기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    1.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 失效
    基板TREATMNET设备和基板TREATMNET方法

    公开(公告)号:KR1020100018357A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:KR1020080077082

    申请日:2008-08-06

    CPC classification number: H01J37/321 H01J37/32183 H01J37/32715

    Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for processing a substrate are provided to control the energy of a neutral beam by generating a capacitively coupled plasma by forming a DLC(Diamond-like Carbon) layer containing an electrode part with a perceptible flatness. CONSTITUTION: A first power source part(112) supplies RF power. A first matching circuit part(172) is connected in series with the first power source part. A chamber part(100) forms a vacuum. An electrode part(130) is electrically connected to the first matching circuit part and is arranged in the chamber part. A DLC layer(140) is formed on the surface of the electrode part. The neutral beam extract unit(150) passes through a neutralized beam from the DLC layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于处理衬底的装置和方法,以通过形成含有可感知平坦度的电极部分的DLC(类金刚石碳)层来产生电容耦合等离子体来控制中性束的能量。 构成:第一电源部分(112)提供RF功率。 第一匹配电路部分(172)与第一电源部分串联连接。 室部件(100)形成真空。 电极部分(130)电连接到第一匹配电路部分并且被布置在腔室部分中。 DLC层(140)形成在电极部分的表面上。 中性束提取单元(150)通过来自DLC层的中和束。

    이온빔 발생 장치 및 이온 빔 발생 방법
    2.
    发明公开
    이온빔 발생 장치 및 이온 빔 발생 방법 有权
    具有偏光电极的离子束生成装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020090015392A

    公开(公告)日:2009-02-12

    申请号:KR1020070079686

    申请日:2007-08-08

    Abstract: An ion beam generator and the method for generating ion beam are provided to increase the potential energy of the ion by arranging the bias electrode inside the source vacuum chamber. The plasma generation device part(100) comprises the load applying the energy of the power source and power source to the plasma. The load comprises at least one electrode or antenna. The plasma generation device part generates the ion, the electronics, and the neutral gas. The source vacuum container(200) stores the plasma. The bias electrode(300) is arranged inside the source vacuum chamber. The ion extraction part(400) extracts ions from the source vacuum chamber. The ion energy is increased by the bias electrode. The ion extraction part comprises the first grid electrode(410), and the second grid electrode(420) and the third grid electrode(430). Each grid electrode is electrically insulated.

    Abstract translation: 提供了离子束发生器和用于产生离子束的方法,以通过将偏置电极布置在源真空室内来增加离子的势能。 等离子体产生装置部分(100)包括将电源和电源的能量施加到等离子体的负载。 负载包括至少一个电极或天线。 等离子体产生装置部分产生离子,电子和中性气体。 源真空容器(200)存储等离子体。 偏置电极(300)设置在源真空室内。 离子提取部分(400)从源真空室提取离子。 离子能量由偏置电极增加。 离子提取部分包括第一栅格电极(410)和第二栅极电极(420)和第三栅极电极(430)。 每个栅电极都是电绝缘的。

    이온빔 발생 장치 및 이온 빔 발생 방법
    3.
    发明授权
    이온빔 발생 장치 및 이온 빔 발생 방법 有权
    具有偏光电极的离子束生成装置及其方法

    公开(公告)号:KR100903295B1

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:KR1020070079686

    申请日:2007-08-08

    Abstract: 본 발명은 이온, 전자, 중성 가스를 포함하는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생 장치부, 상기 플라즈마를 담고 있는 소오스 진공 용기, 상기 소오스 진공 용기 내부에 배치된 바이어스 전극, 및 상기 소오스 진공 용기에서 이온을 가속하여 추출하는 이온 추출부를 포함하되, 상기 바이어스 전극에 의하여 이온의 에너지를 상승시킨다.
    바이어스 전극, 플로팅 그리드, 이온 전류, 아크 방전

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    4.
    发明授权
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 失效
    基板TREATMNET设备和基板TREATMNET方法

    公开(公告)号:KR100969520B1

    公开(公告)日:2010-07-09

    申请号:KR1020080077082

    申请日:2008-08-06

    Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 이 장치는 RF 전력을 공급하는 제1 전원부, 제1 전원부와 직렬 연결되는 제1 정합회로부, 진공을 형성하는 챔버부, 제 1 정합회로부와 전기적으로 연결되고 챔버부 내부에 배치되는 전극부, 전극부의 표면에 형성된 다이아몬드라이크카본층(diamond like carbon layer:DLC layer), 및 다이아몬드라이크카본(DLC) 층에서 이온이 입사하여 중성화된 중성빔을 통과시키는 중성빔 추출부를 포함한다.
    중성빔, 축전결합플라즈마

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