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公开(公告)号：KR100237188B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970003863
申请日：1997-02-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/02
CPC classification number: H01S5/18361 , B82Y20/00 , H01S5/18358 , H01S5/2068 , H01S5/3206 , H01S5/34306 , H01S2304/04
Abstract: 본 발명은 표면형 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, WDM을 위한 차세대 레이저에서 파장의 안정성을 유지하기 위한 본 발명은 활성층 내부의 클래딩층을 저온에서 성장시키고, 상부 및 하부 초격자 거울층과 활성층 내부의 양자 우물 구조층을 고온에서 성장시킨 후 형성된 구조에 고온 열처리 공정을 실시함으로써 개별적인 소자들의 레이저 파장을 원하는 대로 쉽고 정확하게 조절할 수 있으며 일단 열처리에 의해 파장 조절이 끝난 소자들은 재료 특성상 안정되어 시간에 따른 소자의 레이징 특성 변화를 일으키지 않는 튜너블 레이저 제조 방법이 제시된다.
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公开(公告)号：KR100178490B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950052636
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1053 , H01S5/183 , H01S5/18319 , H01S5/3205 , H01S5/3215 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S2301/173
Abstract: 갈륨비소(GaAs) 기판위에 알루미늄 비소(AlAs)와 갈륨비소(GaAs) 초격자거울(distributed Brag reflector)을 하단부에 성장시키고 그 위에 조성 그레이딩방법으로 인디움갈륨비소(InGaAs) 버퍼층을 성장시킨 후, 격자 부정합이 크나 전위없는 인디움 인(InP)층과 활성층인 인디움갈륨비소(InGaAs) 양자우물구조(quantum well)를 성장시키고 그 위에 인디움알루미늄비소(InAlAs)와 인디움갈륨비소(InGaAs) 초격자거울을 생성하는 방법이다.
하단부 거울은 굴절율 차이가 크며 열전도율이 매우 좋아 구조상 이상적이며 활성층과 상단부거울은 광자와 전자의 구속력이 좋고 굴절율 차이도 비교적 좋아 상단부로 레이징하기에 적합하며 상온 연속발진이 가능하다.-
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公开(公告)号：KR1019960026117A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033473
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/20
Abstract: 본 발명은 MOCVD를 이용하여 GaAs기판(1)위에 격자부정합이 큰 InGaAs나 InAlAs 박막(4)을 최소의 전위밀도(dislocation density)로 성장시킬 수 있는 방법에 관한 것으로, 낮은 온도에서, 버퍼층(2)위에 Ⅲ족 원료 가스만을 몇초간 주입하고, V족 원료가스를 주입하여 2nm 미만의 두께를 갖는 이원계 박막(3)을 성장시킨후, V족 원소를 함유하는 AsH
3 가스를 별도로 주입하여 이원계 박막(3)과 그 위에 성장되는 InGaAs나 InAlAs 박막(4) 사이의 이종 계면을 급준하게 유지시켜 준다.
이로써, 격자부정합으로 인한 전위(misfit dislocation)을 극소화시키고 빗살무늬(cross hatch pattern)가 없는 박막의 표면을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960019493A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940029924
申请日：1994-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 유전체 박막상에 무결함 반도체 격자구조를 갖는 화합물 반도체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 고농도의 탄소 불순물이 첨가된 AlGaAs계열의 박막층 위에 이종의 화합물 반도체 박막인 GaAs, InGaAs 또는 InAs층을 가지는 다층구조에 대해 수증기 분위기에서 열처리하여 산화시키는 것을 특징으로 하여 수행되며, 본 발명에 의해 유전체인 Al
2 O
3 박막층위에 이종 화합물 반도체의 박막층을 결함없이 빠르게 성장시킬 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960018537A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940028807
申请日：1994-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J1/00
Abstract: 극저온(약 1.7K, 영하 272℃) PL측정은 재료의 광학특성 분석방법으로서 재료의 결합도 및 조성측정에 가장 정확한 정보를 제공하지만 장치가 복잡하고 특수진공펌프의 구동으로 인해 매우 시끄러우므로 특히 미소신호의 검출을 위해서는 모든 주변장치의 진동제거, 소음방지, 암실환경조성등의 조건이 필요하다.
따라서 PL측정치 사용되는 모든 optics의 배열에도 신중을 기해야 하며 만약 약간의 진동에 의해서 opties배열에 변형이 생기면 측정된 광신호의 재생성이 사라지므로 시간적 손실이 크게 된다.
