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公开(公告)号：WO2014010926A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2013/006117
申请日：2013-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 기판의 Na의 농도가 낮아서 CIGS 광흡수층의 공핍층이 얇은 경우에 태양전지 효율을 향상시킬 수 있는 CIGS 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 3단계의 동시진공증발법에 의하여 태양전지용 CIGS 광흡수층을 형성하는 방법으로서, In과 Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 증착하는 제1단계; Cu와 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제2단계; In과 Ga 및 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제3단계;를 포함하여 구성되며, 상기 제1단계에서 Ga을 증발시켜 공급하는 양이, 상기 제3단계에서 Ga를 증발시켜 공급하는 양보다 많은 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다른 형태에 의한 CIGS 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 전극층; 및 상기 전극층 위에 형성된 CIGS 광흡수층을 포함하여 구성되며, 상기 전극층과 상기 CIGS 광흡수층의 계면에서의 Ga/(In+Ga)의 비율이 0.45 이상인 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 3단계 동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을 형성하는 과정에서 제1단계의 Ga 증발량을 늘림으로써, Na의 농도가 낮은 기판 위에 형성되어 공핍층의 깊이가 깊은 CIGS 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的Na浓度低的情况下提高太阳能电池的效率，因此CIGS光吸收层的耗尽层薄 。 本发明的方法通过三级真空共蒸镀形成太阳能电池的CIGS光吸收层，其包括：第一步同时真空蒸发In，Ga和Se; 同时真空蒸发Cu和Se的第二步; 以及真空蒸发In，Ga和Se的第三步骤。 在第一步中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步中蒸发并供应的Ga的量。 根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括：基板; 形成在基板上的电极层; 以及形成在电极层上的CIGS光吸收层。 CIGS光吸收层的电极层和界面处的Ga /（In + Ga）的比例为0.45以上。 本发明的方法的结构是在通过三级真空共蒸发形成CIGS光吸收层的过程中，第一步中的Ga蒸发量增加，因此能够形成CIGS光吸收层 在具有低Na浓度的基板上，从而提高具有深度的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：WO2014010925A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2013/006116
申请日：2013-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/03928 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 CIGS를 포함하는 CIS계 태양전지의 후면전극에 관한 것으로, 기판과 CIGS를 포함하는 CIS계 광흡수층 사이에 형성된 CIS계 태양전지의 후면전극으로서, 상기 기판 위에 형성되고 Na이 10wt% 이상 포함된 금속재질의 제1전극층; 및 상기 제1금속층 위에 형성되고 Na이 포함되지 않은 금속재질의 제2전극층으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 본 발명의 제1전극층과 제2전극층의 두께 비는 10:3 ~ 10:1 인 것이 바람직하다. 본 발명은, 10wt% 이상의 Na를 첨가한 제1전극층과 얇은 제2전극층을 구비함으로써, 광흡수층에 확산되는 Na의 양을 늘려 CIS계 태양전지의 효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 이러한 태양전지 효율의 향상은 단순히 제1전극층의 Na의 함량을 늘리고, 제2전극층의 두께를 얇게 하여 제조된 후면전극을 이용한 것에서 예상하기 어려운 정도의 효율 향상이며, 이로부터 Na가 포함되지 않은 다양한 기판에 대하여 효율이 뛰어난 CIS계 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包括CIGS的CIS系太阳能电池的背面接触，其中CIS基太阳能电池的背接触介于基板和包含CIGS的基于CIS的光吸收层之间，包括：第一 电极层，形成在基板上，由含有10重量％以上的Na以上的金属材料构成; 以及形成在第一金属层上并由不含有Na的金属材料制成的第二电极层。 这里，优选第一电极层和第二电极之间的厚度比为10：3〜10：1。 本发明的背面接触包含含有10重量％以上Na以上的第一电极层和薄的第二电极层，由此增加在光吸收层中扩散的Na的量，从而显着提高 基于CIS的太阳能电池。 上述太阳能电池的效率的提高是难以估计的，因为其中简单地增加了第一电极中的Na含量并且简单地使第二电极层变薄的后接触的改善。 上述背面接触能够制造相对于不含有Na的各种基板具有优异的效率的CIS系太阳能电池。
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13.发明申请텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开制造具有包含纹理层的双层纹理结构的聚碳酸酯太阳能电池的方法和制造的氯化铝太阳能电池
公开(公告)号：WO2013141651A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/KR2013/002404
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有包括纹理层的双重结构结构的太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：制备衬底; 在基板上形成纹理层; 在纹理层上形成背面电极; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成正面结构，由于纹理层，在背面电极上形成有不平坦的表面。 根据本发明的具有包括纹理层的双重纹理结构的太阳能电池包括：基底; 所述纹理层形成在所述基板的顶部上; 形成在纹理层顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层的顶部的透明电极，其中，由于基板结构，在背面电极上形成凹凸表面，并且在透明电极的表面上形成前表面纹理结构。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构，提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。
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14.发明申请기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开制造具有基质上形成纹理的双层纹理结构的聚碳酸酯太阳能电池的方法和制造的氯化铝太阳能电池
公开(公告)号：WO2013141646A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/KR2013/002398
