Abstract:
본 발명은 하이드록시아파타이트[Ca 10 (PO 4 ) 6 (OH) 2 ]의 결정구조를 유지하면서 Si이온에 의해 일부의 P이온이 치환되고 Mg이온에 의해 일부의 Ca이온이 치환된 새로운 하이드록시아파타이트 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 하이드록시아파타이트는 기존의 하이드록시아파타이트 보다 생체 친화성이 높아 인공뼈 등의 각종 생체조직 및 의료용 재료 등에 이용가능하며 의료용 재료에 생체 친화성을 높이기 위한 코팅용으로 적합하다.
Abstract:
PURPOSE: A quartz glass coated with Y2O3, plasma-resistant member for a semiconductor manufacturing apparatus, is provided. The coating layers formed with Y2O3 prepared by sol-gel process have high porosity to reduce residual stress formed on the quartz preform. CONSTITUTION: The plasma-resistant member, quartz glass coated with Y2O3, has a quartz preform, a dense first Y2O3 layer formed on the quartz preform, a porous second Y2O3 layer between quartz preform and the first layer. The porous Y2O3 coating layer(more than 95% of porosity) is formed by the following steps of: (a) spin coating a quartz preform with Yttrium(Y) solution prepared by sol-gel process; (b) thermal-treating quartz preform coated with Y-solution at a lower temperature than the crystallization temperature of Y2O3, 600 deg.C; (c) quenching the preform to room temperature, preferably at a rate more than 300deg.C/min; (d) thermal-treating the quenched preform over the crystallization temperature(1000deg.C) and cooling slowly. The dense Y2O3 coating layer(37% of porosity) is formed by coating the porous Y2O3 layer with Y-solution, thermal-treating quartz preform coated with Y-solution at lower than 600deg.C, cooling slowly to room temperature, thermal-treating at 1000deg.C and cooling slowly. The thickness of layers is controlled by repeating the steps of a-c.
Abstract translation:目的:提供涂覆有Y 2 O 3的石英玻璃,用于半导体制造装置的耐等离子体构件。 由溶胶 - 凝胶法制备的Y2O3形成的涂层具有高孔隙率,以减少在石英预制件上形成的残余应力。 构成:涂有Y2O3的耐等离子体构件石英玻璃具有石英预成型体,在石英预成型体上形成致密的第一Y 2 O 3层,在石英预制件与第一层之间的多孔第二Y 2 O 3层。 通过以下步骤形成多孔Y2O3涂层(孔隙率大于95%):(a)通过溶胶 - 凝胶法制备的钇(Y)溶液旋涂石英预制件; (b)在比Y2O3,600℃的结晶温度低的温度下热处理涂有Y溶液的石英预制件; (c)将预成型件淬火至室温,优选以大于300℃/分钟的速度淬火; (d)在结晶温度(1000℃)下热处理淬火预制件并缓慢冷却。 通过用Y溶液涂覆多孔Y 2 O 3层,用低于600℃的Y溶液涂覆的热处理石英预制件,缓慢冷却至室温,热处理形成致密的Y 2 O 3涂层(孔隙率的37%) 在1000℃,缓慢冷却。 通过重复a-c的步骤来控制层的厚度。
Abstract:
PURPOSE: A hydroxyapatite whisker£Ca10(PO4)6(OH)2| containing Si and Mg by a hydrothermal method is provided for use as reinforcing materials of biotissue and medical substances due to improved biological affinity compared with conventional hydroxyapatite whisker. CONSTITUTION: The hydroxyapatite whisker containing Si and Mg is characterized by substituting P for Si and Ca for Mg in the hydroxyapatite£Ca10(PO4)6(OH)2| crystal structure, wherein the amounts of Si and Mg are 0.1-5wt.% and 0.1-1wt.%, respectively. The preparation method of hydroxyapatite whisker comprises the steps of: preparing hydroxyapatite powder containing Si and Mg; adding organics such as citric acid, lactic acid, ethylenediamine tetraacetic acid(EDTA), etc.; hydrothermal reacting at 200deg.C for 24hrs. in a high pressure vessel; washing and drying at 100deg.C. The resultant hydroxyapatite particles have a whisker shape and an aspect ratio over 10.
Abstract:
PURPOSE: A hydroxyapatite whisker£Ca10(PO4)6(OH)2| containing Si and Mg prepared by a melting method is provided for use as reinforcement of biotissue and medical materials due to improved biological affinity compared with conventional hydroxyapatite whisker. CONSTITUTION: The hydroxyapatite whisker containing Si and Mg is characterized by substituting P for Si and Ca for Mg in the hydroxyapatite£Ca10(PO4)6(OH)2| crystal structure, wherein the amounts of Si and Mg are 0.1-5wt.% and 0.1-1wt.%, respectively. The preparation method of hydroxyapatite whisker comprises the steps of: preparing hydroxyapatite powder containing Si and Mg; adding solid flux such as K2SO4, Na2SO4, KCl, MgCl2, etc.; melting a mixture at 700-1200deg.C for 3hrs. in a high pressure vessel; washing and drying at 100deg.C. The resultant hydroxyapatite particles have a whisker shape and an aspect ratio over 5.
