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公开(公告)号：WO2011046292A2
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/KR2010/005764
申请日：2010-08-27
Applicant: 서울옵토디바이스주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단 , 남옥현 , 이동헌 , 유근호
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/2003 , H01L31/0304 , H01L31/1856 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 질화물 반도체층의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자 제조 방법은, 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어, SiC, 또는 Si기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서, 상기 기판 위에 질화물 반도체층을 형성하고 상기 질화물 반도체층을 다공성으로 표면 개질한 후, 상기 표면 개질된 질화물 반도체층 위로 질화물 반도체층을 재성장한 상기 템플레이트층을 형성하고, 상기 템플레이트층 위에 상기 반도체 소자 구조를 형성한다.
Abstract translation:
高品质非极性/半极性半导体器件及其制造从而降低了氮化物半导体层的缺陷密度相同的改善内部量子效率和光提取效率的方法被公开。 该半导体装置的制造方法是非极性或半极性氮化物如蓝宝石，SiC，或产生其形成具有用于半导体层，在衬底上的氮化物生长的晶面的Si基板上的模板层和半导体器件结构的半导体器件的方法 形成半导体层，并用多孔质体形成的氮化物半导体层的表面改性，然后，在所述模板层的上方的氮化物半导体层的再生长表面改性的氮化物半导体层，从而形成在所述半导体器件结构，所述模板层。
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公开(公告)号：KR101379341B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120058992
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층과 마스크 패턴을 형성 후 질화물 반도체층을 다시 성장하기 전 또는 후에 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130124766A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048148
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/20
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a substrate for a high-quality semiconductor device capable of manufacturing a high-quality semiconductor device with improved inner quantum efficiency and light extraction efficiency by reforming the surface to be have pores and using a template layer to regrow a nitride semiconductor layer having low defect density on the surface in a dry-etching method at HVPE, MOCVD, or CVD device which forms the nitride semiconductor layer on a substrate such as sapphire, injects HCL gas, and makes the same react at high temperatures. [Reference numerals] (S10) Forming template layer;(S20) Porous etching;(S30) Regrowth
Abstract translation: 本发明涉及一种高质量半导体器件用基板的制造方法，其能够通过将具有孔隙的表面重整并使用模板层来制造具有提高的内量子效率和光提取效率的高质量半导体器件 在HVPE，MOCVD或CVD装置上，在形成氮化物半导体层的诸如蓝宝石的衬底上，以干蚀刻方法在表面上重新生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层，注入HCL气体，并使其在高温下反应 温度。 [数据]（S10）形成模板层;（S20）多孔蚀刻;（S30）再生长
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公开(公告)号：KR1020110041611A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020090098521
申请日：2009-10-16
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/2003 , H01L31/0304 , H01L31/1856 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar/semi-polar semiconductor device on a porous nitride semiconductor and a manufacturing method thereof are provided to improve crystal quality by reducing the defects of a GaN layer. CONSTITUTION: A sapphire substrate is prepared(S10). A buffer layer and a GaN layer are formed on the sapphire substrate(S20). The surface of the GaN layer is modified to have porosity(S30). The GaN layer is re-grown(S40). The re-grown GaN layer is formed to have the preset thickness to cover small porous holes(S50).
Abstract translation: 目的：提供多孔氮化物半导体上的高品质非极性/半极性半导体器件及其制造方法，以通过减少GaN层的缺陷来提高晶体质量。 构成：制备蓝宝石衬底（S10）。 在蓝宝石基板上形成缓冲层和GaN层（S20）。 改变GaN层的表面以具有孔隙度（S30）。 再次生长GaN层（S40）。 再生长的GaN层形成为具有预定厚度以覆盖小的多孔孔（S50）。
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公开(公告)号：KR101391960B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120048148
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층을 형성 후 HCL 가스를 주입하여 고온에서 반응시키는 HVPE, MOCVD, CVD 장비 등에서 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130135440A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020120058992
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02458 , H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: The present invention relates to a high quality semiconductor substrate manufacturing method including a step of forming a nitride semiconductor layer and a mask patter on a substrate such as a sapphire substrate, a step of reforming the surface to become porous using a dry etching method before or after growing the nitride semiconductor layer once again, a step of re-growing the nitride semiconductor layer with a low defect density as a template layer, and a step of producing a high quality semiconductor device with an improved inner quantum yield and a light extraction efficiency. [Reference numerals] (S10) Form a nitride semiconductor layer;(S20) Form an insulating film pattern;(S30) Dry porous etch;(S40) Re-grow the nitride semiconductor layer
Abstract translation: 本发明涉及一种高质量的半导体衬底制造方法，其包括在诸如蓝宝石衬底的衬底上形成氮化物半导体层和掩模图案的步骤，使用干蚀刻方法将表面重整成多孔的步骤，或 在再次生长氮化物半导体层之后，以低缺陷密度重新生长氮化物半导体层作为模板层的步骤，以及制造具有改善的内量子产率和光提取效率的高质量半导体器件的步骤 。 （S10）形成氮化物半导体层;（S20）形成绝缘膜图案;（S30）干式多孔蚀刻;（S40）再次生长氮化物半导体层
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公开(公告)号：KR101082788B1
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020090098521
申请日：2009-10-16
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/2003 , H01L31/0304 , H01L31/1856 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은비극성/반극성질화물반도체층성장이가능한사파이어결정면위에질화물반도체결정을형성하여극성질화물반도체의활성층에서발생하는압전현상(piezoelectric effect)을제거하고, 사파이어기판위에다공성(porous) 질화물반도체층(예를들어, GaN 층)을형성한후 그위로질화물반도체층(예를들어, InAlGaN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층)을재성장시켜 GaN 층의결함밀도를줄이고내부양자효율과광추출효율을향상시킨고품질비극성/반극성반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일면에따라비극성또는반극성질화물반도체층의성장을위한결정면을갖는사파이어, SiC, 또는Si기판상에템플레이트층과반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법에서, 상기기판위에질화물반도체층을형성하고상기질화물반도체층을다공성으로표면개질한 후, 상기표면개질된질화물반도체층위로질화물반도체층을재성장한상기템플레이트층을형성하고, 상기템플레이트층위에상기반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법을개시한다.
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