Patent search ap:("한국전자통신연구원") AND inv:"권오승" Page 2

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发明公开
베릴륨 도핑층을 이용한 갈륨 비소 MES FET의 구조 无效
Title translation: 使用铍掺杂层的砷化镓MES FET的结构

公开(公告)号：KR1019950021740A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029627

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 , 이종람 , 문재경 , 권오승

IPC: H01L29/76

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