Abstract translation:目的:羟基磷灰石晶须£Ca(PO4)6(OH)2 | 与传统的羟基磷灰石晶须相比,由于提高的生物亲和力,提供了通过熔融法制备的含Si和Mg的生物组织和医疗材料的增强。 构成:含有Si和Mg的羟基磷灰石晶须的特征在于用羟基磷灰石Ca(PO4)6(OH)2 | 晶体结构,其中Si和Mg的量分别为0.1-5重量%和0.1-1重量%。 羟基磷灰石晶须的制备方法包括以下步骤:制备含有Si和Mg的羟基磷灰石粉末; 加入固体助熔剂如K 2 SO 4,Na 2 SO 4,KCl,MgCl 2等; 将混合物在700-1200℃下熔融3小时。 在高压容器中; 在100℃下洗涤和干燥。 所得羟基磷灰石颗粒具有晶须形状和纵横比超过5。
Abstract:
A method for forming a nanoporous oxide layer is provided to form self-assembled nanopores having a diameter of 20 nm or smaller on the surface of a base material. A method for forming a nanoporous oxide layer on the surface of a base material includes the steps of: applying electric voltage to the base material to perform a first anodizing process; removing the oxide layer formed during the first anodizing step to form a pretexture on the surface of the base material; and applying electric voltage lower than that of the first anodizing step to the pretexture-formed base material to anodize the base material.
Abstract:
A method for manufacturing a high density graphite is provided to manufacture a graphite having high density, high hardness, high self-lubricity and compact pores by preparing a filler and a binder with high volatilities using pitch and passing the filler and the binder through carbonizing and graphitizing processes, and a high density graphite manufactured by the method is provided to be used as a graphite for machinery parts or mechanical seals. A manufacturing method of a high density graphite comprises the steps of: subjecting pitch to a heat treatment process at 490 to 500 deg.C for 0.5 to 4 hours to prepare a filler of which volatility is adjusted to a range of 3 to 7 wt.%; subjecting pitch to a heat treatment process at 200 to 240 deg.C for 1 to 6 hours to prepare a binder of which volatility is adjusted to a range of 58 to 60 wt.%; controlling particles of the filler and the binder to a particle size corresponding to a sieve size of 325 meshes or less; and mixing the filler and the binder with each other. The filler is coke. The heat treatment processes are performed while stirring the pitch to a rotation speed of 80 to 120 revolutions per minute under an inert atmosphere. The manufacturing method further comprises the step of molding a mixture of the filler and the binder, primarily heat-treating the molding at 1,100 to 1,250 deg.C for 2 to 4 hours to carbonize the molding, and secondly heat-treating the carbonized molding at 2,200 to 3,000 deg.C for 1 to 3 hours to graphitize the carbonized molding.
Abstract:
본 발명은 입자간 및 기판과의 사이에 결합력을 제고하면서 보다 큰 비표면적을 제공할 수 있는 나노 입자 집적화막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 액상 전구체를 분무하는 단계, 분무된 액적을 가열실로 도입하는 단계, 가열실에서 상기 액적을 가열하여 기상 나노입자를 생성하는 단계, 상기 기상 나노 입자를 증착실로 도입하는 단계 및 상기 도입된 기상 나노 입자를 기판에 증착하여 나노입자막을 형성하는 단계를 포함하는 나노 입자 집적화 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 나노 입자의 물성과 입자간 및 기판과의 사이에 결합력을 유지하면서 높은 비표면적을 나타내어 기존의 방법에서는 제공할 수 없었던 새로운 형태의 새로운 물성을 갖는 고집적 나노입자막을 제공할 수 있게 된다. 나노입자, 고집적화, NGF, 가지, 비표면적
Abstract:
양극산화법을 이용하여 모재표면에 자기 정렬된 산화물 나노세공(Nanopore)을 제공하는 방법 및 이에 의해 제조되는 피막 부재에 관한 것이다. 본 발명은, 모재의 표면에 다공성 산화물 피막을 형성하는 방법에 있어서, 모재에 전압을 인가하여 1차 양극 산화를 하는 단계; 상기 1차 양극 산화 단계에서 형성된 피막을 제거하여 모재 표면에 프리텍스쳐를 형성하는 단계; 및 프리텍스쳐가 형성된 모재에 1차 양극산화 때보다 낮은 전압을 인가하여 상기 모재를 2차 양극 산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 피막 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 불규칙적인 나노 세공이 집단별로 일정한 패턴으로 배열되어 자기 정렬된 나노 세공 피막 부재를 제공할 수 있게 되며, 종래에는 얻을 수 없었던 20 nm 이하의 나노 세공의 자기 정렬도 본 발명의 방법에 의해 가능하다. 본 발명은 고밀도 디바이스, CNT 디바이스, 포토닉 디바이스등 차세대 나노디바이스 및 나노응용 기술에 큰 역할을 할 것이다. 양극산화, 자기조립, 나노세공
Abstract:
본 발명은 피치를 일정한 온도와 시간 조건에서 열처리하여 휘발분량이 조절된 충진제와 바인더를 포함하는 고밀도 흑연 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서 피치를 이용하여 제조된 충진제는 통상의 충진제에 비해 휘발분량이 높았으며, 상기 충진제를 사용하여 탄화, 흑연화 과정을 거쳐 제조된 흑연은 밀도가 높고, 경도도 높았다. 또한, 본 발명에서 제조된 흑연은 자기 윤활성을 띠었고 기공이 거의 보이지 않을 만큼 치밀화 되었다. 따라서, 본 발명의 방법에 따라 제조된 흑연은 고밀도 흑연으로서 기계용 부품이나 미케니칼 씰용으로 사용될 수 있다. 흑연, 충진제, 바인더, 휘발분