Abstract:
본 발명은 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 발생 장치는 일면의 중심에 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극, 일면의 복수의 위치에서 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받고 제1 전극의 주위에 배치된 와셔 형상의 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 와셔 형상의 절연 스페이서, 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원, 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원, 및 제1 RF 전원의 전력 및 제2 RF 전원의 전력을 조절하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 이 장치는 진공 용기, 진공 용기의 내부에 배치되고 나란히 연장되는 복수의 접지 전극들, 진공 용기의 내부에 배치되고 접지 전극들 사이에 개재된 전원 전극들, 및 진공 용기의 내부에 배치되고 전원 전극과 접지 전극 사이에 개재된 전극 유전체들을 포함하고, 전원 전극들은 RF 전원에 연결된다. 축전 결합 플라즈마, 다중 전원 전극, 다중 접지 전극, 할로우 케소드 방전
Abstract:
본 발명의 축전 결합 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 이 장치는 RF 전원, RF 전원에 연결된 제1 전극, 및 기판을 장착하고 제1 전극과 대향하여 이격되어 배치된 제2 전극을 포함한다. 제1 전극은 홀들을 포함하는 할로우 케소드 영역을 포함하고, 할로우 케소드 영역은 복수의 서브 할로우 케소드 영역들로 분리되고, 서브 할로우 케소드 영역들은 서로 다른 홀의 형태를 가진다. 서브 할로우 케소드 영역의 홀들은 트렌치를 통하여 서로 연결된다.
Abstract:
본 발명은 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 이 장치는 진공 용기, 진공 용기의 내부에 일부 또는 전부가 노출되고 나란히 연장되는 복수의 전원 전극들, 및 기판을 지지하고, 전원 전극들이 배치되는 평면에서 수직으로 이격되어 배치된 기판 홀더를 포함한다. 전원 전극들은 라인 형상이고, 전원 전극들은 N 등분되고, N 등분된 부분의 중심부에 배치된 노드들에 RF 전력이 공급된다. 축전 결합 플라즈마, 멀티 파워 공급, 정상파효과
Abstract:
PURPOSE: A capacitively coupled plasma generating device and a capacitively coupled plasma generating method are provided to include holes which show a discharging feature different according to the duty ratio of an RF pulse in a first electrode, thereby providing uniform plasma by adjusting the duty ratio of an RF pulse. CONSTITUTION: An RF power supply device(142) provides a periodic RF pulse by a driving frequency. A first electrode(122) is connected to the RF power supply device. The first electrode comprises a hollow cathode area including holes. A second electrode(132) faces and is separate from the first electrode. A board(134) is mounted on the second electrode. An RF pulse controller(144) controls the cycle of the RF pulse of the RF power supply device.
Abstract:
PURPOSE: A device for generating poly silicon metalizing plasma is provided to form plasma through a power electrode and a ground electrode by arranging a ground electrode which is nearly divided to a divided power electrode. CONSTITUTION: A plurality of ground electrodes(120) are arranged inside a vacuum container. The ground electrodes are expanded side by side. A power electrode(110) is arranged inside the vacuum container. The power electrodes are allowed between the ground electrodes. An electrode dielectric(130) is arranged inside the vacuum container. The electrode dielectrics are allowed between the power electrode and the ground electrode. The power electrodes are connected to an RF power. A supplementary insulator(140) is arranged on the power electrode and the electrode dielectric. An upper side of the supplementary insulator has the same height as an upper side of the ground electrode.
Abstract:
PURPOSE: A supplies the RF power in a plurality of spots to the power electrode the plasma generating device forms the power electrode partitioning of line shape. CONSTITUTION: The whole is in other words side by side expanded in the inside of the vacuum container(110). It is perpendicularly separated in the plane including power electrodes and the substrate holder supporting substrate is arranged. Power electrodes have line shape. Power electrodes are equally divided N.
Abstract:
PURPOSE: A measuring pattern structure, an adjustment structure, a substrate treatment apparatus, and a substrate treatment method are provided to offer uniformity of plasma and process result of a substrate according to the position of the substrate by using the measurement pattern structure arranged on the top electrode of the capacitive coupled plasma. CONSTITUTION: A measurement pattern structure having different structure according to the position is offered(S100). A substrate is process using the plasma formed by applying electricity to the top electrode(S110). An optimal process result is selected by radiating the process result of the substrate according to the position(S120).
Abstract:
An ion beam generator and the method for generating ion beam are provided to increase the potential energy of the ion by arranging the bias electrode inside the source vacuum chamber. The plasma generation device part(100) comprises the load applying the energy of the power source and power source to the plasma. The load comprises at least one electrode or antenna. The plasma generation device part generates the ion, the electronics, and the neutral gas. The source vacuum container(200) stores the plasma. The bias electrode(300) is arranged inside the source vacuum chamber. The ion extraction part(400) extracts ions from the source vacuum chamber. The ion energy is increased by the bias electrode. The ion extraction part comprises the first grid electrode(410), and the second grid electrode(420) and the third grid electrode(430). Each grid electrode is electrically insulated.