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 표면에 기판텍스처를 형성하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기판텍스처에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 전면텍스처와 기판텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비함으로써 광포획 성능을 크게 증가시켜, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池具有在基板上形成纹理的双重结构结构，包括以下步骤：准备基板; 在衬底的表面上形成衬底纹理; 在所述基板上形成背面电极; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成前表面纹理，其中由于衬底纹理而在后表面电极上形成不平坦表面。 根据本发明的具有在基板上形成纹理的双组织结构的硫族化物太阳能电池包括：基板; 形成在基板顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层的顶部的透明电极，其中在与光吸收层接触的后表面电极的表面上形成后纹理结构，并且在表面上形成前表面纹理结构 的透明电极。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构，提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。
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公开(公告)号：WO2013133491A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/KR2012/006463
申请日：2012-08-14
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 습식식각의 방법으로 산화아연 박막에 나노단위의 요철구조를 형성하는 방법에 관한 것으로， 기판을 준비하는 단계; 나노미터 범위의 높이와 폭을 가지는 나노구조를 형성하는 단계; 상기 나노구조가 형성된 기판 위에 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 박막을 습식식각하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 습식식각하는 단계에서 상기 나노구조의 위에 위치하여 물리적 치밀성이 상대적으로 낮은 산화아연이 우선적으로 식각되어， 상기 나노구조의 주변으로 식각에 의한 요철구조가 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 요철구조의 위에 균일하게 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조의 사이에 전해질이나 유기물이 균일하게 침투할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 요철구조의 종횡비를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조가 전체적으로 연결되어 있기 때문에, 과도한 종횡비의 차이에 의해서 저항이 증가하는 문제가 발생하지 않는다.
Abstract translation: 本发明涉及通过湿式蚀刻工艺在氧化锌薄膜上形成纳米级不平坦结构的方法。 形成氧化锌不均匀结构的方法包括：制备衬底; 形成纳米范围内的高度和宽度的纳米结构; 在具有纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜; 对氧化锌薄膜进行湿式蚀刻处理。 在湿蚀刻工艺中，首先通过蚀刻纳米结构的周围来蚀刻设置在纳米结构上并且具有相对低的物理密度的氧化锌以形成不均匀的结构。 因此，可以在不平坦结构上均匀地形成薄膜，并且电解质或有机材料可以均匀地穿透在不平坦结构之间。 此外，由于本发明可以调整每个不平坦结构的高宽比，并且不均匀结构彼此连续地连接，所以可能不会发生由于高度与宽度比过大引起的电阻的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016006750A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/KR2014/007018
申请日：2014-07-31
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본 발명은 다양한 스펙트럼을 갖는 빛을 출사 가능한 광 바이어스 장치 및 이를 이용한 태양전지 분광응답 측정 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 광 바이어스 장치는, 빛을 발광하는 바이어스 광원을 구비한 광원부; 입사된 빛이 경로를 따라 이동되는 복수의 광유로가 구비된 광가이드부; 및 상기 광가이드부 입구에 각각 위치되거나, 또는 상기 광가이드부에서 이동되는 빛의 경로 상에 위치되거나, 또는 상기 광가이드부 출구에 각각 위치되는 적어도 하나의 광필터가 구비된 복수의 광필터부를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够发出具有各种光谱的光的光学偏置装置，以及使用其的太阳能电池光谱响应性测量装置。 根据本发明的光学偏压装置包括：光源部，其具有发射光的偏置光源; 导光部，具有入射光沿其移动的多个光路; 以及多个光学滤光器部分，其具有分别位于导光部的入口中的一个或多个光学滤光器，位于在导光部中移动的光的路径中，或分别位于导光部的出口中。
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公开(公告)号：WO2014142400A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/KR2013/007086
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0465 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1884 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 톱니구조로 서로 맞물리는 형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 薄膜太阳能电池和太阳能电池技术领域本发明涉及一种薄膜太阳能电池和太阳能电池，其通过在CIGS低层上形成缓冲层，透明电极和栅电极而允许在光吸收层上直接引入光吸收层 表面，而不是如在传统的制造这样的单元的情况下在光吸收层的上部形成缓冲层和透明电极，在缓冲层的上部形成缓冲层，透明电极和栅格电极 层; 并且能够通过对第一电极和缓冲层进行图案化来缩小与作为光能吸收的结果而产生的电子和空穴行进的电极或缓冲层的距离，并且与每个 其他。
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18.发明申请
公开(公告)号：WO2014104523A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/KR2013/007098
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에 사용되는 광흡수층으로 사용되는 CI(G)S박막 제조 공정에서 Chelating Agent가 첨가하여, 광흡수층의 원료로 사용되는 CuI, InI 3 및 Na 2 Se의 용해시 Cu 또는 In 과 complex를 형성하여 Se 이온과 결합을 구조적으로 방해함으로써, 크기가 작은 입자를 만들 수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의 크기를 줄이고, 조성의 균일도가 향상된 CI(G)S박막을 제조할 수 있다. 또한, 크고 각 공정별로 셀렌화 공정 조건의 변화시켜야 하고, 또한, 공정 조건의 변화가 적합하지 않을 경우, 제조된 흡수층이나 CI(G)S박막의 조성이 균일도가 떨어지는 기존의 흡수층이나 CI(G)S박막 제조 방법의 문제점을 해소할 수 있다.
