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公开(公告)号：KR1019980022176A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019960041261
申请日：1996-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 광 도파로 및 평면형 수동 광소자 제작을 위하여 필요한 실리카 후막을 산화물 입자를 이용하여 형성하는 방법이 개시된다. 본 발명은 SiO
2 가 주성분이고 굴절률 변화와 조밀화 공정의 온도 저하를 위한 산화물을 정량화하여 섞은 후에, 유기물 결합제, 분산제 또는 소포제와 같은 첨가제를 균일한 조성이 되도록 진공하에서 충분히 교반시킨 후, 닥터 블레이드 테이프 캐스팅법을 이용하여 원하는 두께의 실리카막을 Si 기판상에 도포한다. 소정 온도와 분위기에서 조밀화 공정을 수행하여 치밀한 실리카 후막을 형성한다. 본 발명에 따르면, 복잡하며 고가인 별도의 장비 없이 산화물 입자를 이용하여 경제적이며 대량 생산에 적합한 광 도파로용 실리카 후막을 제작할 수 있다.-
12.发明授权매립 메사 애벌런치 포토다이오드(Buried Mesa Avalanche Photodiode)구조 및 제조방법 失效BURIED MESA AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：KR1019970006610B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930024325
申请日：1993-11-16
IPC: H01L31/107 , H01L31/10
Abstract: A technique related to a photodiode is described that can provide a buried mesa avalanche photodiode which can prevent electric field from being concentrated at the edge of pn junction surface, and protect mesa etched surface using a highly doped InP layer. The photodiode includes a buffer layer 2 grown over a InP substrate 1, composite semiconductor layers 3 and 4 grown over the buffer layer 2 in sequence, an InP charge seat layer 9 grown over the composite semiconductor layer 4, mesa-etching from the InP charge seat layer 9 to a some part of the buffer layer 2 prior to the growing of an InP amplifying layer 5, forming a p+-InP layer 6 over the InP amplifying layer 5, an anti-reflection layer 7 over the p+-InP layer 6, and forming metal layers 10 and 11 for ohmic contacts. Thereby, it is possible to make etching processes easy and improve the yield and durability of the photodiode.
Abstract translation: 描述了一种与光电二极管有关的技术，它可以提供一种能够防止电场集中在pn结表面边缘的埋地台面雪崩光电二极管，并使用高度掺杂的InP层来保护台面蚀刻表面。 光电二极管包括在InP衬底1上生长的缓冲层2，在缓冲层2上顺序生长的复合半导体层3和4，在复合半导体层4上生长的InP电荷座层9，从InP电荷的台面蚀刻 座位层9到InP放大层5生长之前的缓冲层2的一部分，在InP放大层5上形成p + -InP层6，在p + -InP层6上方形成抗反射层7 并形成用于欧姆接触的金属层10和11。 因此，可以使蚀刻工艺容易，并且提高光电二极管的产量和耐久性。
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公开(公告)号：KR1019940008022B1
公开(公告)日：1994-08-31
申请号：KR1019910002959
申请日：1991-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/02
Abstract: The method includes the steps of depositing a semiconductor thin film 3 on a first semiconductor 1, putting a second compound semiconductor 2 on the semiconductor thin film 3 and carrying out heat treatment at the high temperature, thereby obtaining isolation effect.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在第一半导体1上沉积半导体薄膜3，将第二化合物半导体2放置在半导体薄膜3上，并在高温下进行热处理，从而获得隔离效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100221550B1
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019960041261
申请日：1996-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 광 도파로 및 평면형 수동 광소자 제작을 위하여 필요한 실리카 후막을 산화물 입자를 이용하여 형성하는 방법이 개시된다. 본 발명은 SiO
2 가 주성분이고 도파로의 굴절률 변화와 조밀화 공정의 온도 저하를 위한 산화물을 정량화하여 섞은 후에, 유기물 결합제, 분산제 또는 소포제와 같은 첨가제를 균일한 조성이 되도록 진공하에서 충분히 교반시킨 후, 닥터 블레이드 테이프 캐스팅법을 이용하여 원하는 두께의 실리카막을 Si 기판상에 도포한다. 소정 온도와 분위기에서 조밀화 공정을 수행하여 치밀한 실리카 후막을 형성한다. 본 발명에 따르면, 복잡하며 고가인 별도의 장비 없이 산화물 입자를 이용하여 경제적이며 대량 생산에 적합한 광 도파로용 실리카 후막을 제작할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970004492B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930018144
申请日：1993-09-09
IPC: H01L31/107
Abstract: This invention about guard ring manufacturing method prevents the premature breakdown of an avalanche photodiode(APD) caused by electric field concentration. The method includes the steps of: step(A) that is forming a n-type InGaAsP absorption layer(2) on the surface of a n+ type InP substrate(1), a n-type InGaAsP layer(3) on the absorption layer(2), a n+ type InP layer(4) on the n-type InGaAsP layer(3), and a n- type InP amplifying layer(5) on the n+ type InP layer(4); step(B) depositing a SiNx etching protect film(6) on the surface of the n-type InP amplifying layer(5) and, by that, etching designated region needed to form a guide; step(C) where the SiNx etching protect film is removed after the etched region is etched as the pattern with designated thickness T1 and width W1; and step(D) coating a p-type InP layer(7) by the liquid epitexial method and doping the p-type InP layer(7) lighter than the p-type InP layer(7) by the prescribed liquid epitexial method.
Abstract translation: 关于保护环制造方法的本发明防止由电场浓度引起的雪崩光电二极管（APD）的过早击穿。 该方法包括以下步骤：在n +型InP衬底（1）的表面上形成n型InGaAsP吸收层（2）的步骤（A），吸收层上的n型InGaAsP层（3） （2），n型InGaAsP层（3）上的n +型InP层（4）和n +型InP层（4）上的n型InP放大层（5）; 步骤（B）在n型InP放大层（5）的表面上沉积SiNx蚀刻保护膜（6），由此刻蚀形成导向器所需的指定区域; 在蚀刻区域被蚀刻为具有指定厚度T1和宽度W1的图案之后，去除SiNx蚀刻保护膜的步骤（C）; 和步骤（D），通过液体荧光法涂覆p型InP层（7），并通过规定的液体荧光法掺杂比p型InP层（7）更轻的p型InP层（7）。
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公开(公告)号：KR1019950010142A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019930018144
申请日：1993-09-09
IPC: H01L31/107
Abstract: 본 발명은 에벌렌치 포토다이오드와 같은 높은 전압하에서 사용되는 소자에 있어 전기장의 집중현상에 의한 조기항복을 방지하기 위한 가드링 제조방법에 관한 것으로, 그 공정은 n
- 형 InP 증폭층(5)위에 가드링 부분을 소정의 형태로 식각하고, 이 식각된 부분에 액상에피택시법이나 에피성장시스템을 이용하여 소정의 낮은 농도로 P
- 형 InP층(7)을 형성하고 이 n
- 형 InP층(7) 보다도 상대적으로 높은 농도로 P
- 형 InP층(8)을 형성하여 제조공정이 간단하고, 상기 액상에피택시법을 이용하므로 소자제작 공정을 간단하게 하여 소자제작의 재현성 및 용이성을 향상시킬 수 있다. -
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