Abstract:
본 발명은 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지에 관한 것으로, 상세하게는 유연기판 상에 금속배선을 포함하는 대면적 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 제조된 대면적 태양전지를 섬유형태로 절단하는 단계(단계 2)를 포함하는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지는 현재 이용되고 있는 태양전지 제조장치를 이용하여 태양전지를 제조한 후, 이를 절단함으로써 손쉽게 섬유형 태양전지를 제조할 수 있어 추가적인 장비설치비용 등의 비용이 들지않아 상대적으로 적은 비용으로 섬유형 태양전지를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 섬유형 태양전지를 직조함으로써 의류, 커튼, 텐트, 가방 등의 다양한 물품에 적용할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
이온 빔 소스의 가스 공급 유닛은 이온 빔 생성 유닛과 결합하며 이온 빔 생성 유닛의 가스 공급홀들과 연결되는 내부 공간을 형성하는 챔버와, 챔버의 외부에서 챔버를 관통하며 챔버의 내부 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급관 및 챔버의 내부 공간에 가스 공급홀들을 커버하도록 배치되며, 내부 공간의 가스를 가스 공급홀들로 균일하게 공급하기 위한 가스 분배판을 포함한다. 가스 공급 유닛이 이온 빔 생성 유닛으로 가스를 균일하게 공급하므로 이온 빔 소스가 이온 빔을 균일하게 생성할 수 있다.
Abstract:
이온빔의 방향을 조절할 수 있는 선형 이온빔 발생장치가 개시된다. 상기 선형 이온빔 발생장치는, 제1 음극; 상기 제1 음극을 둘러싸며, 상기 제1 음극과의 사이에 이온빔 인출부를 형성하는 제2 음극; 및 상기 이온빔 인출부 하부에서 상기 제1 및 제2 음극과 적어도 부분적으로 중첩하도록 이격하여 배치된 양극을 포함하며, 상기 제1 및 제2 음극의 대향하는 대향 면은 서로 비대칭 구조를 형성하여 상기 제1 음극을 중심으로 외측 또는 내측으로 경사지게 인출되는 이온빔의 인출 통로를 구성한다.
Abstract:
본발명은금속배선이매립된기판을포함하는유기태양전지및 이의제조방법에관한것으로, 상세하게는기판, 투명전극, P형전도막, 광활성층, N형전도막, 금속전극을포함하는유기태양전지에있어서, 상기기판은그 내부에매립된금속배선을포함하는기판인것을특징으로하는유기태양전지를제공한다. 본발명에따른금속배선이매립된기판을포함하는유기태양전지및 이의제조방법은기판내부에금속배선이매립됨에따라, 투명전극의면저항을감소시킬수 있어태양전지의광변환효율을향상시킬수 있으며, 태양전지의대면적화에따른광변환효율감소를방지할수 있다. 또한, 금속배선이기판내부에매립됨에따라태양전지의형태가변형되더라도금속배선이파손되거나단선되는것을방지할수 있어, 본발명에따른유기태양전지를플렉서블(flexible) 태양전지로제조할수 있다
Abstract:
An ion beam source comprises: a discharge space on an upper side; a body which has a gas supplying holes inside to provide a gas to the discharge space; a negative electrode which is located on the upper side of the body to expose the discharge space and is floating without applying power source; a positive electrode which is located separately from the negative electrode inside of the discharge space and ionizes the gas by interacting with a driving electric power source provided from the outside to form an electric field between the positive and the negative electrode. The ion beam source minimizes arcing caused by a deposition of a material on the electrodes.
Abstract:
본 발명에 의한 초발수 특성을 가진 금속 표면 구조는, 알루미늄을 포함하는 표면처리대상물의 표면에 일체로 형성된 마이크로 크기의 요철과, 상기 요철의 표면에 일체로 형성된 나노 크기의 돌기와, 상기 돌기의 외측에 코팅되어 초발수 특성을 갖도록 하는 코팅층을 포함하여 구성된다. 본 발명에 의한 초발수 특성을 가진 금속 표면 구조의 제조 방법은, 알루미늄을 포함하는 표면처리대상물의 표면에 알루미나 파우더를 샌드블라스팅하여 마이크로 크기의 요철을 형성하는 요철형성단계와, 상기 요철에 아르곤 이온빔을 조사하여 나노 크기의 돌기를 형성하는 돌기를 형성하는 돌기형성단계와, 상기 돌기에 화학기상증착(CVD) 공정을 통해 코팅층을 형성하는 코팅층형성단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A convergence surface treating device using linear ion beam generators is provided to uniformly treat the surface of a target object of the width of about 300-1500 mm. CONSTITUTION: A convergence surface treating device includes a first roll (120), a second roll (220), a process vessel, ion generators (100,200). The first roll is wound around a target object (140). The second roll is wound round the target object after surface treatment. The process vessel includes two process chambers (160,180) in which the target object wound in the first roll is treated. The ion generators treat the surface of the target object, which is transferred from the first roll to the second roll, with ion beam energy proper to a process purpose. The target object is successively supplied by the rolls.
Abstract:
본 발명은 그래핀의 전사방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판 상부에 촉매금속층을 형성시킨 후, 상기 촉매금속층 상부로 그래핀을 합성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 합성된 그래핀(graphene) 상부로 접착층을 코팅하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 코팅된 접착층 상부로 유연기판을 형성시키는 단계(단계 3); 상기 단계 2의 접착층을 경화시켜 유연기판과 그래핀을 접착시키는 단계(단계 4); 단계 4까지 수행되어 기판/촉매금속층/그래핀/접착층/유연기판이 순차적으로 적층된 적층체로부터 기판을 제거하는 단계(단계 5); 및 상기 단계 5에서 기판이 제거된 적층체에서 촉매금속층을 에칭(etching) 용액과 5 내지 10초 동안 접촉시켜 촉매금속층을 제거하는 단계(단계 6)를 포함하는 그래핀 전사방법을 제공한다. 본 발명에 따른 그래핀의 전사방법은 에칭용액을 이용하여 그래핀을 전사하되, 에칭용액과 그래핀의 접촉시간을 최소화하여 전사공정이 수행되는 시간을 단축하여 공정을 고효율화를 달성할 수 있으며, 기존의 전사공정에서 에칭용액과 그래핀이 장시간동안 접촉함에 따라 발생할 수 있는 그래핀 손상문제를 방지할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 대기압 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 폴리실리콘 박막을 증착하여 막대를 형성하는 것으로서, 특히 회전전극 주위에 회전하는 실리콘 코어 필라멘트를 설치하는 것을 특징으로 한다. 종래 지멘스 공법은 전력소모가 많은 단점이 있으나, 이 방법으로는 회전전극과 실리콘 코어 필라멘트 사이에서만 방전이 일어나므로 전력소모가 적은 장점이 있고, 높은 증착 속도로 대량생산이 가능하다는 장점을 가지고 있다.
Abstract:
본 발명은 대기압 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 미세결정질 실리콘 박막을 증착한 것으로서, 특히 기판의 움직임 속도에 따라 실리콘 결정화도 조절에 관한 것이다. 종래에는 실란(SiH 4 )과 수소(H 2 )의 비율을 조절하여 형성되는 실리콘 박막의 결정화도를 조절하였으나, 본 발명에 의하면 기판의 움직임 속도를 조절함으로써 종래에 비해 쉽고 신뢰서 있게 실리콘 박막의 결정화도를 약 23%에서 52%까지 조절할 수 있었다.