公开(公告)号：KR1019990030547A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970050791

申请日：1997-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만 ,  박찬용

IPC: G02B5/20

Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 제조 분야에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거할 수 있는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
도파로 상에 TE모드에 해당하는 격자주기와 TM모드에 해당하는 격자주기를 동시에 설치하되 공간적으로 분리하고, 각각의 격자가 존재하는 도파로에 전류 주입의 방법 또는 전기장 효과에 의해 독립적인 파장 가변이 가능케 함으로써 도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자에 이용됨.

公开(公告)号：KR1019990016749A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970039416

申请日：1997-08-19

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이승원 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L31/0232

Abstract: 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR100277698B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970050791

申请日：1997-10-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만 ,  박찬용

IPC: G02B5/20

Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 제조 분야에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거할 수 있는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
도파로 상에 TE모드에 해당하는 격자주기와 TM모드에 해당하는 격자주기를 동시에 설치하되 공간적으로 분리하고, 각각의 격자가 존재하는 도파로에 전류 주입의 방법 또는 전기장 효과에 의해 독립적인 파장 가변이 가능케 함으로써 도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자에 이용됨.

公开(公告)号：KR100216528B1

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019960066279

申请日：1996-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이승원 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing: 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5∼1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5∼1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05∼0.2㎛로 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1∼1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2∼3㎛로 적층되고 1∼5㎛의 폭과 3∼10㎜의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1∼3㎛로 적충된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05∼0.3㎛로 적충된 p형 InGaAsP 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SINx) 또는 이산화 규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1019980047765A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960066279

申请日：1996-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이승원 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing : 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장 선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5~1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5~1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05~0.2㎛로 적층되고 10~20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1~1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2~3㎛로 적층되고 1~5㎛의 폭과 3~10mm의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1~3㎛로 적층된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05~0.3㎛로 적층된 p형 InGaAs 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1~10㎛ 더 넓은 창폭을 갖 도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 이산화규소(SiO
2 )와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다.

公开(公告)号：KR100276075B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019970041044

申请日：1997-08-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: G02B5/20 ,  G02B6/00

Abstract: PURPOSE: A wavelength tunable optical filter of a grating-assisted codirectional coupler type is provided to improve crosstalk between neighboring WDM(wavelength division multiplexing) communication channels by obtaining a waveform with side lobe removed. CONSTITUTION: A first InGaAsP waveguide layer is prepared on an n-type InP substrate. An n-type InGaAsP lattice layer is prepared on the first InGaAsP waveguide layer. An n-type InP layer is prepared on the n-type InGaAsP lattice layer. A second p-type InGaAsP waveguide is prepared on the n-type InGaAsP lattice layer. A p-type InGaAsP clad layer is prepared on the second p-type InGaAsP waveguide.

Abstract translation: 目的：提供光栅辅助定向耦合器类型的波长可调光滤波器，通过获得旁波除去的波形来改善相邻WDM（波分复用）​​通信信道之间的串扰。 构成：在n型InP衬底上制备第一InGaAsP波导层。 在第一InGaAsP波导层上制备n型InGaAsP晶格层。 在n型InGaAsP晶格层上制备n型InP层。 在n型InGaAsP晶格层上制备第二个p型InGaAsP波导。 在第二p型InGaAsP波导上制备p型InGaAsP包覆层。

公开(公告)号：KR1019990053074A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072644

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  이승원 ,  김정수

IPC: G02B5/20

Abstract: 본 발명은 n-형 InP 기판, 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제 1도파로층, 제 1도파로 위에 형성된 쌍격자 구조의 격자를 갖도록 공간적으로 제한된 n-형 InGaAsP 격자층, 그 위에 적층된 n-형 InP, 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 p-형 InGaAsP 제 2광도파로층, 그 위에 적층된 p-형 InP 클래드층으로 구성되는 격자도움 수직결합형 광필터에 있어서, 두 도파로 사이에 삽입된 격자배열을 두개의 격자로 구성된 쌍격자 구조로 하고 쌍격자 내부의 두 격자사이의 간격을 공간적으로 조절하면 수직결합형 광필터의 단점인 사이드로브를 제어할 수 있어서 특성을 향상시키게 된다. 두 도파로 사이에 삽입된 쌍격자 구조는 쌍격자 내부의 두 격자사이의 간격은 필터소자의 가운데(중앙) 부분에서는 각 격자와 격자사이의 거리가 서로 같고 필터의 양 끝단으로 갈수록 두 격자사이의 간격이 좁아지도록 구성되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100241342B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970039416

申请日：1997-08-19

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이승원 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L31/0232

CPC classification number: G02B6/12002 ,  G02B6/12007 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147

Abstract: 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990017960A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970041044

申请日：1997-08-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: G02B5/20 ,  G02B6/00

Abstract: 본 발명은 격자의 방향을 도파로의 방향과 어긋나게 하여 두 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브를 제어하는 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터에 관한 것이다. 본 발명에 의한 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터는 두 도파로와 격자층을 갖는데 두 도파로 사이의 광결합은 격자층에서 발생하며, 따라서 격자가 두 도파로 사이의 평면적 공간상으로 중앙에 위치하지 않고 옆으로 빗나간 상태가 될 경우 두 도파로 사이의 광결합효율이 감소하게 되는 원리를 이용하여 광결합효율을 공간적으로 제어할 수 있고 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR100138863B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940034157

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  김덕봉 ,  백종협

IPC: H01L21/66

Abstract: 상이한 파장을 갖는 두개의 레이저빔을 성장 중인 막에 동시에 투사하고, 성장중의 막으로부터 반사된 두개의 반사빔들 각각의 간섭패턴주기를 분석하여 막의 두께와 조성을 모니터링한다.
막으로 부터 반사되는 두개의 반사광을 각각 검출하기 위한 광검출기로서, 단파장용 레이저빔의 검출에 적합한 실리콘검출기와 장파장용 레이저빔의 검출에 적합한 저매늄검출기를 이용하여, 동시에 서로 상이한 파장용 두 반사광을 감지하여 실시간으로 막의 두께 및 조성을 측정한다.