Abstract translation: 螯合剂可以以CI（G）S薄膜制造方法加入，用作太阳能电池的光吸收层，以便当将CuI，InI3和Na2Se用作原料时与Cu或In形成络合物 光吸收层的材料，从而通过结构上阻碍与Se离子的键合而产生小尺寸的颗粒。 因此，所制造的CI（G）S薄膜可以具有尺寸减小的孔隙率和组合物的均匀性。 此外，本发明可以解决现有的制造吸收层或CI（G）S薄膜的现有方法的问题，例如孔尺寸大，不得不改变每个步骤的硒化条件， 当硒化条件的变化不合适时，所制造的吸收层或CI（G）S薄膜的组成的均匀性。
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公开(公告)号：WO2014025176A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/KR2013/007044
申请日：2013-08-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지에 관한 것으로，유연한 재질의 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극， 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층; 상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형 성된 전면전극을 포함하여 구성되며， 상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 한다. 본 발명은 종래의 Na 첨가 Mo 전극층에 비하여 약 1/10정도 낮은 비저항올 나타내는 Na 첨가 Mo 전극층을 적용하여, 단일층으로 후면전극을 구성한 고효율의 유연기판 CIGS 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한， 후면전극층을 형성하는 공정이 단일층의 Na 첨가 Mo 전극층을 형성하는 공정만으로 이루어져, 유연기판 CIGS 태양전지의 제조공정 및 제조비용을 줄일수 있는 효과가 있다. 나아가， Na 첨가 금속층이 공기 중에 노출된 동안에 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 공정을 더 포함함으로써， 광흡수층이 박리되거나 태양전지의 변환효율이 감소하는 문제를 해소할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改进的Na供应方法的柔性衬底CIGS太阳能电池，包括：由柔性材料制成的衬底; 形成在基板上的背面电极和形成在背面电极上的CIGS光吸收层; 形成在CIGS光吸收层上的缓冲层; 以及形成在缓冲层上的前电极，其中背电极是形成为单层的添加Na的金属电极层。 根据本发明，施加电阻率为现有技术的添加Na的Mo电极层的约十分之一的添加Na的Mo电极层，使得高效柔性衬底CIGS太阳能 可以提供其背面电极形成为单层的电池。 此外，背面电极层形成工艺仅包括用于形成单层添加Na的Mo电极层的步骤，使得制造工艺可以简化，并且制造成本可以降低柔性衬底CIGS太阳能电池的制造 。 此外，通过还包括在添加Na的金属层暴露于空气的同时除去形成在表面上的Na化合物的方法，诸如光吸收层的剥离和太阳能电池的转换效率降低的问题 可以解决。
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20.发明申请간소화된 동시진공증발법을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 CIGS 박막 审中-公开使用简化的CO蒸发制造太阳能电池的CIGS薄膜的方法和使用该方法制造的太阳能电池的CIGS薄膜
公开(公告)号：WO2013119024A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/KR2013/000922
申请日：2013-02-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 간소화된 동시진공증발법을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 CIGS 박막이 개시된다. 본 발명의 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법은， 500 ~ 600°C의 기판온도에서 기판상에 Cu, Ga 및 Se을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계 (단계 a); 상기 단계 a와 동일한 기판온도를 유지하며， Cu, Ga, Se 및 In을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계 (단계 b); 및 상기 기판의 온도를 하강시키는 동안， Ga과 Se을 동시진공증발에 의해 증착한 후， Se만을 진공증발에 의해 증착하는 공정을 순차적으로 수행하는 단계 (단계 c);를 포함한다. 이에 의하여， 종래 3단계 동시진공증발법에 비해 공정 단계를 간소화하고 막증착 시간을 단축하면서도 박막 내 결정성장과 Ga 조성분포에 의한 밴드갭 그레이딩 효과를 충분히 구현하여 공정상 효율을 기할 수 있다.
Abstract translation: 公开了使用简化的共蒸发制造太阳能电池用CIGS薄膜的方法和使用该方法制造的太阳能电池用CIGS薄膜。 根据本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括：（a）通过共蒸发将Cu，Ga和Se沉积在500-600℃的基板上; （步骤b）通过共蒸发沉积Cu，Ga，Se和In，同时保持与步骤a相同的衬底温度; 和（步骤c），同时降低衬底的温度，通过共蒸发依次沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发仅沉积Se。 因此，与三步共蒸发相比，处理步骤简单，并且从薄膜中的晶体生长和Ga的组成分布中获得带隙分级的优点，从而使处理效率达到 改进。
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