公开(公告)号：KR1019960026511A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034157

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  김덕봉 ,  백종협

IPC: H01L21/66

Abstract: 상이한 파장을 갖는 두개의 레이저빔을 성장 중인 막에 동시에 투사하고, 성장중의 막으로부터 반사된 두개의 반사빔들 각각의 간섭패턴주기를 분석하여 막의 두께와 조성을 모니터링한다.
막으로부터 반사되는 두개의 반사광을 각각 검출하기 위한 광검출기로서, 단파장용 레이저빔의 검출에 적합한 실리콘검출기와 장파장용 레이저빔의 검출에 적합한 저매늄검출기를 이용하여, 동시에 서로 상이한 파장용 두 반사광을 감지하여실시간으로 막의 두께 및 조성을 측정한다.

公开(公告)号：KR100289042B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019970072644

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  이승원 ,  김정수

IPC: G02B5/20

Abstract: PURPOSE: A vertically coupled wavelength variable optical fiber having double lattice structure is provided to have a double lattice structure where an interval between two lattices is spatially different at a center portion and both ends of a filter. CONSTITUTION: An n-type InP buffer layer is formed an n-type InP substrate(21), and the first waveguide layer(22) is formed on the n-type InP buffer layer. The first waveguide layer(22) is spatially limited so as to have a width of 1-3 micrometers and a length of 3-10nm. An n-type InGaAsP lattice layer(23) is formed on the first waveguide layer(22), and is spatially limited so as to have a double lattice period of 20 to 60 micrometers. A distance between two lattices forming the double lattice is limited spatially. An n-type InP(24) is deposited on the n-type InGaAsP lattice layer, and the second optical waveguide layer(25) of a p-type InGaAsP is deposited on the n-type InP(24). The second optical waveguide layer(25) is spatially limited so as to have a width of 1 to 5 micrometer and a length of 3 to 10mm. A p-type InP clad layer(26) is deposited on the second optical waveguide layer.

公开(公告)号：KR100212000B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960034662

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김정수 ,  김홍만

IPC: H01L27/14

Abstract: 본 발명은 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두 도파로의 간격이 너무 밀집되었기 때문에 광섬유를 부착할 경우에 크로스 토크가 발생하는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 n-형 InP 기판(1)과 그 위에 적층된 n-형 InP 완충층(2), 그 위에 출력단 근처에서 수평방향으로 휘어지도록 공간적으로 제한된 형태로 적층된 InGaAsP 제 1광도파로층(3), 그 위에 적층된 InP(4), 그 위에 적층되고 10~20 의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 InGaAsP 회절격자층(5), 그 위에 적층된 InP(6), 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제 2광도파로층(7), 그 위에 적층된 n-형 InP 클래드층(8), 그 위에 적층된 도핑하지 않은 InGaAs 옴 접촉층(9), 그 위에 도핑하지 않고 제 2광도파로층보다 1~10 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 InP 표면보호층(10)으로 구성된 웨이퍼 상에 제 2광도파로 층보다 1~10

公开(公告)号：KR1019980015365A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034662

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김정수 ,  김홍만

IPC: H01L27/14

Abstract: 본 발명은 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두 도파로의 간격이 너무 밀집되어기 때문에 광섬유를 부착할 경우에 크로스 토크가 발생하는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 n-형 InP 기판(1)과 그 위에 적층된 n-형 InP 완충층(2), 그 위에 출력단 근처에서 수평방향으로 휘어지도록 공간적으로 제한된 형태로 적층된 InGaAsP 제1광도파로층(3), 그 위에 적층된 InP(4), 그 위에 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 InGaAsP 회절격자층(5), 그 위에 적층된 InP(6), 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제2광도파로층(7), 그 위에 적층된 n-형 InP 클래드층(8), 그 위에 적층된 도핑하지 않은 InGaAsP 음 접촉층(9), 그 위에 도핑하지 않고 제2광도파로층보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 InP 표� �보호층(10)으로 구성된 웨이퍼 상에 제2광도파로 층보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드 또는 이산화 규소와 같은 유전물질(11), 그 창을 통해 제2도파로의 일부까지 깊게 형성된 p-형 불순물층(12), 그 위에 적층된 p-형 전극금속층(13) 및 기판아래에 제작된 n-형 전극금속층(14)로 구성되어, 두 광도파로 사이의 거리를 공간적으로 멀리 떨어지게 하여 채널 크로스 토크를 줄일 수가 있으며, 안정된 pn 접합을 형성할 수가 있어 여과하고자 하는 광파장을 바꾸고 싶을 때에 주입되는 전류를 작게함으로써 안정된 튜닝은 물론 역전압에 대한 튜닝도 할 수 있다.