公开(公告)号：KR101082788B1

公开(公告)日：2011-11-14

申请号：KR1020090098521

申请日：2009-10-16

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이동헌 ,  유근호

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은비극성/반극성질화물반도체층성장이가능한사파이어결정면위에질화물반도체결정을형성하여극성질화물반도체의활성층에서발생하는압전현상(piezoelectric effect)을제거하고, 사파이어기판위에다공성(porous) 질화물반도체층(예를들어, GaN 층)을형성한후 그위로질화물반도체층(예를들어, InAlGaN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층)을재성장시켜 GaN 층의결함밀도를줄이고내부양자효율과광추출효율을향상시킨고품질비극성/반극성반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일면에따라비극성또는반극성질화물반도체층의성장을위한결정면을갖는사파이어, SiC, 또는Si기판상에템플레이트층과반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법에서, 상기기판위에질화물반도체층을형성하고상기질화물반도체층을다공성으로표면개질한 후, 상기표면개질된질화물반도체층위로질화물반도체층을재성장한상기템플레이트층을형성하고, 상기템플레이트층위에상기반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법을개시한다.

公开(公告)号：KR1020110041611A

公开(公告)日：2011-04-22

申请号：KR1020090098521

申请日：2009-10-16

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  이동헌 ,  유근호

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar/semi-polar semiconductor device on a porous nitride semiconductor and a manufacturing method thereof are provided to improve crystal quality by reducing the defects of a GaN layer. CONSTITUTION: A sapphire substrate is prepared(S10). A buffer layer and a GaN layer are formed on the sapphire substrate(S20). The surface of the GaN layer is modified to have porosity(S30). The GaN layer is re-grown(S40). The re-grown GaN layer is formed to have the preset thickness to cover small porous holes(S50).

Abstract translation: 目的：提供多孔氮化物半导体上的高品质非极性/半极性半导体器件及其制造方法，以通过减少GaN层的缺陷来提高晶体质量。 构成：制备蓝宝石衬底（S10）。 在蓝宝石基板上形成缓冲层和GaN层（S20）。 改变GaN层的表面以具有孔隙度（S30）。 再次生长GaN层（S40）。 再生长的GaN层形成为具有预定厚度以覆盖小的多孔孔（S50）。