본 발명은 PL측정용 optics의 배열중 exitation light source의 경로 변환을 수행하며 동시에 검출기까지의 광신호의 진행경로에 위치해 있는 소형거울을 고정하기 의한 거울홀더에 관한 것으로 일반적으로 사용되는 optics재료의 규격에 맞는 구조로 형성하고 광신호의 손실이나 진동을 극소화하여 조립이 용이하며 데이터의 안정성 및 신뢰성을 확보하도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR100403673B1
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：KR1020010078667
申请日：2001-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02F1/3558 , C03C25/1063 , C03C25/22 , C03C25/52 , G02B6/02 , G02B6/2826 , G02F1/0115
Abstract: 광섬유 표면 상의 상호 절연된 두 도전막 형성방법이 개시된다. 본 발명에서는, 기판에 형성된 그루브에 광섬유를 접착한 다음, 사진식각공정으로 광섬유 상에 도전막이 형성될 부위만 개구하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 포토레지스트 패턴 상에 도전막을 형성한 다음 리프트 오프하면, 그루브에서 광섬유가 분리되는 동시에 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴 상에 형성된 도전막이 제거되고, 광섬유 표면에는 원하는 패턴대로 형성된 도전막만 남는다. 도전막이 형성된 면의 반대면에 대해서도 위와 같은 방법으로 도전막을 형성하여 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성할 수 있다. 본 발명이 개시하는 방법에 따라 광섬유 상에 도전막을 형성한 다음, 이를 이용하여 폴링을 하게 되면, 변조기, 가변필터 및 스위치와 같은 광전소자, 전기장 센서, 및 주파수 변환기나 분산 보상기와 같은 비선형 광섬유 광학 소자에 널리 응용될 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种在光纤表面上形成彼此电隔离的两个导电膜的方法。 根据该方法，使用光刻胶作为胶将光纤附着到硅衬底上的凹槽中。 通过光刻工艺形成光纤表面上的导电膜的光致抗蚀剂图案。 在图案化区域上湿法蚀刻掉一些量的纤维，这是提升沉积在不必要区域上的金属膜所需的，在晶片的整个区域上沉积金属膜。 通过加热的剥离液去除光刻胶，仅在光纤的图案区域上留下金属薄膜，并将光纤从晶片的凹槽中分离出来。光纤另一侧的第二金属薄膜可以通过与 第一金属膜除了纤维的沉积表面必须颠倒地连接到凹槽之外。 使用两个导电膜的极化光纤可应用于制造光电和光纤通信设备中使用的元件，例如调制器，可调谐滤波器和开关，电场传感器以及非线性光纤设备，例如变频器 ，一个色散补偿器。
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公开(公告)号：KR100250453B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970064811
申请日：1997-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G02B5/1857 , G02B2006/12104 , G02B2006/12176
Abstract: PURPOSE: A method for performing realtime monitoring for an etching process of a distributed Bragg reflector is provided to report information about an etching speed and an etching stop step by monitoring a wet-etching process when performing the wet-etching process. CONSTITUTION: A laser beam is irradiated to a sample(12) soaked in an etching solution. In the process for irradiating the laser beam, the laser beam is irradiated uniformly to a whole surface of the sample(12) by using a convex lens(14A,14B). The laser beam reflected from the sample(12) is inputted to a detector(13) by using the convex lens(14A,14B). A computer(17) connected with the detector(13) analyzes a periodical signal of the incident laser beam and senses an etching speed through the analysis for the signal.
Abstract translation: 目的：提供一种用于对分布式布拉格反射器的蚀刻工艺进行实时监测的方法，用于通过在执行湿蚀刻工艺时监测湿法蚀刻工艺来报告关于蚀刻速度和蚀刻停止步骤的信息。 构成：将激光束照射到浸入蚀刻溶液中的样品（12）上。 在照射激光束的过程中，通过使用凸透镜（14A，14B）将激光束均匀地照射到样品（12）的整个表面。 从样品（12）反射的激光束通过使用凸透镜（14A，14B）输入检测器（13）。 与检测器（13）连接的计算机（17）分析入射激光束的周期信号，并通过对信号的分析来感测蚀刻速度。
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公开(公告)号：KR100174880B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950029218
申请日：1995-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45591 , C30B25/14
Abstract: 본 발명은 에피성장층중 하나인 금속유기물 화학기상증착(MOCVD)장치에 관한 것으로, 특히 시료의 균일한 성장을 위한 MOCVD 성장용 보조장치에 대한 것이다. 종래의 에피성장장치는 균일한 시료의 성장을 위해 성장조건을 바꾸는 방법을 사용하고 있으나, 성장조건을 바꿀 경우 성장구조의 두께 균일성은 조금 개선되지만 이로인해 아디 성장 조건을 잡아야 하는 시간적인 손실을 초래하게 된다. 본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 시료의 성장속도 및 조성을 바꾸지 않는 상태에서 성장구조를 향상시킬 수 있도록 상기 금속화학증착장치의 성장실내에 공급되는 원료가스가 운송가스를 통해 시료표면에 균일하게 증착되도록 유도하는 유도수단과, 상기 유도수단을 성장실내에 고정하기 위한 고정수단을 포함하여 원료가스 및 운송가스가 상기 유도수단에 의해 균일한 흐름으로 시료에 유도되어 시료의 균일한 성장구조를 갖도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR100148599B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940029924
申请日：1994-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02573 , H01L21/02664 , H01L21/31666 , Y10S438/902 , Y10S438/907 , Y10S438/967
Abstract: 본 발명은 유전체 박막상에 무결함 반도체 격자구조를 갖는 화합물 반도체 반도체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 고농도의 탄소 불순물이 첨가된 AlGaInAs 계열의 박막층 위에 이종의 화합물 반도체 박막인 GaAs, InGaAs 또는 InAs 층을 가지는 다층 구조에 대해 수증기 분위기에서 열처리하여 산화시키는 것을 특징으로하여 수행되며. 본 발명에 의해 유전체인 Al
2 O
3 박막층위에 이종 화합물 반도체의 박막층을 결함없이 빠르게 성장시킬 수 있는 효과
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