를 확장시킬 수 있으므로, 기존의 가변 소자에 비해 매우 넓고 연속적인 가변 범위를 제공할 수 있다. MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 가변 커패시터(variable capacitor), 가변 인덕터(variable inductor)
Abstract:
PURPOSE: A variable passive device capable of tuning inductance and capacitance simultaneously is provided to reduce the manufacturing cost by minimizing the required area by changing the inductance and the capacitance simultaneously as one element. CONSTITUTION: A solenoid-type inductor(910) is formed on an insulating substrate(900). A fixed comb-typed electrode part(920) is formed on the insulating substrate. A flow comb-typed electrode part(930) is formed between the solenoid-type inductor and the fixed comb-typed electrode part. The flow comb-typed electrode part comprises a plurality of first flow comb-typed electrodes(931a), a plurality of second flow comb-typed electrodes(931b), and an elastic member.
Abstract:
본 발명은 종래 리소그래피 공정에 따른 수단 및 방법을 달리하여 다양한 형상을 갖는 폴리머 패턴, 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴 및 플라스틱 몰드구조 및 그 형성방법 등에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 폴리머 패턴 형성방법은 기판 위에 폴리머 패턴을 형성하는 방법에 있어서, (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머를 도포하여 폴리머 막을 형성하는 단계와, (b) 상기 폴리머 막 상에 포토마스크를 배치하는 단계 및 (c) 상기 포토마스크를 통하여 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 폴리머 막에 조사하여, 상기 폴리머 패턴의 표면으로부터 상기 기판과 수직방향으로 오목한 패턴을 형성하고 상기 기판과 수평방향으로 연장되도록 하나 이상의 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖는 원 또는 타원의 형상이고, 상기 원 또는 타원의 중심 위쪽의 상부가 일직선상으로 절단되어 있다. 둥근 단면, 커브드(curved), 폴리머 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드, 디퓨저, 칸틸레버 빔(cantilever beam), 마이크로렌즈(microlens), 마이크로 플루이틱 채널(micro fluidic channel)
Abstract:
본 발명은 종래 리소그래피 공정에 따른 수단 및 방법을 달리하여 다양한 형상을 갖는 폴리머 패턴, 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴 및 플라스틱 몰드구조, 그의 형성방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명의 폴리머 패턴은 기판 위에 소정의 형상으로 형성된 폴리머 패턴에 있어서, 상기 폴리머 패턴은 상기 폴리머 패턴의 표면으로부터 상기 기판과 수직방향으로 오목한 패턴으로 형성되고, 상기 기판과 수평방향으로 연장되는 하나 이상의 패턴을 가지며, 상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖는 원 또는 타원의 형상이고, 상기 원 또는 타원의 중심 위쪽의 상부가 일직선상으로 절단되어 있다. 둥근 단면, 커브드(curved), 폴리머 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드, 디퓨저, 칸틸레버 빔(cantilever beam), 마이크로렌즈(microlens), 마이크로 플루이틱 채널(micro fluidic channel)
Abstract:
본 발명은 종래 리소그래피 공정에 따른 수단 및 방법을 달리하여 다양한 형상을 갖는 폴리머 패턴, 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴 및 플라스틱 몰드구조, 그의 형성방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명의 다양한 형상을 갖는 폴리머 패턴의 형성방법은 (a) 상기 기판 위에 감광성 폴리머를 도포하여 막을 형성하는 단계; (b) 상기 폴리머 막 상에 포토마스크를 위치하는 단계; 및 (c) 상기 포토마스크 상에서 임의의 방향으로 진행하는 광을 이용하여 상기 폴리머 막에 조사하여, 상기 폴리머 패턴의 표면으로부터 기판과 수직방향으로 오목한 패턴으로 형성하고 기판과 수평방향으로 연장되도록 하나 이상의 패턴을 형성하 는 단계;를 포함하며, 본 발명의 폴리머 패턴은 상기 폴리머 패턴의 표면으로부터 기판과 수직방향으로 오목한 패턴으로 형성되고, 상기 기판과 수평방향으로 연장되는 하나 이상의 패턴을 가지며, 상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖도록 형성된다. 둥근 단면, 커브드(curved), 폴리머 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드, 디퓨저, 칸틸레버 빔(cantilever beam), 마이크로렌즈(microlens), 마이크로 플루이틱 채널(micro fluidic channel)